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公开(公告)号：CN100539408C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710004286.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02574 , H03H9/0585 , H03H9/1071 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60)，该表面声波元件(10)的制造方法包括：在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21～23)的工序；在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序；对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序；在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序；在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序，该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高，而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。
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公开(公告)号：CN100502038C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、直接形成在所述铁电体层(30)的上表面的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)；所述IV族半导体层与所述氧化物半导体层具有pn结。
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公开(公告)号：CN1238193C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03107285.2
申请日：2003-03-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: B41J2/14201 , B41J2202/03 , H01L27/11502 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种以最佳结构可以实现电子器件各种特性优越的电子器件用基板和具有有关电子器件用基板的电子器件、具有有关电子器件用基板的强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机。本发明的电子器件用基板包括：基板、所述基板上形成的非晶态层、在所述非晶态层上形成并具有与所述基板不同的取向的缓冲层、在上述缓冲层上面形成的导电性氧化物层。缓冲层最好是包含NaCl结构的金属氧化物、萤石型结构的金属氧化物中的一种的金属氧化物，并且，在立方晶体(100)取向以外延生长法生成的物质。
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公开(公告)号：CN1421900A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02153623.6
申请日：2002-11-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/24 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/02304 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/045 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种用于电子装置的衬底，该电子装置包括由立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向并利用外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层衬底，本发明还提供一种具有用于该电子装置的衬底的电子装置。图1所示的电子装置用衬底(100)包括Si衬底(11)；在Si衬底(11)上利用外延生长形成包含具有NaCl结构的金属氧化物的缓冲层(12)；在缓冲层(12)上用立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向外延生长形成的含有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层(13)。优选的是，Si衬底(11)是不除去自然氧化膜(100)衬底或(110)衬底。并且，缓冲层(12)的平均厚度等于或小于10nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100535177C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610112283.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/493 , C04B35/497 , C04B35/6264 , C04B35/6325 , C04B35/6346 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/768 , C23C14/088 , H01L21/31691 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种可在与现有的烧结法相比温度非常低的环境下获得的绝缘性靶材。上述绝缘性靶材用于获得以通式AB1-xCxO3表示的绝缘性复合氧化膜，其中，A元素至少包括Pb，B元素包括Zr、Ti、V、W以及Hf中的至少一种，C元素包括Nb以及Ta中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101005274A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710004286.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02574 , H03H9/0585 , H03H9/1071 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60)，该表面声波元件(10)的制造方法包括：在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21～23)的工序；在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序；对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序；在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序；在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序，该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高，而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。
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公开(公告)号：CN1311518C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02153623.6
申请日：2002-11-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/24 , C30B29/32 , H01L21/02197 , H01L21/02266 , H01L21/02304 , H01L21/31691 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L29/045 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及一种用于电子装置的衬底，该电子装置包括由立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向并利用外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层衬底。本发明还提供一种具有用于该电子装置的衬底的电子装置。图1所示的电子装置用衬底(100)包括Si衬底(11)；在Si衬底(11)上利用外延生长形成包含具有NaC1结构的金属氧化物的缓冲层(12)；在缓冲层(12)上用立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向外延生长形成的含有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层(13)。优选的是，Si衬底(11)是不除去自然氧化膜(100)衬底或(110)衬底。并且，缓冲层(12)的平均厚度等于或小于10nm。
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公开(公告)号：CN1812128A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。
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公开(公告)号：CN1260774C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03156519.0
申请日：2003-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/08
CPC classification number: H01L21/31691 , H01L21/32058 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种电子装置用衬底，其中在衬底上形成重新构成表面或氢封端表面的处理不再是必要的，并且在衬底上形成的缓冲层是沿(100)取向外延生长的，以及一种该衬底的制造方法。电子装置用衬底100包括：由硅构成的衬底11，和在衬底11形成薄膜表面上层压外延生成的具有萤石结构的第一缓冲层12和第二缓冲层13，具有分层的钙钛矿结构的第一氧化物电极层14，具有简单钙钛矿结构的第二氧化物电极层15。通过在SiO升华区在自然氧化物薄膜上照射金属等离子体，使得第一缓冲层12的外延生长速率高于SiO2的生成速率。
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