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公开(公告)号：CN112673448A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059591.0
申请日：2019-09-17
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明揭示一种光电阴极结构，其可包含Cs2Te、CsKTe、CsI、CsBr、GaAs、GaN、InSb、CsKSb或金属中的一或多者，所述光电阴极结构在外表面上具有保护膜。所述保护膜包含钌、镍、铂、铬、铜、金、银、铝中的一或多者或其合金。所述保护膜可具有从1nm到10nm的厚度。所述光电阴极结构可用于如扫描电子显微镜的电子束工具中。
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公开(公告)号：CN111801765A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016727.X
申请日：2019-03-19
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/073
Abstract: 本发明揭示一种高亮度电子束源。所述电子束源可包含经配置以产生宽带照明的宽带照明源。可调谐光谱滤波器可经配置以对所述宽带照明进行滤波以提供具有激发光谱的经滤波照明。所述电子束源可进一步包含经配置以响应于所述经滤波照明发射一或多个电子束的光电阴极，其中来自所述光电阴极的发射可基于来自所述可调谐光谱滤波器的所述经滤波照明的所述激发光谱而调整。
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公开(公告)号：CN119644679A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510014143.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及用于投影成像系统中的临场式光化学清洁的光的光学路径耦合的系统及方法。本发明公开用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统。特定来说，公开用于投影成像系统中的临场式光化学清洁的光的光学路径耦合的系统。一种用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统包含第一照明源、检测器、一组照明光学器件及一组成像光学器件。在一些实施例中，所述系统可包含第二照明源及第三照明源中的至少一者，其中每一者可经配置以引起或协助从所述系统的一或多个光学表面移除污染物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111801765B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201980016727.X
申请日：2019-03-19
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J37/073
Abstract: 本发明揭示一种高亮度电子束源。所述电子束源可包含经配置以产生宽带照明的宽带照明源。可调谐光谱滤波器可经配置以对所述宽带照明进行滤波以提供具有激发光谱的经滤波照明。所述电子束源可进一步包含经配置以响应于所述经滤波照明发射一或多个电子束的光电阴极，其中来自所述光电阴极的发射可基于来自所述可调谐光谱滤波器的所述经滤波照明的所述激发光谱而调整。
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公开(公告)号：CN117098984A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280017625.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/15
Abstract: 本发明公开用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统。特定来说，公开用于投影成像系统中的临场式光化学清洁的光的光学路径耦合的系统。一种用于清洁覆盖检验系统的光学表面的系统包含第一照明源、检测器、一组照明光学器件及一组成像光学器件。在一些实施例中，所述系统可包含第二照明源及第三照明源中的至少一者，其中每一者可经配置以引起或协助从所述系统的一或多个光学表面移除污染物。
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公开(公告)号：CN114667473B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202080078120.7
申请日：2020-11-18
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于缓解由真空紫外(VUV)曝光对光学元件引起的损坏的系统。所述系统包含经配置以产生VUV的光源及容纳所选择的分压的一或多种气态氟基化合物的室。所述系统包含一或多个光学元件。所述一或多个光学元件定位于所述室内且暴露于所述一或多种气态氟基化合物。由所述光源产生的所述VUV光具有足以将所述室内的所述氟基化合物解离成初级产物的能量。
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公开(公告)号：CN110291609B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201780086182.0
申请日：2017-12-18
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01J1/304
Abstract: 本发明揭示一种具有保护罩盖层的发射器，所述保护罩盖层位于所述发射器的外部表面上。所述发射器可具有100nm或更小的直径。所述保护罩盖层包含钌。钌是抗氧化及碳生长的。所述保护罩盖层还可具有相对较低的溅镀率以耐离子腐蚀。所述发射器可为具有电子束源的系统的部分。可将电场施加到所述发射器，且可从所述发射器产生电子束。可通过溅镀沉积、原子层沉积ALD或离子溅镀来将所述保护罩盖层施加到所述发射器。
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