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公开(公告)号：CN100555605C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710153173.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 一种固体成像装置的制造方法，包括：在硅基板上形成具有不同性能的第一和第二绝缘膜，使它们覆盖形成在硅基板上的栅极电极的侧面；对第二绝缘膜进行选择性蚀刻，和在栅极电极的侧面上形成侧壁；对形成有侧壁的栅极电极进行离子注入；覆盖形成有侧壁的栅极电极且在硅基板上形成第三绝缘膜；用掩模材料覆盖被第三绝缘膜覆盖的栅极电极的一部分，和对基板进行蚀刻以除去露出的第三绝缘膜；以及除去掩模材料后，在硅基板上形成能够形成硅化物的金属膜使得该金属膜覆盖栅极电极和第三绝缘膜，以形成硅化物层。
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公开(公告)号：CN101276830A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810088071.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。
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公开(公告)号：CN101276830B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810088071.6
申请日：2008-03-31
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供不因回蚀处理而降低自对准硅化物阻挡膜的能力并可均匀地进行晶体管的源极/漏极注入的固态摄像元件的制造方法。在栅极电极(11、21)的侧表面形成的侧壁(32、33)作为掩模，形成晶体管的源极/漏极区域(14、24)。然后覆盖栅极电极(11、21)、侧壁(32、33)、源极/漏极区域(14、24)以及受光区域而形成供氢膜(33)和自对准硅化物阻挡膜(34)。在去除硅化区域的自对准硅化物阻挡膜(34)后，形成金属膜(38)并进行热处理，在硅化区域的栅极电极(21)和源极/漏极区域(24)的上部形成金属硅化膜(25、26)，由此来制造固态摄像元件。
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公开(公告)号：CN101154628A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153173.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14609 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 一种固体成像装置的制造方法，包括：在硅基板上形成具有不同性能的第一和第二绝缘膜，使它们覆盖形成在硅基板上的栅极电极的侧面；对第二绝缘膜进行选择性蚀刻，和在栅极电极的侧面上形成侧壁；对形成有侧壁的栅极电极进行离子注入；覆盖形成有侧壁的栅极电极且在硅基板上形成第三绝缘膜；用掩模材料覆盖被第三绝缘膜覆盖的栅极电极的一部分，和对基板进行蚀刻以除去露出的第三绝缘膜；以及除去掩模材料后，在硅基板上形成能够形成硅化物的金属膜使得该金属膜覆盖栅极电极和第三绝缘膜，以形成硅化物层。
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