-
公开(公告)号：CN110596146A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910872426.9
申请日：2015-10-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956 , G03F7/20 , G06T7/00 , G06T7/33 , H04N5/225
Abstract: 本申请涉及一种用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
-
公开(公告)号：CN107076681A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055448.6
申请日：2015-10-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00
Abstract: 本文中呈现用于测量通过连续光刻工艺而形成于衬底上的结构之间的叠对误差的方法及系统。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
-
公开(公告)号：CN106164733A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018392.7
申请日：2015-03-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供有关具有在第一方向上以第一间距重复的元件的周期性结构的目标设计及方法。所述元件沿垂直于所述第一方向的第二方向以第二间距为周期，且在所述第二方向上的特征为具有所述第二间距的交替的对焦点敏感及对焦点不敏感的图案。在所产生目标中，所述第一间距可为大约装置间距，且所述第二间距可为数倍大。所述第一对焦点不敏感的图案可经产生以产出第一临界尺寸，且所述第二对焦点敏感的图案可经产生以产出第二临界尺寸，仅在满足指定焦点要求时，所述第二临界尺寸才可等于所述第一临界尺寸，或基于沿所述垂直方向的所述较长间距提供零以及第一衍射级的散射术测量。
-
公开(公告)号：CN116018512B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202180053903.4
申请日：2021-09-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956 , H01L21/66 , G01N23/207 , G01N23/201 , G01N23/18 , G01N21/21 , G01N21/88 , G01N21/95
Abstract: 本文中呈现用于估计指示半导体测量的一或多个性能特性的质量度量的值的方法及系统。将所述质量度量的所述值正规化以确保跨越宽广范围的测量方案的适用性。在一些实施例中，在测量推断期间确定每一测量样品的质量度量的值。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定缺陷分类的不确定性。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定例如几何、色散、过程及电参数等所估计所关注参数的不确定性。在一些实例中，质量度量被用作过滤器以检测测量离群值。在一些其它实例中，质量度量被用作触发器以调整半导体过程。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN116018512A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180053903.4
申请日：2021-09-01
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/95
Abstract: 本文中呈现用于估计指示半导体测量的一或多个性能特性的质量度量的值的方法及系统。将所述质量度量的所述值正规化以确保跨越宽广范围的测量方案的适用性。在一些实施例中，在测量推断期间确定每一测量样品的质量度量的值。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定缺陷分类的不确定性。在一些实施例中，采用经训练质量度量模型来确定例如几何、色散、过程及电参数等所估计所关注参数的不确定性。在一些实例中，质量度量被用作过滤器以检测测量离群值。在一些其它实例中，质量度量被用作触发器以调整半导体过程。
-
-
公开(公告)号：CN106164733B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201580018392.7
申请日：2015-03-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明提供有关具有在第一方向上以第一间距重复的元件的周期性结构的目标设计及方法。所述元件沿垂直于所述第一方向的第二方向以第二间距为周期，且在所述第二方向上的特征为具有所述第二间距的交替的对焦点敏感及对焦点不敏感的图案。在所产生目标中，所述第一间距可为大约装置间距，且所述第二间距可为数倍大。所述第一对焦点不敏感的图案可经产生以产出第一临界尺寸，且所述第二对焦点敏感的图案可经产生以产出第二临界尺寸，仅在满足指定焦点要求时，所述第二临界尺寸才可等于所述第一临界尺寸，或基于沿所述垂直方向的所述较长间距提供零以及第一衍射级的散射术测量。
-
公开(公告)号：CN107076681B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201580055448.6
申请日：2015-10-13
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01N21/956 , G06T7/00 , G06T7/33 , G03F7/20
Abstract: 本文中呈现用于测量通过连续光刻工艺而形成于衬底上的结构之间的叠对误差的方法及系统。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.024 seconds)
