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公开(公告)号：CN119905480A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411906660.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板结构、智能功率模块、控制器、电器及基板制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括陶瓷覆铜基板和多个衔接柱体，陶瓷覆铜基板上设置有至少两个上芯区域。衔接柱体固定连接于陶瓷覆铜基板上，且多个衔接柱体对每个上芯区域形成围绕，衔接柱体与键合线的中间区域形成电性连接。从而可以通过衔接柱体，来作为键合线的中间衔接点，在新增芯片的情况下，键合线能够在电性连接过程中，弯折形成多段线段来减少键合线之间的交叉接触，且避免键合线由于线弧过长导致塌线与其他键合线发生接触的问题，提高了智能功率模块的基板结构的结构兼容性，降低了智能功率模块在产品迭代时的生产成本和缩短了研发周期。
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公开(公告)号：CN119891690A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411893451.2
申请日：2024-12-20
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02M1/00 , H01L23/52 , H01L23/495 , H01L21/60 , H02M1/42 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M5/458
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块、智能功率模块的制作方法和芯片，该智能功率模块，包括：基板，以及集成在基板上的逆变功率芯片、功率因数校正功率集成电路、多个驱动芯片和引线框架；引线框架包括多个独立管脚；逆变功率芯片，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚和多个驱动芯片连接；多个驱动芯片，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚连接；功率因数校正功率集成电路，分别与多个独立管脚中对应的独立管脚连接。提高了智能功率模块的集成度，只需要少量的外围电子元器件完成配合工作，同时也缩短了电路的长度，减少了系统的杂散电感，起到了降本增效的作用，极大的提高了市场竞争力。
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公开(公告)号：CN117936397A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311832238.6
申请日：2023-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种芯片连结的工艺方法和一种芯片模组，该工艺方法包括在DBC衬底的芯片焊接层的第一区域上逐层生长能够进行瞬态液相烧结的第一金属层和第二金属层；第一金属层为高熔点金属，第二金属层为低熔点金属，第一金属层的层数比第二金属层的层数多一；在DBC衬底的芯片焊接层的第二区域上印刷纳米金属焊膏，纳米金属焊膏的印刷厚度与第一区域的金属层总厚度相同；第二区域位于第一区域的外围；将芯片覆盖于连接层上，得到待烧结的组件；采用低于第二金属的熔点的预烧结温度对待烧结的组件进行预烧结，在高于第二金属层的熔点的烧结温度下对预烧结后的待烧结的组件进行烧结，从而实现芯片与衬底的连接。
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公开(公告)号：CN115295518A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210819321.9
申请日：2022-07-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/49 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点。基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险。
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公开(公告)号：CN109160088A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810966667.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 长沙格力暖通制冷设备有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: B65D81/113 , B65D85/68
Abstract: 本发明提供的一种家用电器的底盘包装装置，包括：承载座和加固装置；所述承载座包括本体，所述本体在家用电器底盘的基脚对应位置处设置有至少一个基脚部，且至少一个所述基脚部中，包括与所述家用电器承重侧对应的承重基脚部；所述加固装置设于所述承重基脚部上，并用于与对应的所述基脚接触；所述加固装置的刚度大于所述基脚部的刚度。通过在承载座上对应家用电器承重侧的承重基脚部上设置加固装置，同时加固装置的刚度大于基脚部的刚度，当承载座受到挤压的时候，因为有加固装置的存在使得承载座整体的抗挤压能力增强，不易发生变形；特别是当发生跌落时，底盘所受的挤压外力就会小于未装加固装置时的外力，跌落导致底盘变形的程度就会减小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119766060A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411933138.7
申请日：2024-12-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块和芯片，包括驱动电路、功率因数校正电路和逆变电路；驱动电路与功率因数校正电路和逆变电路连接，用于控制功率因数校正电路和逆变电路的工作状态；功率因数校正电路与逆变电路连接，包括多个金属氧化物半导体场效应晶体管，功率因数校正电路用于在多个金属氧化物半导体场效应晶体管分别处于不同的工作状态下，对接收的第一交流电压整流后，向逆变电路传输直流电压；逆变电路用于接收直流电压，将直流电压转换为第二交流电压，以传输至负载。通过将功率因数校正电路集成在智能功率模块内，避免了功率因数校正电路位于前端电源部分导致电源部分电路占据PCB板的面积过大，而导致整个系统的成本显著攀升。
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公开(公告)号：CN119361587A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411335109.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、电器及智能功率模块的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明包括芯片组、第一覆铜陶瓷基板以及第一烧结层，其中，所述芯片组包括至少一个功率芯片，所述第一覆铜陶瓷基板对应于所述功率芯片的电极区域设置有铜柱，所述第一烧结层设置于所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板上，且所述铜柱内嵌于所述第一烧结层中，所述功率芯片与所述第一覆铜陶瓷基板，通过所述第一烧结层形成电性连接。由此，消除了功率芯片与第一覆铜陶瓷基板之间的键合线，避免键合线由于热应力或外部振动导致断裂或脱键引起的电性连接失效问题，并大大提高了所述智能功率模块的电气稳定性。
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公开(公告)号：CN119341377A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411335129.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H02M5/458 , H02M1/42 , H02M7/5387 , H02P27/08
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块及负载驱动电路，所述智能功率模块包括整流电路、逆变电路和驱动电路，所述整流电路与连接电感和电容的交流电源连接，其中：所述整流电路，将所述交流电源提供的交流电转换为直流电，并将所述直流电提供给所述逆变电路和所述驱动电路；所述驱动电路，用于接收逻辑控制信号并根据所述逻辑控制信号控制所述逆变电路的功率芯片的开启和关闭；所述逆变电路，用于基于所述逻辑控制信号将所述直流电转换为可控交流电，以通过所述可控交流电控制负载工作。本发明实施例的智能功率模块不仅集成了驱动电路和逆变电路，还集成了能够将交流电转换为直流电的整流电路，智能功率模块的集成度高。
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公开(公告)号：CN114256661B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202111566376.5
申请日：2021-12-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 王令
Abstract: 本公开涉及一种PIN针、连接器及其生产工艺，该PIN针包括：插拔件和连接件，连接件可拆卸连接于插拔件的一端；连接件和插拔件同轴设置，且连接件和插拔件的材料部分或者全部不同。本公开技术方案有效解决了传统连接器生产效率低的技术问题，有效降低了连接器的生产成本、提高了单位时间内连接器的产量。
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公开(公告)号：CN117894784A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311799919.7
申请日：2023-12-25
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 王令
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种功率器件以及印刷电路板。该功率器件中，芯片的一面包括第一电性接点和第二电性接点，第一电性接点和第二电性接点相间隔布置，第一电性接点与第一框架连接，第二电性接点与传导件连接；芯片的相对另一面与第二框架连接；绝缘体连接于第一框架、第二框架和传导件之间，以绝缘第一框架、第二框架和传导件；第一框架、第二框架、传导件均用作芯片的外接口，且第一框架和第二框架用于热量传导。芯片的相对两面、以及功率器件的相对两面能够通过第一框架和第二框架进行散热，具有散热效率高的优点，功率器件工作时的温度较低，功率器件具有低损耗，以及具有高可靠性的优点。
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