公开(公告)号：CN107615453B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201680029390.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  堀米克彦 ,  米山裕之 ,  荒井善男

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。

公开(公告)号：CN107615453A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029390.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  堀米克彦 ,  米山裕之 ,  荒井善男

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。