公开(公告)号：CN101640209B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。

公开(公告)号：CN101640209A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/71 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。