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公开(公告)号：CN109824008B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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公开(公告)号：CN109932064B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201910232823.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器的制备方法，包括以下步骤：A)将红外焦平面阵列探测器的窗口依次采用丙酮和工作液进行清洗；B)将清洗后的红外焦平面阵列探测器的窗口在真空条件下，通入氩气，进行射频等离子清洗；C)再通入碳源气体，采用射频等离子增强化学气相沉积方法在红外焦平面阵列探测器的窗口的表面沉积DLC保护膜，得到具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器；所述步骤C)的射频功率为100～2500W，所述步骤C)的真空度为3×10‑3～3×10‑5Pa。本发明还提供了一种具有DLC保护膜的红外焦平面阵列探测器。
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公开(公告)号：CN110797315A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911076433.4
申请日：2019-11-06
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了晶圆级封装分割方法，包括获得由窗口层晶圆和器件层晶圆键合成的预处理晶圆，窗口层晶圆具有多个间隔排列的功能型凹槽和第一分割凹槽，器件层晶圆具有多个第二分割凹槽、读出电路和多个微桥结构；研磨窗口层晶圆，直至窗口层晶圆的厚度等于或小于第一分割凹槽的深度；通过读出电路进行晶圆级测试，获得经研磨的预处理晶圆的性能；将预设填充物填充至晶圆级测试后的预处理晶圆的第一分割凹槽和第二分割凹槽，得到填充后预处理晶圆；研磨填充后预处理晶圆的器件层晶圆，直至器件层晶圆的厚度等于或小于第二分割凹槽的深度，得到待分割晶圆；去除预设填充物，得到单个的晶圆级封装器件，提高晶圆级封装器件的良率和生产效率，降低成本。
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公开(公告)号：CN106784165A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710062648.5
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L31/18 , B81B3/0018 , B81C1/00142 , G01J5/20 , G01J5/24 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种新型双层非制冷红外焦平面探测器像素结构及其制备方法，在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层，在金属反射层上沉积绝缘介质层；在绝缘介质层上依次沉积第一牺牲层、第一支撑层、热敏层和第一保护层，光刻第一支撑层和第一保护层直至接触第一牺牲层，第一保护层上沉积第二牺牲层，并对第一牺牲层和第二牺牲层进行图形化处理，图形化处理后的第一牺牲层和第二牺牲层上形成锚点孔，所述锚点孔为直孔，沉积第二支撑层；在第二支撑层蚀刻通孔；在第二支撑层和第一保护层蚀刻接触孔；接触孔内和第二支撑层上沉积金属电极层和金属坞，在金属电极图形上沉积第二保护层，利用光刻图形化第二保护层和第二支撑层，最后，进行结构释放。
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公开(公告)号：CN119390007A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411558798.1
申请日：2024-11-04
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 烟台齐新半导体技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外像元级封装结构及其制备方法，该制备方法包括：在读出电路晶圆上依次制备形成图案化的第一牺牲层、填充于第一牺牲层的第一通孔内的桥墩、设置在第一牺牲层的上表面的微桥结构；在第一牺牲层上依次制备形成图案化的第二牺牲层、支撑柱和封装盖；在封装盖上对应相邻两个支撑柱之间的区域加工形成贯穿封装盖的释放通孔；通过释放通孔去除第一牺牲层和第二牺牲层；通过释放通孔制备形成对释放通孔进行填充密封的吸气剂结构。本申请中的技术方案避免了吸气剂结构中毒的问题，保证吸气剂结构的吸气性能，进而提升非制冷红外像元级封装结构的工作性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119342929A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411515094.6
申请日：2024-10-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 烟台齐新半导体技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级真空封装传感芯片及其制备方法，该制备方法包括：在封盖晶圆上刻蚀至少两个盲孔结构；在封盖晶圆上形成第一铜墙和第二铜墙以及填充在盲孔结构内的铜墙延伸部；在第二铜墙上制备形成焊料层；在第一铜墙上制备吸气剂层；对封盖晶圆背离盲孔结构的一侧的进行减薄至盲孔结构变为通孔结构，使得铜墙延伸部位于盲孔结构的孔底的端部露出形成用于激活吸气剂层的激励电极；通过焊料层将封盖晶圆和传感器晶圆进行晶圆键合，获得晶圆级真空封装传感芯片。本申请中可以通过对该铜墙延伸部施加激励电压实现吸气剂层的电激活，从而降低吸气剂层的激活难度，同时避免吸气剂层热激活对芯片工作性能的影响。
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公开(公告)号：CN110534446B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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公开(公告)号：CN110534446A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910849806.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆级封装测试的方法，会先在窗口晶圆朝向芯片一侧表面设置划片道，并在将窗口晶圆与芯片晶圆键合之前，会在窗口晶圆划片道的底面设置第一保护层。在划片时，会从窗口晶圆背向芯片晶圆一侧表面沿划片道进行划片，以至暴露第一保护层，此时在划片时，由于第一保护层的存在，可以防止划片时产生的废渣飞溅至芯片晶圆对芯片晶圆表面结构造成破坏；之后再去除保护层，即可暴露性能测试区，并通过该性能测试区对芯片晶圆中的芯片进行测试。
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公开(公告)号：CN110092344A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910405920.4
申请日：2019-05-16
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS释放架，包括释放托盘及释放盖板；所述释放托盘包括安置区域，所述安置区域用于放置待释放MEMS组件；所述释放盖板的表面均匀分布有多个通孔；所述释放盖板通过支撑件设置在所述释放托盘上方，与所述释放托盘形成腔体，且所述腔体具有等离子体扩散通道。本申请在现有技术中的释放托盘上增设带孔的释放盖板，避免了等离子体直接冲击所述待释放MEMS组件，保护了晶圆的完整性；同时，所述释放盖板上均匀分布通孔，使所述等离子体尽可能均匀地与所述待释放MEMS组件接触，最终提高了成品的良率，此外，本申请改动小，成本低，易于大规模使用。本申请还提供了一种具有上述有益效果的释放机台及MEMS组件释放的方法。
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公开(公告)号：CN109824008A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910126342.0
申请日：2019-02-20
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
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