无线电能传输的耦合线圈磁场动态调整方法及装置

    公开(公告)号:CN106026414B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201610621338.8

    申请日:2016-08-01

    Abstract: 本发明公开了一种无线电能传输的耦合线圈磁场动态调整方法,通过调整发射线圈内的电流,实现发射线圈磁场强度与范围随接收线圈位置进行动态调整;发射线圈内的电流通过调整发生线圈内各支路的电感量来实现,电感的调整采用无源的方式。基于本方法的装置,射线圈包括多个线圈绕组,线圈绕组构成多个电流支路,电流支路上均设有磁芯环,磁芯环套接在所述电流支路所在的线圈绕组上,磁芯环上设有控制电感绕组。本发明采用线圈电流的无源动态控制技术,实现发射线圈磁场的动态调整。不仅实现了耦合线圈位置偏移情况下的互感调整,还克服了现有方案存在的耦合系数低、磁场泄漏范围大、损耗高等缺点。

    打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法

    公开(公告)号:CN106426189A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610550103.4

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 本发明提供一种打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法,对每一批次待打磨的工件,首先通过操作员手动示教方式选取一个标准件,再通过检测装置测定该标准件的位置数据;由控制计算机发送指令,使机器人自动夹取待纠偏工件,通过检测装置测定该待纠偏工件的位置数据;控制计算机对标准件的位置数据和待纠偏工件的位置数据进行纠偏计算,得出待纠偏工件相对于标准件的位移和角度的偏转值,并输送给机器人控制器;机器人控制器根据所述位移和角度的偏转值对待纠偏工件进行坐标调整,控制机械臂以坐标调整后的位置进行打磨抛光作业,完成工件的在线纠偏加工。本发明可实现工件在线自动纠偏功能,大幅提高产品加工质量,减少残次品率。

    一种基于视觉技术的可测重石材矿山叉装车及其测重方法

    公开(公告)号:CN106044663A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610463234.9

    申请日:2016-06-23

    CPC classification number: B66F17/00 B66F9/075 G01B11/00

    Abstract: 本发明提供一种基于视觉技术的可测重石材矿山叉装车及其测重方法,所述石材矿山叉装车包括叉装车本体和测重系统,所述测重系统包括ARM主控器、摄像头、以及两个激光雷达,所述ARM主控器分别与摄像头、以及两个激光雷达相连,所述摄像头安装在叉装车本体的前方中线位置,所述两个激光雷达也安装于叉装车本体的前方,并对称设置在摄像头的两侧,所述摄像头和两个激光雷达位于同一水平线上,所述摄像头的成像面与激光雷达的信号发射点处于同一平面上。本发明利用摄像头和激光雷达作为信息获取手段,可较为准确地测量出待装卸石材荒料的重量,避免由于操作员估计不准而使叉装车超重运作的现象发生,降低事故发生率,提高设备使用寿命。

    一种多频工作的无线电能传输发射端电路

    公开(公告)号:CN104967222A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510278086.9

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种多频工作的无线电能传输发射端电路,包括1个发射线圈和不少于2个的接收线圈,所述发射线圈连接有多个发射电路;所述发射电路包括一个将直流电变为交流电的逆变器,逆变器连接有将交流电进行合成的发射端补偿电路,各逆变器之间发出的交流电的频率各不相同,以适应不同的传输距离。本发明的发射线圈可同时或分时工作于多个频率点;当耦合线圈距离较近时,系统工作于低频近距离模式,以适配接收端工作频率较低的终端;当耦合线圈距离较远时,系统工作在高频中距离模式,以适配接收端工作频率较高的终端;本发明的发射端电路可以同时适配不同工作频率的接收端电路,以减少发射端的数量,避免无线充电发射端的重复浪费。

    一种提高锗薄膜张应变的制备方法

    公开(公告)号:CN104681430A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510081779.9

    申请日:2015-02-15

    Abstract: 本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法,包括如下步骤:步骤一)准备材料;步骤二)退火;步骤三)冷却处理;步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理,就能获得一定量的张应变,对锗薄膜的厚度没有限制,具有工艺简单,容易实现,制备成本低,适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中,与硅基CMOS工艺相兼容。

    打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法

    公开(公告)号:CN106426189B

    公开(公告)日:2019-09-20

    申请号:CN201610550103.4

    申请日:2016-07-13

    Abstract: 本发明提供一种打磨抛光机器人工件夹持的自动纠偏方法,对每一批次待打磨的工件,首先通过操作员手动示教方式选取一个标准件,再通过检测装置测定该标准件的位置数据;由控制计算机发送指令,使机器人自动夹取待纠偏工件,通过检测装置测定该待纠偏工件的位置数据;控制计算机对标准件的位置数据和待纠偏工件的位置数据进行纠偏计算,得出待纠偏工件相对于标准件的位移和角度的偏转值,并输送给机器人控制器;机器人控制器根据所述位移和角度的偏转值对待纠偏工件进行坐标调整,控制机械臂以坐标调整后的位置进行打磨抛光作业,完成工件的在线纠偏加工。本发明可实现工件在线自动纠偏功能,大幅提高产品加工质量,减少残次品率。

    基于NB-IOT的低压电力线路漏电监测系统和方法

    公开(公告)号:CN110174583A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910467745.1

    申请日:2019-05-31

    Abstract: 本发明公开基于NB-IOT的低压电力线路漏电监测系统和方法,系统包括NB-IOT基站、漏电检测模块和中心管理平台;所述漏电检测模块用于对漏电流的检测,漏电检测模块的电路板上集成有NB-IOT通信模块,漏电检测模块为两个以上且两个以上的漏电检测模块具有不同的编号并沿低压电力线路布置在线路分支处和终端位置;所述漏电检测模块通过其NB-IOT通信模块与NB-IOT基站通信连接,所述NB-IOT基站将漏电检测模块发送的漏电流数据转发至中心管理平台,中心管理平台按编号将漏电流数据标记显示在低压电力线路对应的电子线路图上进行集中管理。本发明的漏电监测效果好且定位准确。

    用于无线电能传输系统的磁集成差分E类整流器

    公开(公告)号:CN109787371A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910117036.0

    申请日:2019-02-15

    Abstract: 本发明涉及一种用于无线电能传输系统的磁集成差分E类整流器,包括:谐振环路,谐振环路由接收线圈和对应的谐振补偿电容构成;两个二极管或可控的半导体开关管,每个二极管或半导体开关管各并联有一个并联电容;以及一个磁集成电感,磁集成电感包括两个耦合线圈,耦合线圈的漏感与对应并联电容的充放电构成谐振;谐振环路的两个输出端分别连接至两个二极管或半导体开关管的负极;每个二极管或半导体开关管的负极各连接至一个耦合线圈的一端,两个耦合线圈的另一端连接至同一个滤波电容,并连接至负载。该整流器不仅可以提高整流器的输出功率与效率,而且减小了整流器的体积。

    一种基于E类逆变器的无线电能传输系统

    公开(公告)号:CN108183560A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201810036110.1

    申请日:2018-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于E类逆变器的无线电能传输系统,包括电感Lf、电容Cf、开关Sf构成高频逆变器,驱动线圈L1耦合发射线圈L2,发射线圈L2耦合接收线圈L3,接收线圈L3耦合负载线圈L4,负载线圈L4连接负载RL,驱动线圈L1与发射线圈L2之间设有短路环LS1,接收线圈L3耦合负载线圈L4之间设有短路环LS2,通过开关S1、开关S2通断。本发明中E类逆变器结构简单成本低;双短路环结构改变无线电能传输系统磁耦合结构的谐振频率,从而实现系统工作频率与电压增益的调整;提高了无线电能传输系统的传输距离调整范围;提高较远距离条件下的传输功率与效率。本申请不需要发射线圈与负载线圈环路的冗余设计,具有更低的成本。

    一种提高锗薄膜张应变的制备方法

    公开(公告)号:CN104681430B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510081779.9

    申请日:2015-02-15

    Abstract: 本发明公开了一种提高锗薄膜张应变的制备方法,包括如下步骤:步骤一)准备材料;步骤二)退火;步骤三)冷却处理;步骤四)取出锗薄膜综合材料。本发明对锗材料进行退火和冷却处理,就能获得一定量的张应变,对锗薄膜的厚度没有限制,具有工艺简单,容易实现,制备成本低,适合大批量生产等特点。所述制备方法可以用于锗沟道MOSFET器件和锗光电子器件制备工艺流程中,与硅基CMOS工艺相兼容。

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