公开(公告)号：CN108649067B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201810437234.0

申请日：2018-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  郭得峰 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  蒋巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在SOI结构两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延双轴应变Si1‑xGex基区和Si帽层；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延Si1‑yGey层；在器件表面淀积氮化物和氧化层，在氧化层上淀积多晶硅作为发射极；刻蚀氮化物，进而选择性外延多晶SiGe作为非本征基区；分别刻蚀发射极、非本征基区和集电区以形成发射极、基极和集电极接触。本发明能够提高器件的高频特性，由于采用了SOI结构，提高了集电结的击穿电压，进而提高器件的功率特性，可实现混合高压高速器件的集成。

公开(公告)号：CN117709266B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311714983.0

申请日：2023-12-13

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  杨荣 ,  尚建蕊 ,  陈帅 ,  徐超 ,  孙继浩 ,  贾仁需

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg，其中，栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联，与栅源等效电路单元并联，形成第一支路；漏源等效电路单元并联到第一支路上，形成第二支路；寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端，寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有参数少、提取参数简单的优点。

公开(公告)号：CN112874456B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202110036153.1

申请日：2021-01-12

Applicant: 燕山大学

Inventor： 徐超 ,  刘元慧 ,  周春宇 ,  耿欣 ,  蒋巍 ,  马明 ,  董希言

IPC: B60R16/037

Abstract: 本发明提供一种智能汽车调节方法，其包括以下步骤：S1、采集人体特征信息，并进行信息比对，实现解锁和启动功能：对采集的指纹进行比对，如果识别通过，则实现解锁；S2、对指纹按压时的实时压力进行采集，当实时压力超过预先设置的压力阈值时，汽车在指纹解锁的基础上一键启动；S3、在指纹识别通过及汽车一键启动的基础上对车内设施进行初步调节；S4、采用机器学习方法，通过不断学习和比对，实现车辆的智能调节；S5、根据机器学习组件的结果，实现车内设施的进一步调节。其能够通过实时学习，基于驾驶员的习惯，建立特征模型，不断学习更正，达到最好的驾驶效果并根据天气对驾驶参数进行智能调节，保障驾驶员的驾驶安全。

公开(公告)号：CN108649067A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810437234.0

申请日：2018-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  郭得峰 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  姜巍 ,  谭金波

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹SOI复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在SOI结构两端形成STI隔离区结构；在衬底表面淀积绝缘介质用以定义有源区位置；在有源区依次外延双轴应变Si1-xGex基区和Si帽层；利用自对准工艺在所述有源区进行刻蚀，并选择性外延Si1-yGey层；在器件表面淀积氮化物和氧化层，在氧化层上淀积多晶硅作为发射极；刻蚀氮化物，进而选择性外延多晶SiGe作为非本征基区；分别刻蚀发射极、非本征基区和集电区以形成发射极、基极和集电极接触。本发明能够提高器件的高频特性，由于采用了SOI结构，提高了集电结的击穿电压，进而提高器件的功率特性，可实现混合高压高速器件的集成。

公开(公告)号：CN108630748A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810437561.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 燕山大学

Inventor： 周春宇 ,  杜会静 ,  王冠宇 ,  徐超 ,  孙继浩

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 一种全平面太赫兹复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管及制备方法，在N-Si衬底两端形成STI隔离区；掺杂As形成N+亚集电区；在衬底表面淀积绝缘介质；外延一层本征单晶硅层作为集电区；非选择性外延Si缓冲层、掺C的Si1-xGex层、Si帽层；在Si帽层上面依次淀积氧化层-氮化层-氧化层；选择性注入集电极；生长发射极内侧墙；淀积多晶硅发射极；生长发射极外侧墙；在非选择性外延层结构的两端采用嵌入式SiGe技术选择性外延Si1-yGey层；采用发射极作掩膜淀积抬升的多晶硅非本征基区；刻蚀以定义基极和发射极的位置；淀积硅化物形成发射极、基极和集电极接触。本发明提高载流子的迁移率，提高器件工作速和集电区击穿电压，降低有源区的沟道宽度，缩小器件横向尺寸，抑制电流集边效应。