公开(公告)号：CN102664190A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210153063.1

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN102651384A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210153410.0

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  李高庆 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN101872784B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010191020.3

申请日：2010-06-03

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  吴正立 ,  许平 ,  崔杰 ,  蒋志 ,  朱从益 ,  赵悦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种三面硅化栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，包括具有三面硅化栅极金属硅化物结构的低栅极电阻金属氧化物半导体场效应晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的制备，利用多晶硅栅极刻蚀后保留的栅介质层的掩蔽作用，在多晶硅栅极的上表面和与多晶硅栅极相向的源端侧面及漏端侧面形成三面硅化栅极金属硅化物的结构，在重掺杂源区表面形成源区金属硅化物和在重掺杂漏区表面形成漏区金属硅化物；能够在栅极的多个表面生成硅化物，相当于增加了栅极电流的有效截面，为器件特征尺寸的持续缩小提供基础，因此能够在不牺牲器件击穿电压的前提下获得更低的栅极电阻和更好的器件性能。

公开(公告)号：CN101359682B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810222241.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  徐阳 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。

公开(公告)号：CN101552200A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200810241108.4

申请日：2008-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  张伟 ,  严利人 ,  王玉东 ,  许平 ,  蒋志 ,  钱佩信

IPC: H01L21/331

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。

公开(公告)号：CN104716913B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201510160857.4

申请日：2015-04-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 彭亚涛 ,  付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  崔文普

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明公开种负载调制功率放大器,主要针对现有技术中功率放大器实现最佳性能的条件较苛刻的问题。该负载调制功率放大器包括依次串联连接的功率分配电路、功放电路、负载预匹配电路和负载电阻R;其中所述负载预匹配电路用于将R转换成调制阻抗,在低功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为Z,在高功率输入时负载调制效应将调制阻抗转换为2Z,其中ZR+jX。本发明通过负载预匹配电路在负载调制阻抗中引入了虚部X,使得在计算使功率放大器达到最佳性能的条件时加入了含有R以及X的自由变量,从而弱化了负载调制功率放大器实现最佳性能的条件。

公开(公告)号：CN102651390B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201210153148.X

申请日：2012-05-16

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  刘志弘 ,  张伟 ,  吴正立 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区，基区上的发射极，以及发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在所述集电区内。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。

公开(公告)号：CN103022110B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201210559190.1

申请日：2012-12-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法，为解决现有产品及方法不能有效减小基极电阻RB的缺点而发明。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管包括衬底、埋层集电区、轻掺杂外延层、集电极引出区、场区介质层、选择注入集电区、本征基区外延层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂多晶发射区、重掺杂单晶发射区、抬升外基区、以及氧化硅隔离介质层。抬升外基区包括抬升外基区低电阻金属硅化物层、Si/SiGe/Si多晶层和重掺杂多晶硅层。本发明金属硅化物抬升外基区全自对准双极晶体管及其制备方法在保持现有技术所具有的优点的同时进一步地减小了RB，优化了器件性能。

公开(公告)号：CN103000676B

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201210535471.3

申请日：2012-12-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 王玉东 ,  付军 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  吴正立 ,  李高庆

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种侧向双极晶体管及其制备方法，为解决现有器件中收集区面积过大的缺陷而设计。本发明侧向双极晶体管包括发射区、本征基区、收集区、发射极介质层、外基区、基区介质层和衬底介质层。衬底介质层环绕发射区并延伸进入发射区。本征基区位于基区介质层的下方，且位于衬底介质层的上方。收集区位于衬底介质层的上方。本发明侧向双极晶体管的制备方法实现了本发明侧向双极晶体管。本发明侧向双极晶体管有效地减小了收集区的面积，降低了器件的收集区寄生电容，有助于减少辐照对于器件的影响。本发明侧向双极晶体管的制备方法工艺步骤简明，对设备等技术条件要求低，适于大规模的产线生产。

公开(公告)号：CN103035687A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201310001441.9

申请日：2013-01-04

Applicant: 清华大学

Inventor： 付军 ,  王玉东 ,  崔杰 ,  赵悦 ,  张伟 ,  刘志弘 ,  许平

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开一种外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管，为解决现有产品在外基区与集电区间有寄生电容耦合的问题而发明。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管包括硅外延层、局部氧化区、选择注入集电区、屏蔽结构、Si/SiGe/Si单晶外基区、本征基区Si/SiGe/Si外延层、多晶硅发射区、单晶发射区、Si/SiGe/Si多晶外基区、发射极金属电极以及基极金属电极。屏蔽结构包括屏蔽层和氧化硅层。本发明外基区下具有低电阻屏蔽层的双极晶体管及其制备方法采用低电阻屏蔽层有效地屏蔽了外基区与集电区间的寄生电容耦合，在保持现有技术优点的基础上进一步减小基极-集电极电容CBC，从而进一步提高器件性能。