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公开(公告)号：CN112625276B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011053038.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其利用保护膜的波长2000～3200nm(其中，不包括2701～2999nm)下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的100℃下的比热S100，并通过Z100＝Xmin/S100计算出的Z100为0.27以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN112625609B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202011201640.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J7/30 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B27/26 , C09J11/04 , C09J133/12 , C09J163/02 , C09J163/00 , C09J11/06 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。
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公开(公告)号：CN112703239B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201980059711.7
申请日：2019-11-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J175/04 , H01L21/301 , C09J7/35
Abstract: 本发明提供一种热固性保护膜形成用膜，其为热固性，并且在80℃以上130℃以下的温度范围的所有温度下，储能模量E’为2MPa以上。
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公开(公告)号：CN111417513B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201980006068.1
申请日：2019-03-08
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B7/022 , B23K26/38 , B23K26/53 , C09J7/10 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112625275A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011052837.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在芯片的背面形成保护膜，其中，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最大值Xmax与保护膜的150℃下的比热S150，并通过式：Z150＝Xmax/S150计算出的Z150为0.38以上，且利用所述Xmax与保护膜的200℃下的比热S200，并通过式：Z200＝Xmax/S200计算出的Z200为0.33以上。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN107615454B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680032214.4
申请日：2016-06-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具有：基材、具有活性能量线固化性的粘合剂层、及具有热固性的保护膜形成用膜，其中，该保护膜形成用复合片用于通过下述方式制造带保护膜的半导体芯片：将该保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用膜而粘贴于半导体晶片的背面之后，使该保护膜形成用膜固化成为保护膜，接着，在对该半导体晶片进行切割而得到半导体芯片之后，使该粘合剂层固化，然后将该半导体芯片连同该保护膜一起进行拾取，由此制造带保护膜的半导体芯片，该粘合剂层至少在与所述保护膜形成用膜接触的层中含有(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物，该共聚物具有由构成烷基酯的烷基的碳原子数为8以上的(甲基)丙烯酸烷基酯衍生的结构单元。
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公开(公告)号：CN111785673A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010572379.9
申请日：2015-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/268 , H01L21/56 , H01L21/78 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J7/25 , C09J7/35 , C09J11/06 , C09J133/10
Abstract: 本发明涉及具备保护膜形成膜(1)、以及叠层于该保护膜形成膜(1)的一面或两面的剥离片(21)的保护膜形成用片(2)，所述保护膜形成膜(1)在波长1064nm的透光率为55％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可以利用激光预先对半导体晶片等工件设置改质层，并通过施加力进行分割，并且不会通过肉眼观察到存在于工件或加工物上的磨痕的保护膜。
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公开(公告)号：CN106660332B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201580044561.4
申请日：2015-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B23K26/53 , C09J7/20 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用片(3)，其具备第一支撑片(4)和叠层在该第一支撑片(4)的第一面侧的保护膜形成膜(1)，其中，该保护膜形成膜(1)由固化性材料形成，该保护膜形成膜(1)具有以下特性：使该保护膜形成膜(1)固化而形成保护膜时，该保护膜在50℃下的断裂形变为20％以下，并且损耗角正切值的峰值温度T1为25℃至60℃。
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公开(公告)号：CN106104760B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201580015032.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/683 , H01L23/31 , H01L21/78 , H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明涉及保护膜形成膜(1)及保护膜形成用片(2)、以及使用这些膜或片的工件或加工物的制造方法及检查方法、以及基于上述检查方法而被判断为良品的工件及加工物，其中，保护膜形成膜(1)含有填料，填料的平均粒径为0.4μm以下。根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用片，在进行基于激光照射的打印加工时可形成打印视觉辨认性优异的保护膜。
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