公开(公告)号：CN108470735A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810317160.7

申请日：2018-04-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  魏佳男 ,  潘霄宇 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  罗尹虹 ,  丁李利 ,  王坦 ,  张阳 ,  秦丽 ,  李波

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。

公开(公告)号：CN108037434B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201711289526.6

申请日：2017-12-07

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  王浩杰 ,  张凤祁 ,  丁李利 ,  罗尹虹 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  邢克飞 ,  潘霄宇 ,  张阳 ,  秦丽 ,  琚安安 ,  王伟

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置，属于辐射效应及加固技术领域。解决无法准确定位半导体器件的单粒子敏感区域以及不同剂量下半导体器件安全工作区域与单粒子敏感性的变化趋势问题。包括：将开盖VDMOS器件设置在镜头视场内，进行第一次栅应力测试，确定第一栅极电流；进行第一次转移特性测试；通过激光微束扫描当漏极电压降低时，或确定第一栅极电流发生突变，或第一漏极电流发生突变，将当前扫描区域确定为单粒子效应敏感区域；进行第二次栅应力测试，将第二次栅应力测试的结果与第一次栅应力测试结果进行对比；并将进行第二次转移特性测试的测试结果与第一次转移特性测试的测试结果进行对比，确定单粒子效应类型。

公开(公告)号：CN108305650A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810255158.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  秦丽 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  罗尹虹 ,  钟向丽 ,  郭维新 ,  李波 ,  张阳 ,  琚安安 ,  魏佳男

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM工作状态的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：向FeRAM在设定电压下写入第一数据，将从所述FeRAM内回读的第二数据与所述第一数据进行匹配，将匹配合格的第一FeRAM在设定电压下写入第三数据，并将所述第一FeRAM通过辐射板放置在腔体内；在设定的工作方式下及设定的辐射剂量率下，对第一FeRAM辐照至设定的辐射剂量点，将完成辐射的所述第一FeRAM内回读第四数据，统计静态功耗电流、动态功耗电流与所述辐射剂量的关系，直至匹配不合格时结束试验，根据所述静态功耗电流，所述动态功耗电流和所述辐射剂量的关系确定所述FeRAM的工作状态。

公开(公告)号：CN107832556A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711221596.8

申请日：2017-11-24

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  张阳 ,  张凤祁 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  琚安安 ,  秦丽

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5009

Abstract: 本发明提供了一种单粒子翻转评估方法及装置，涉及半导体器件抗辐射加固领域。用于解决现有技术中无法对单粒子翻转效应进行模拟和分析的问题。所述方法包括：建立静态随机存储器的几何模型；所述几何模型包括两层，其中敏感区域为第二层，位于第一层的下方；根据入射粒子的预设参数，通过蒙特卡洛方法对所述几何模型的敏感区域进行辐照，得到沉积能量；其中，所述入射粒子的预设参数包括所述入射粒子的个数和所述入射粒子的能量；若所述沉积能量达到预设临界能量，则确定所述入射粒子引起一次单粒子翻转。