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公开(公告)号：CN1909225A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610099193.6
申请日：2006-08-02
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/4943 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有凸起的半导体装置及半导体芯片，其中，该凸起设置于微型的电极垫上，有助于提高安装性及检查效率。本发明的半导体装置包括：半导体层(10)；设于所述半导体层(10)上面的电极垫(20)；位于所述电极垫(20)的上面、具有使所述电极垫(20)的至少一部分露出的开口(32)的绝缘层(30)；以及至少设于所述开口(32)处的金属电极(40)，其中，所述金属电极(40)包括：设于所述电极垫(20)上面的第一部分(40a)；以及设于所述电极垫(20)外侧的所述绝缘层(30)的上面、与所述第一部分(40a)相比上表面的面积更大的第二部分(40b)。
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公开(公告)号：CN1905179A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610099517.6
申请日：2006-07-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 进藤昭则
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L29/78 , H01L2224/02166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043
Abstract: 本发明提供一种可在焊盘的下方设置半导体元件的高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括：半导体层(10)、设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(50，60，70，80，90)、设于所述层间绝缘层上面的缓冲层(72，82，92)、以及设于所述层间绝缘层上面的电极垫(94)，其中，所述缓冲层设置成在俯视时与至少一部分的所述电极垫的端部重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102445197B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201110241308.1
申请日：2011-08-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G01C19/5642 , G01C19/5663
CPC classification number: G01P15/097 , B81B7/0006 , G01C19/5783 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种传感器装置、运动传感器、以及电子设备，其防止了由于在传感器元件的调频时所使用的激光而导致的应力缓和层的熔融，并具有稳定的电特性。传感器装置(1)的特征在于，具有：第1电极(11)，其被设置在硅基板(10)的有源面(10a)侧；外部连接端子(12)，其与第1电极电连接；应力缓和层(15)，其被设置在硅基板与外部连接端子之间；连接用端子(13)，其被设置在硅基板的有源面侧；振动陀螺元件(20)，其具有作为质量调节部的锤部(26a、26b、27a、27b、28a、28b)，其中，振动陀螺元件通过连接电极与外部连接端子之间的连接而被保持在硅基板上，所述传感器装置具有被形成在应力缓和层与质量调节部在俯视观察时相重合的部分之间的熔融保护层(42)。
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公开(公告)号：CN100590858C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610099517.6
申请日：2006-07-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 进藤昭则
IPC: H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L29/78 , H01L2224/02166 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/19043
Abstract: 本发明提供一种可在焊盘的下方设置半导体元件的高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置包括：半导体层(10)、设于所述半导体层(10)上面的层间绝缘层(50，60，70，80，90)、设于所述层间绝缘层上面的缓冲层(72，82，92)、以及设于所述层间绝缘层上面的电极垫(94)，其中，所述缓冲层设置成在俯视时与至少一部分的所述电极垫的端部重叠。
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公开(公告)号：CN100552972C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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公开(公告)号：CN100456463C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610077173.9
申请日：2006-04-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 进藤昭则
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L21/28
CPC classification number: H01L24/02 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/19043
Abstract: 一种半导体装置，具有：位于半导体元件上方的绝缘膜(10)、形成在绝缘膜(10)上的导电体焊盘(11)、和形成在导电体焊盘(11)上的第1开口图案(12)。这样，即使形成导电体焊盘(11)的导电体流动，导电体的流动性也会被第1开口图案(12)吸收。在导电体焊盘(11)为近似多角形的情况下，第1开口图案(12)优选形成在导电体焊盘(11)的各个角部的附近。在这种情况下，第1开口图案(12)也可以具有沿着形成角部的2个边而被配置的近似L字状的狭缝。从而，能够提供即使导电体从导电体焊盘的中央部向周边部流动，也能够抑制应力的产生的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1885558A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610087107.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1037 , H01L29/1041 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L2224/05022 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/01074 , H01L2924/013
Abstract: 本发明提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)；晶体管(100)、(120)，其设置于半导体层(10)上，并具有栅极绝缘层(104)、(124)以及栅电极(106)、(126)；层间绝缘层(40)，其设置于晶体管(100)、(120)的上方；以及，电极垫(42)，其设置于层间绝缘层(40)的上方，俯视观察时，与栅电极(106)、(126)的至少一部分相重叠，其中，晶体管(100)、(120)为在栅电极(106)、(126)端部的下方设置有比栅极绝缘层(104)、(124)的膜厚更厚的绝缘层(102)、(122)的高耐压晶体管。
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