公开(公告)号：CN101640209B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。

公开(公告)号：CN101640209A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910161720.5

申请日：2009-07-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  山口哲司 ,  田谷圭司 ,  西村丰 ,  糸长总一郎 ,  森裕之 ,  久保典弘 ,  古闲史彦 ,  伊泽慎一郎 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/71 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提供固体摄像器件、其制造方法以及摄像装置。该固体摄像器件包括：半导体基板，其包括具有光电转换部的像素部和周边电路部；第一侧壁部，其由侧壁膜构成并被布置在像素部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第二侧壁部，其由上述侧壁膜构成并被布置在周边电路部中的MOS晶体管的栅极电极的各个侧壁上；第一硅化物阻挡膜，其由上述侧壁膜构成并被布置在光电转换部和像素部中的部分MOS晶体管上；以及第二硅化物阻挡膜，其被布置在像素部中的MOS晶体管上并与部分第一硅化物阻挡膜重叠，其中，像素部中的MOS晶体管被第一和第二硅化物阻挡膜覆盖着。本发明的固体摄像器件、其制造方法及摄像装置能够降低随机噪声、白点数量和暗电流。

公开(公告)号：CN101197388B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200710306666.X

申请日：2007-10-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤麻纪 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种具有排列成二维矩阵的多个像素的成像区域和检测来自像素的输出信号的外围电路的固态成像装置及其制造方法，并且提供了具有该固态成像装置的电子装置。每个像素的晶体管中的杂质浓度低于外围电路的晶体管中的杂质浓度。此外，像素的浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在浮置扩散部的后段的晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。

公开(公告)号：CN101197388A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710306666.X

申请日：2007-10-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 佐藤麻纪 ,  大木进

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种具有排列成二维矩阵的多个像素的成像区域和检测来自像素的输出信号的外围电路的固态成像装置及其制造方法，并且提供了具有该固态成像装置的电子装置。每个像素的晶体管中的杂质浓度低于外围电路的晶体管中的杂质浓度。此外，像素的浮置扩散部下方的半导体阱区的杂质浓度设置成低于在浮置扩散部的后段的晶体管部下方的半导体阱区的杂质浓度。