-
公开(公告)号：CN100505532C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510132693.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。
-
公开(公告)号：CN101145758A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710147898.5
申请日：2007-09-03
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 矢岛有继
Abstract: 本发明提供一种表面声波振荡器。在具有振荡频率的连续性的同时实现宽带化。表面声波振荡器(1)具有；交叉耦合型电路(10)，其与输出端子(OUT1)和输出端子(OUT2)差动连接；SAW共振子(20、30)，其与交叉耦合型电路(10)并联连接且共振频率不同；可变电容电路(100)，其包含电容值根据从输出端子(OUT1)所施加的第1控制电压而变化的变容二极管(50)，且该可变电容电路(100)使SAW共振子(20)的共振频率变化；以及可变电容电路(200)，其包含电容值根据从输出端子(OUT2)所施加的第2控制电压而变化的变容二极管(60)，且该可变电容电路(200)使SAW共振子(30)的共振频率变化，SAW共振子(20)与可变电容电路(100)连接，SAW共振子(30)与可变电容电路(200)连接，使用交叉耦合型电路(10)来输出SAW共振子(20)和SAW共振子(30)相耦合的振荡输出。
-
公开(公告)号：CN104931187A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510116746.3
申请日：2015-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 矢岛有继
CPC classification number: G01L9/0052 , G01L11/002 , G01L19/0092
Abstract: 物理量传感器、高度计、电子设备以及移动体。提供具有优异的检测精度的物理量传感器、具有该物理量传感器且可靠性高的高度计、电子设备以及移动体。物理量传感器(1)具有：膜片，其能够挠曲变形(24)；周围壁部(26)，其配置在膜片(24)的周围，沿远离膜片(24)的方向而增加厚度；挠曲量传感器(3)，其检测膜片(24)的挠曲量；以及温度传感器(6)，其配置于周围壁部(26)。
-
公开(公告)号：CN101005274A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710004286.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02574 , H03H9/0585 , H03H9/1071 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60)，该表面声波元件(10)的制造方法包括：在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21～23)的工序；在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序；对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序；在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序；在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序，该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高，而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103905009A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310684125.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2405 , H03H3/0072 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明提供振子、振荡器、电子设备、移动体和振子的制造方法。振动效率更高且抑制了振动泄漏。MEMS振子（100）具有：基板（1）；固定部（23），其设置在基板（1）的主面上；支承部（25），其从固定部（23）延伸；振动体（上部电极（20）），支承部（25）使该振动体与基板（1）分离，并支承该振动体的振动的波节部，振动体是具有从振动的波节部辐射状地延伸出的2n个梁的2n重对称的旋转对称体，其中，n为自然数。
-
公开(公告)号：CN103856184A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310566481.8
申请日：2013-11-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H9/2436 , B81B3/0013 , B81B2201/0285 , H03H2009/02385 , H03H2009/02472 , H03H2009/02511
Abstract: 本发明提供振子以及电子设备。作为课题，提供了如下这样的振子：其能够进一步小型化，并且振动泄漏少，能够在制造工序中不导致可动电极产生粘连的情况下，稳定地进行制造。MEMS振子（100）具有：基板（1）；固定部（23），其设置在基板（1）的主面上；从固定部（23）延伸出的支撑部（22）；以及上部电极（21）（振动体），其以与基板（1）相离的方式被支撑部（22）支撑，上部电极（21）在由于从上部电极（21）的周缘部朝向上部电极（21）的中央部形成的缺口部（30）而露出的上部电极（21）的侧面部中的、从所述中央部面向所述周缘部的方向的侧面（31）上具有被连接部，被连接部与支撑部（22）相连。
-
公开(公告)号：CN103856179A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310567000.5
申请日：2013-11-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H03H9/02
CPC classification number: B81B3/007 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , G01C19/5712 , H03H9/2405 , H03H9/2431 , H03H9/2436 , H03H2009/02354
Abstract: 本发明提供振子以及电子设备。作为课题，提供如下这样的振子：其能够进一步小型化且振动泄漏少，能够在制造工序中不导致可动电极产生粘连的情况下稳定地进行制造。MEMS振子（100）具有：基板（1）；设置在基板（1）的主面上的固定部（23）；从固定部（23）延伸出的支撑部（支撑梁22和连结梁21）；以及上部电极（20）（振动体），其以与基板（1）相离的方式被支撑部支撑，上部电极（20）在由于缺口部（30）而露出的从上部电极（20）的周缘部朝向上部电极（20）的中央部的上部电极（20）的侧面（31）上具有被连接部，所述缺口部（30）从上部电极（20）的周缘部朝向上部电极（20）的中央部而形成，被连接部与支撑部相连。
-
公开(公告)号：CN100539408C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710004286.0
申请日：2007-01-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H03H3/08 , H03H9/02574 , H03H9/0585 , H03H9/1071 , Y10T29/42 , Y10T29/49005 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明提供表面声波元件的制造方法、表面声波元件。一种实现小型薄型化且容易进行封装的具有高可靠性的表面声波元件的制造方法。表面声波元件(10)在半导体基板(20)的表面上形成梳齿状IDT电极(60)，该表面声波元件(10)的制造方法包括：在半导体基板(20)的有源面侧的表面形成绝缘层(21～23)的工序；在绝缘层(23)的整个表面形成基台层(30)的工序；对基台层(30)的表面进行平坦化处理的工序；在平坦化处理后的基台层(30)的表面形成压电体(51)的工序；在压电体(51)的表面形成IDT电极(60)的工序；在基台层(30)的表面周缘部形成堤(41)的工序，该堤(41)比从基台层(30)的表面到IDT电极(60)表面的高度高，而且包围压电体(51)和IDT电极(60)。
-
公开(公告)号：CN1805275A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510132693.0
申请日：2005-12-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 提供表面声波装置的制造方法及表面声波装置。在半导体基板上具备IC区域与表面声波元件区域并构成为一个芯片的表面声波装置中，能够确保形成表面声波元件部分的平坦性，得到特性良好的表面声波装置的制造方法及表面声波装置。该方法具备：在半导体基板的IC区域形成半导体元件层(45)的工序；形成布线层(46)的工序；在IC区域及表面声波元件区域形成层间绝缘膜(38)的工序；对层间绝缘膜(38)的表面进行化学机械抛光处理的工序；在化学机械抛光处理过的层间绝缘膜(38)上形成压电薄膜(39)的工序；以及在表面声波元件区域中的压电薄膜(39)上形成表面声波元件(40)的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.028 seconds)
