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公开(公告)号：CN118763126A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
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公开(公告)号：CN118738132A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
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公开(公告)号：CN114220781A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111582705.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/492 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及电路基板及制备方法及绝缘栅双极型晶体管模块。其中，绝缘栅双极型晶体管模块包括电路基板和功率芯片，电路基板与功率芯片之间设置有焊料层，电路基板包括沿远离功率芯片的方向依次层叠设置的第一导热层、第二导热层和第三导热层，功率芯片通过焊料层与第一导热层连接；焊料层与第一导热层之间形成有第一热扩散角，第二导热层与第三导热层之间形成有第二热扩散角；第一热扩散角大于第二热扩散角，第一导热层的厚度大于第三导热层的厚度；或第一热扩散角小于第二热扩散角，第一导热层的厚度小于第三导热层的厚度。本申请的设置提高了绝缘栅双极型晶体管模块的散热效果，降低了各层材料发生松弛甚至裂纹的几率。
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公开(公告)号：CN119907283A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906647.0
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件的终端结构、制造方法和芯片，终端结构包括：N型衬底；设于N型衬底的结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环，结终端扩展区与结渐变掺杂区连接，结渐变掺杂区的深度沿远离结终端扩展区的方向渐变递减，多个场限环设于结渐变掺杂区远离结终端扩展区的一端，且多个场限环相对结渐变掺杂区的距离渐变递增；结终端扩展区、结渐变掺杂区和多个场限环内掺杂有P型离子；设于N型衬底的沟槽，沟槽设于距离结渐变掺杂区最远的场限环远离结渐变掺杂区的一侧。通过包括结终端扩展区、结渐变掺杂区、多个场限环、沟槽和多晶硅场板的复合终端结构，可以有效降低芯片最大电场强度，提升器件耐压性能。
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公开(公告)号：CN119815877A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411729149.3
申请日：2024-11-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括依次层叠的漏极金属层、衬底、外延层、栅极氧化层、栅极层、介质层和源极金属层；外延层的上表面包括间隔设置的离子注入区以及设置于相邻两个离子注入区之间的倒梯形沟槽；栅极氧化层的下部氧化层层叠于倒梯形沟槽的上表面且上表面与离子注入区的上表面平齐；栅极氧化层的上部氧化层层叠于下部氧化层的上表面且两端分别延伸并覆盖离子注入区上表面的第一区域；栅极层的宽度与上部氧化层的宽度相同；介质层层叠于栅极层的上表面和离子注入区上表面的第二区域。本申请实施例降低了金属氧化物半导体场效应管的开关损耗，并提高了其可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738132B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411230166.2
申请日：2024-09-04
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体场效应晶体管、制作方法、设备、介质，半导体场效应晶体管包括依次连接的漏极、衬底、外延层；设置在外延层上方的电流扩展层，电流扩展层设置有沟槽；栅极，栅极部分延伸至电流扩展层；源极，源极包括第一延伸部和第二延伸部，第一延伸部位于电流扩展层上方，第二延伸部延伸至电流扩展层的沟槽内，第二延伸部与电流扩展层形成肖特基连接；埋层，埋层设置于电流扩展层中并贯穿电流扩展层与源极和外延层连接，埋层与栅极连接；掺杂区，掺杂区设置在电流扩展层上，掺杂区分别与第一注入区、第二注入区、栅极连接；第一注入区，设置于源极和掺杂区之间；第二注入区，设置于源极和掺杂区之间，且第二注入区与栅极连接。
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公开(公告)号：CN118763126B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411238021.7
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L21/329
Abstract: 本发明实施例提供了一种二极管、二极管制作方法、装置、设备、介质和电器，该二极管包括：依次连接的阴极、衬底和外延层；外延层设有沟槽；设置在外延层中的第一埋层和第二埋层；第一埋层与第二埋层相隔预设距离对应设置；掺杂区，掺杂区设置于外延层上；阳极，阳极设置于掺杂区上；阳极设有延伸部；阳极的延伸部穿过掺杂区延伸至外延层的沟槽内，与外延层形成肖特基接触；阳极的延伸部对应于第一埋层和第二埋层之间。从而通过第一埋层与第二埋层的位置设置，调整了电流路径，减少导通压降和反向恢复时间，而且可通过埋层的位置调整改变击穿电压，将埋层上移，可一定程度上增加了击穿电压，相对于现有技术有效的减少了静态损耗和动态损耗。
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公开(公告)号：CN116230752A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310116479.4
申请日：2023-02-13
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本申请涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该逆导型绝缘栅双极晶体管包括：第一导电类型掺杂的漂移区、第二导电类型掺杂的基区、从漂移区的表面延伸入漂移区且平行排列的多个沟槽，沟槽贯穿基区且底部与漂移区接触，沟槽内设置有绝缘介质层和由绝缘介质层包围的导电材料；基区包括交错分布的有源区和虚拟元胞区；由有源区对应的发射区、接触区及其毗连的基区、漂移区和集电区组成IGBT单元；虚拟元胞区对应的基区及其毗连的接触区、漂移区和阴极区组成反向恢复晶体管单元；其中，位于虚拟元胞区内的沟槽的绝缘介质层设置有凹槽。本申请在不显著增加工艺和成本的基础上，优化RC IGBT的反向恢复性能，降低二极管的关断损耗。
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公开(公告)号：CN115954375A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211676804.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请实施例提供了一种沟槽场效应晶体管及其制备方法，包括：第一导电类型的第一半导体层；第一导电类型的第一半导体层的上表面有沟槽；嵌入沟槽底部的第二导电类型的第二半导体层，以及，在沟槽的左右两外侧的第一导电类型的第一半导体层之上的两个第二导电类型的第四半导体层；分别嵌入两个第二导电类型的第二半导体层的上表面的两个第一导电类型的第三半导体层，以及，分别嵌入两个第二导电类型的第四半导体层的上表面的两个第一导电类型的第五半导体层；分别位于沟槽的左右两内侧的两个栅极。本申请实施例在沟槽底部增加半导体层，并去掉沟槽底部的部分栅极，可以降低结构电容栅极处的电场强度，增加通流，以此提高晶体管的可靠性和性能。
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公开(公告)号：CN111180338A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010103077.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供了一种沟槽型IGBT及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供具有发射区的基体，形成贯穿基体的第一表面和发射区的沟槽；S2，形成覆盖沟槽和第一表面的第一栅氧层，并形成覆盖第一栅氧层的栅极层，栅极层中的部分填充于沟槽中；S3，在沟槽之间的基体中形成贯穿栅极层和第一栅氧层并延伸至发射区内的接触孔，在接触孔的部分表面形成第二栅氧层，并在接触孔中形成发射极，第二栅氧层隔离发射极和栅极层。该制备方法通过上述第二栅氧层隔离发射极和栅极层，有效避免了栅极和发射极短接而导致的IGBT失效。并且，上述制备方法中还能够进一步通过增大接触孔与发射区的接触面积，使得接触孔与发射区之间的过电流能力增强。
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