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公开(公告)号：CN108701601B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780012489.6
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。
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公开(公告)号：CN109743877A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201780055647.6
申请日：2017-09-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J4/02 , C09J133/00 , C09J201/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种即便使用于DBG、特别是LDBG，也能够抑制芯片的龟裂的半导体加工用粘着胶带。所述半导体加工用粘着胶带具有：在23℃下的杨氏模量为1000MPa以上的基材；设置于该基材的至少一面侧的缓冲层；以及设置于该基材的另一面侧的粘着剂层，所述缓冲层在23℃下的拉伸储能模量(E23)为100～2000MPa，所述缓冲层在60℃下的拉伸储能模量(E60)为20～1000MPa。
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公开(公告)号：CN104271694B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380025270.1
申请日：2013-05-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: B32B37/12 , B32B27/08 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/26 , B32B2307/54 , B32B2307/546 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/3224 , H01L2224/3226 , H01L2224/8385 , H01L2924/12042 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , H01L2924/00
Abstract: [课题]提供一种在保持了芯片状部件的整齐性（整列性）的情况下能够转印芯片状部件的带粘接性树脂层的片。另外，提供一种使用了该片的半导体装置的制造方法。[解决手段]本发明的带粘接性树脂层的片包含基材和层叠在该基材上的粘接性树脂层，以70℃加热1分钟后的基材的MD方向和CD方向的收缩率为-0.5~0.5%，基材的硬挺度为80mm以上。
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公开(公告)号：CN1321449C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN03820410.X
申请日：2003-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 本发明的半导体晶片的保护结构通过将外径大于半导体晶片(5)的保护片(13)层压在该半导体晶片的电路面上而制得。本发明提供了当晶片研磨至极薄后，在搬运等情况下，能防止在研磨中乃至搬运中出现的晶片破损现象的半导体晶片的保护结构、半导体晶片的保护方法及所用的层压保护片。此外，本发明还提供了在进行粘合薄膜的粘贴、切除时能减少晶片破损的半导体晶片的加工方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108307636B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201680026769.8
申请日：2016-04-11
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 堀米克彦
IPC: C09J7/20 , C09J201/00 , H01L27/14
Abstract: 本发明提供一种表面保护膜(10)，所述表面保护膜(10)粘贴于光学构件或电子构件，用于保护其表面，该表面保护膜(10)具备平面环状的第一膜基材(11)、设置于所述第一膜基材(11)的一面(11A)侧的第一粘合剂层(12)、以及设置于所述第一膜基材(11)的另一面侧且覆盖环状内部中空部的覆盖膜(15)。
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公开(公告)号：CN107615453B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680029390.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。
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公开(公告)号：CN108701601A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012489.6
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。
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公开(公告)号：CN107615453A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029390.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L23/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。
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公开(公告)号：CN100340625C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200480002370.3
申请日：2004-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/02 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T156/1911 , Y10T428/28
Abstract: 本发明目的是提供一种不粘附到其他装置上的压敏胶粘剂片，该片即使应用于包括热处理或产生热量的处理的制造过程。本发明另一个目的是提供用于具有优越高温耐热性的半导体衬底处理用的压敏胶粘剂片，通过提供诸如电路表面保护功能或扩展性能，用作表面保护片，切割片或拾取片。本发明的压敏胶粘剂片的特点是包含通过对第一可固化树脂进行膜的形成并固化获得的底材，通过涂布第二可固化树脂并固化而在底材上形成的顶涂层，以及在上述底材的背面形成的压敏胶粘剂层。
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