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公开(公告)号：CN112640025A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。
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公开(公告)号：CN105993070B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201580008408.6
申请日：2015-02-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02H9/00
Abstract: 本发明提供一种支撑基板的装置以及操作静电夹的方法。支撑基板的装置可包括基座以及邻近于基座并配置来用于支撑基板表面的绝缘部分。所述装置还可包括电极系统，以提供夹持电压给基板，其中配置绝缘部分以藉由具有通道宽度的至少一通道来提供气体给基板，其中气体压力以及通道宽度的乘积小于气体的帕申最小值，其中帕申最小值为气体的崩溃电压为最小值下外壳的表面的间距与压力的乘积。本发明能够避免基板被污染。
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公开(公告)号：CN107533997A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680014843.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67103
Abstract: 本申请揭露一种用于在处理期间增进工件的温度均匀性的设备。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN112234000B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202011109040.1
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN112234000A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011109040.1
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105993070A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201580008408.6
申请日：2015-02-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683 , H02H9/00
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/32715 , H01L21/67109
Abstract: 一种支撑基板的装置，可包括基座以及邻近于基座并配置来用于支撑基板表面的绝缘部分。所述装置还可包括电极系统，以提供夹持电压给基板，其中配置绝缘部分以藉由具有通道宽度的至少一通道来提供气体给基板，其中气体压力以及通道宽度的乘积小于气体的帕申最小值，其中帕申最小值为气体的崩溃电压为最小值下外壳的表面的间距与压力的乘积。
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公开(公告)号：CN103339721B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280007039.5
申请日：2012-02-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 揭示在卸除前更有效从衬底去除累积电荷的静电夹钳。目前，升降销与接地销是植入后用来从衬底去除电荷的唯一机制。本揭示描述一种静电夹钳，其在顶部介电表面中具有嵌入的导电区，例如在密封环中的环形导电区。因此，不论松开期间衬底的方向为何，衬底的至少一部分会接触在工件支撑件的介电层上的导电区。此导电区可通过使用介电层中的导电穿孔而接地。在一些实施例中，这些导电穿孔是用来将气体供应至衬底背面的流体导管。
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公开(公告)号：CN105308735A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480035023.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 一种静电卡盘，包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
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公开(公告)号：CN101688295B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880016940.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C14/50 , H01J37/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01J37/20 , H01J2237/2007 , H01J2237/31701 , H01L21/6833
Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。
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公开(公告)号：CN101971286A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980102279.1
申请日：2009-01-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/0268 , H01J2237/31705
Abstract: 本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。
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