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公开(公告)号:CN111653618B
公开(公告)日:2023-08-15
申请号:CN202010378923.6
申请日:2020-05-07
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及内置PN结硅基高压增强型氮化镓晶体管及其制造工艺。通过内置PN结结构调节电场分布的方式,可以提高EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管器件的击穿电压。内置PN结用于改善栅极和漏极之间的器件内部电场分布,从而实现更高的击穿电压。结构参数优化的EJ‑高电子迁移率晶体管晶体管,当栅漏距离为15μm时可达到2050V的击穿电压性能,这归因于栅极和漏极之间器件内部电场分布的改善。优化的该类EJ‑高电子迁移率晶体管结构晶体管,导通电阻为15.37Ωmm,功率半导体器件基础品质因数为2.734GWcm‑2。与没有内置PN结的晶体管相比,新器件EJ‑高电子迁移率晶体管将击穿电压提高了32.54%,功率半导体器件基础品质因数提高了71.3%,而两者的导通电阻相差不大。
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公开(公告)号:CN113721444A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202111042505.0
申请日:2021-09-06
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公开了一种积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟装置和方法,涉及冷原子频标技术领域,本发明装置由内向外包括中心部分,中心部分为冷原子物理部分,外部为所需的光电部分和微波部分,其中冷原子物理由内到外包括冷原子团、光晶格、微波腔、真空系统和平凸光学谐振腔;所需的光电部分包括冷却光、再抽运光和抽运光、囚禁光、腔频探测光、滤光片、腔频探测器;本发明方法首次原创性地提出积分球量子自旋压缩态冷原子微波钟的实现方案,交叉融合了自旋压缩态技术、积分球冷原子钟技术和光晶格囚禁技术,突破传统方案中标准量子噪声极限对频率稳定度限制的技术瓶颈和解决传统方案相干时间短的问题,显著提高积分球冷原子钟的频率稳定度。
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公开(公告)号:CN111707870A
公开(公告)日:2020-09-25
申请号:CN202010585876.2
申请日:2020-06-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法,在直流和脉冲测试条件下,通过提出的方法,可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化,从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应,热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征,这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。
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公开(公告)号:CN111413859A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010343402.7
申请日:2020-04-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明涉及基于脉冲调制宽谱梳齿型激光的碘分子光钟及控制方法。该碘分子光钟的电源控制系统生成脉冲调制信号传至激光系统生成脉冲信号,经隔离器对后方光路的光反馈隔离,隔离器之后依次连接第一半波片和第一偏振分光棱镜;激光稳频光路为依次连接的第二半波片和第二偏振分光棱镜;第二偏振分光棱镜之后分两束:光强较强一束作为泵浦激光依次经格兰泰勒棱镜、第三半波片和电光相位调制器,被第三偏振分光棱镜反射至光路倍增系统;光强较弱一束作为探测激光光路倍增系统和第三偏振分光棱镜,被高速光电探测器接收后输入至激光鉴相及高速伺服反馈控制电路,产生电源控制系统的伺服信号。
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公开(公告)号:CN110224284A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201910508134.7
申请日:2019-06-12
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S3/02 , H01S3/0915 , H01S3/06 , H01S3/081
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性抗震小型YAG激光器,包括外壳、上盖和激光腔,激光腔为圆柱体,位于外壳内;激光腔包括筒体、激光晶体棒、氙灯、棒套、棒托、腔镜、外镜架和出线孔;激光晶体棒位于激光腔筒体的中心线上;从激光腔筒体中心点往筒体两端端口,依次设有棒托、腔镜、外镜架;所述氙灯与位于外壳内隔层另一侧的触发电路连接,触发电路与电源电连接。激光腔在设计时考虑到小巧便携带来的高加速度震动和撞击的稳定性,直接让激光腔的外形力学整体、内反射腔等一些固定特征做成整体,免除了传统的外腔式、腔壳分离以及内反射采用玻璃基底镜面反射腔的易碎易二次损伤的缺点。通过减小体积,激光器的可靠性、系统的稳定度和耐候性都大大增加。
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公开(公告)号:CN117038702A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310888993.X
申请日:2023-07-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了集成电路领域的一种提高驱动电流的环状二维MoS2晶体管器件,包括SiO2纳米核、MoS2沟道、源区、漏区、高KHfO2介质层、漏接触电极、栅电极和源接触电极,源接触电极、栅电机和漏接触电极依次排布设置,且SiO2纳米核置于源接触电极、栅电机和漏接触电极中心部位,源区位于源接触电极与SiO2纳米核之间。本发明提出的环状二维MoS2晶体管器件结构结合了二维半导体材料高的载流子迁移率及环栅晶体管器件优异的栅控能力,同时利用环形结构提高沟道有效宽度Weff,从而在不牺牲器件所占面积的情况下达到提高驱动电流的目的,本发明对于继续缩小晶体管器件的尺寸,延续摩尔定律的生命具有重要的意义。
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公开(公告)号:CN114383739A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202210058065.6
申请日:2022-01-19
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种高精度激光测量装置及方法,包括工作台,所述工作台顶部中心安装有原子气室,且工作台中心两侧安装有磁场系统,工作台顶部一侧固定连接有温控系统,且工作台顶部中心两侧对称安装有第一固定杆和第二固定杆,本发明引入原子气室作为法拉第原子滤光器来进行激光测量,通过调节的磁场的大小,改变原子在磁场的能级分裂值,从而改变原子跃迁频率,继而改变滤光器的滤过频率,即通过滤光器的频率可调,在知道特定条件下的滤光器的滤过频率的情况下,通过该滤光器的激光频率同样对比得出,有利于测量不同频率的激光,同时该种设备方法的测量精度高,波长精度可达0.001nm,并且本发明的设备简单,制造成本低。
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公开(公告)号:CN111413859B
公开(公告)日:2021-07-02
申请号:CN202010343402.7
申请日:2020-04-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明涉及基于脉冲调制宽谱梳齿型激光的碘分子光钟及控制方法。该碘分子光钟的电源控制系统生成脉冲调制信号传至激光系统生成脉冲信号,经隔离器对后方光路的光反馈隔离,隔离器之后依次连接第一半波片和第一偏振分光棱镜;激光稳频光路为依次连接的第二半波片和第二偏振分光棱镜;第二偏振分光棱镜之后分两束:光强较强一束作为泵浦激光依次经格兰泰勒棱镜、第三半波片和电光相位调制器,被第三偏振分光棱镜反射至光路倍增系统;光强较弱一束作为探测激光光路倍增系统和第三偏振分光棱镜,被高速光电探测器接收后输入至激光鉴相及高速伺服反馈控制电路,产生电源控制系统的伺服信号。
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公开(公告)号:CN110277824A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910565176.4
申请日:2019-06-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H02J7/34
Abstract: 本发明涉及一种能源存储电路,包括输入能源管理电路和能源存储电路两部分;输入能源管理电路包括用于电压判断的两个比较器CMP1和CMP2以及两个电压基准VH,VL,和两个开关S1,S2。电压基准VH连接到比较器CMP1的其中一个输入端,电压基准VL连接到比较器CMP2其中一个输入端,输入能源连接到比较器CMP1和CMP2的另外一个输入端;比较器CMP1的输出端与控制开关S1连接,比较器CMP2的输出端与控制开关S2连接;能源存储电路包括超级电容C2,接到控制开关S1和S2的输出。当输入的能源过剩时,能源存储电路存储过剩的能源;当输入能源不足时,存储电路的能源给负载使用。本发明的优点是:一方面提高了能源使用效率;另一方面也保证物联网设备的正常工作。
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公开(公告)号:CN110212404A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910306989.1
申请日:2019-04-17
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明涉及一种智能车用混合菲涅尔透镜干涉滤光片半导体激光器。半导体激光器由半导体激光二极管和兼具聚焦和滤光功能的混合菲涅尔透镜干涉滤光片光学元件组成;菲涅尔透镜由把激光二极管输出的光束整形为平行光束的前齿纹面和用于镀制干涉滤光片薄膜组的后平整面组成;光学元件将滤光功能以镀膜方式集成在具有准直功能的菲涅尔透镜上,并将菲涅尔透镜与干涉滤光片薄膜组集成一体化;光学元件以菲涅尔透镜的后平整面作为基底,在基底上交替镀制具有滤光作用的薄膜组。
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