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公开(公告)号：CN108701601B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780012489.6
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103975421B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280059971.2
申请日：2012-12-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02 , C09J201/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G83/007 , C08K5/01 , C09J7/20 , C09J201/02 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , Y10T428/269 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明提供一种可以作为再剥离型BG片等优选使用的晶片加工用粘合片，其满足如下所述的特性，即，(1)以不会过弱的粘附力在研磨时保护具有凹凸的电路面，(2)加工后的再剥离容易，(3)晶片上的粘附物残渣少。本发明的晶片加工用粘合片，其特征在于，具有基材和形成于该基材上的粘合剂层，该粘合剂层包含粘附性高分子(A)及直链状分子贯穿至少2个环状分子的开口部且在所述直链状分子的两个末端具有封端基而成的聚轮烷(B)，粘附性高分子(A)与聚轮烷(B)的环状分子结合而形成交联结构。
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公开(公告)号：CN108377659B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201780004262.7
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/53 , C09J7/25 , C09J201/00
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面侧的粘合剂层，所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且所述缓冲层侧表面的压入深度(X)为2.5μm以下。
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公开(公告)号：CN108377659A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201780004262.7
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/53 , C09J7/25 , C09J201/00
CPC classification number: B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于基材的一面的缓冲层、以及设置于所述缓冲层的另一面侧的粘合剂层，所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且所述缓冲层侧表面的压入深度(X)为2.5μm以下。
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公开(公告)号：CN108701601A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012489.6
申请日：2017-03-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J133/04
Abstract: 本发明的半导体加工用胶粘带是在下述工序中粘贴于半导体晶片的表面而使用的半导体加工用胶粘带，所述工序为：对于在半导体晶片表面形成了槽或者形成了改性区域的半导体晶片的背面进行磨削，并通过该磨削而将半导体晶片单片化为半导体芯片的工序，该半导体加工用胶粘带具备：基材、设置于所述基材的一面的缓冲层、以及设置于所述基材的另一面的粘合剂层，半导体加工用胶粘带的胶带总厚度为160μm以下，且所述缓冲层的厚度(D2)与基材的厚度(D1)之比(D2/D1)为0.7以下，并且对于半导体晶片的剥离力为1000mN/50mm以下。
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公开(公告)号：CN103975421A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280059971.2
申请日：2012-12-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J7/02 , C09J201/02 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G83/007 , C08K5/01 , C09J7/20 , C09J201/02 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , Y10T428/269 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明提供一种可以作为再剥离型BG片等优选使用的晶片加工用粘合片，其满足如下所述的特性，即，(1)以不会过弱的粘附力在研磨时保护具有凹凸的电路面，(2)加工后的再剥离容易，(3)晶片上的粘附物残渣少。本发明的晶片加工用粘合片，其特征在于，具有基材和形成于该基材上的粘合剂层，该粘合剂层包含粘附性高分子(A)及直链状分子贯穿至少2个环状分子的开口部且在所述直链状分子的两个末端具有封端基而成的聚轮烷(B)，粘附性高分子(A)与聚轮烷(B)的环状分子结合而形成交联结构。
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