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公开(公告)号：CN113050404A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110332144.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院 , 北京大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明公布了一种基于脉冲调制宽谱多频激光的铷原子光钟及实现方法，包括：电源控制系统、420nm脉冲调制宽谱多频激光系统、调制转移谱稳频系统、激光探测模块、激光鉴相及高速伺服控制电路；通过对钟激光系统施加脉冲调制信号，生成一种包含多个频率成分的宽谱梳齿型激光；该宽谱梳齿型激光与不同速度群的铷原子相互作用，得到更多对钟跃迁谱线有贡献的铷原子，提高原子利用效率，从而大幅提高信噪比，有效提升铷原子光钟的稳定度。
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公开(公告)号：CN111707870A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010585876.2
申请日：2020-06-24
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明涉及一种提取GaN HEMT晶体管动态串联电阻的方法，在直流和脉冲测试条件下，通过提出的方法，可以在不同的偏置和电压-电流条件下直接提取GaN HEMT晶体管动态串联栅源电阻RS和栅漏串联电阻RD及其变化，从而理解和分析GaN HEMT器件大电流情形导致的电流崩塌效应，热效应和沟道表面损伤产生的栅源-栅漏表面态特征，这些参数和信息有助优化GaN HEMT的器件及电路设计和改善工作条件。
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公开(公告)号：CN111413859A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010343402.7
申请日：2020-04-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: G04F5/14
Abstract: 本发明涉及基于脉冲调制宽谱梳齿型激光的碘分子光钟及控制方法。该碘分子光钟的电源控制系统生成脉冲调制信号传至激光系统生成脉冲信号，经隔离器对后方光路的光反馈隔离，隔离器之后依次连接第一半波片和第一偏振分光棱镜；激光稳频光路为依次连接的第二半波片和第二偏振分光棱镜；第二偏振分光棱镜之后分两束：光强较强一束作为泵浦激光依次经格兰泰勒棱镜、第三半波片和电光相位调制器，被第三偏振分光棱镜反射至光路倍增系统；光强较弱一束作为探测激光光路倍增系统和第三偏振分光棱镜，被高速光电探测器接收后输入至激光鉴相及高速伺服反馈控制电路，产生电源控制系统的伺服信号。
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公开(公告)号：CN110224284A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910508134.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S3/02 , H01S3/0915 , H01S3/06 , H01S3/081
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性抗震小型YAG激光器，包括外壳、上盖和激光腔，激光腔为圆柱体，位于外壳内；激光腔包括筒体、激光晶体棒、氙灯、棒套、棒托、腔镜、外镜架和出线孔；激光晶体棒位于激光腔筒体的中心线上；从激光腔筒体中心点往筒体两端端口，依次设有棒托、腔镜、外镜架;所述氙灯与位于外壳内隔层另一侧的触发电路连接，触发电路与电源电连接。激光腔在设计时考虑到小巧便携带来的高加速度震动和撞击的稳定性，直接让激光腔的外形力学整体、内反射腔等一些固定特征做成整体，免除了传统的外腔式、腔壳分离以及内反射采用玻璃基底镜面反射腔的易碎易二次损伤的缺点。通过减小体积，激光器的可靠性、系统的稳定度和耐候性都大大增加。
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公开(公告)号：CN115666191A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211012677.8
申请日：2022-08-23
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了提高钙钛矿太阳能电池器件稳定性的方法，包括以下步骤：步骤一，设计电池结构；步骤二，制备阴极；步骤三，制备电子传输层；步骤四，制备钙钛矿吸光层；步骤五，制备h‑BN保护层；步骤六，制备空穴传输层；步骤七，制备金属阳极；所述步骤二中，FTO导电玻璃的形状为1.5×2cm的方块，电阻为9‑10Ω，透光率为90％以上；本发明相较于现有的钙钛矿太阳能电池，通过将生长在衬底上的单层或多层的h‑BN二维材料进行图形化处理，然后采用干法转移的方式将其转移到钙钛矿薄膜表面，可以确保h‑BN薄膜完全且均匀的覆盖钙钛矿吸光层，从而有效地隔绝钙钛矿材料和空气中氧和水的接触，因而可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274836A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210766713.3
申请日：2022-07-01
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 北京大学深圳研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种降低寄生电容的负电容纳米带环栅晶体管器件结构，包括衬底、半导体浅沟槽隔离层、第一金属栅极、介电层、铁电层、第一纳米片堆栈部、第二纳米片堆栈部和第二金属栅极，第一金属栅极和第二金属栅极的底端均嵌入安装衬底，且衬底上设置有半导体浅沟槽隔离层；第二金属栅极位于第一金属栅极的两端；第一金属栅极和第二金属栅极上均匀的插接有第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部；第一纳米片堆栈部分布在第二纳米片堆栈部的两侧，第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部互不相连；第一纳米片堆栈部和第二纳米片堆栈部的外部均沉积有介电层；该结构；对降低器件的动态功耗，提高器件的工作速度，增加其工作频率具有深远的意义。
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公开(公告)号：CN107272217B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710678809.3
申请日：2017-08-10
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
Abstract: 本发明公布了一种智能车用相干检测激光雷达小型光源及其制备方法，包括由端面分别镀有增透膜和高反膜的半导体激光二极管、混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件；激光二极管输出光端面与混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件后表面组成谐振腔；激光二极管发出相干光束，经过该光学元件准直成为平行光作为入射光并对入射光进行选模，使该光学元件的衍射光与入射光共线反向，衍射光全部或部分沿原路返回到二极管，返回到激光二极管的那部分衍射光在谐振腔中振荡、放大，经该光学元件反射的反射光直接输出为输出激光；另一部分衍射光直接输出为输出激光。本发明可作为相干激光雷达系统中的核心光器件并实现批量生产。
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公开(公告)号：CN107272217A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710678809.3
申请日：2017-08-10
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
CPC classification number: G02B27/4233 , G01S7/4814 , G02B5/1876 , H01S5/0078
Abstract: 本发明公布了一种智能车用相干检测激光雷达小型光源及其制备方法，包括由端面分别镀有增透膜和高反膜的半导体激光二极管、混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件；激光二极管输出光端面与混合菲涅尔透镜衍射光栅光学元件后表面组成谐振腔；激光二极管发出相干光束，经过该光学元件准直成为平行光作为入射光并对入射光进行选模，使该光学元件的衍射光与入射光共线反向，衍射光全部或部分沿原路返回到二极管，返回到激光二极管的那部分衍射光在谐振腔中振荡、放大，经该光学元件反射的反射光直接输出为输出激光；另一部分衍射光直接输出为输出激光。本发明可作为相干激光雷达系统中的核心光器件并实现批量生产。
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公开(公告)号：CN110190508B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201910446995.7
申请日：2019-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01S5/068
Abstract: 本发明涉及为了解决法拉第原子滤光器小型化问题，特公开本发明：一种小型化窄线宽半导体激光器，包括半导体激光发射头、准直透镜、小型化法拉第原子滤光器、外腔镜和电路控制单元；其中，半导体激光发射头、小型化法拉第原子滤光器和外腔镜均与电路控制单元电连接；控制电路单元包括控制半导体激光发射头的电流，控制小型化法拉第原子滤光器的温度，控制外腔镜的位移量；半导体激光发射头用于发射激光。本发明以原子跃迁谱线为基准频率，并且同时使用电反馈和光反馈，激光输出频率稳定性高，在此基础上提出了小型化方案，此发明可以大为缩减激光器的体积，节约产生和使用成本，不仅易于使用，还能拓展更多的应用场合。
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公开(公告)号：CN113745123A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010461418.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院)
IPC: H01L21/66 , G06F30/337
Abstract: 本发明涉及一种硅基GaN HEMT晶体管栅电流参数提取方法，包括以下步骤：测试出GaN HEMT场效应晶体管的栅电流特性曲线；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与两个对数差分函数分别相减，得到截距以及两个不同斜率因子；将硅基GaN HEMT器件测试得出的栅电流特性曲线与任意一个对数差分函数相减，得到具有极值的差分函数谱曲线；在任意差分函数谱曲线上，获取二个极值点的栅电流极值；将获得的二个栅电流极值代入提取公式，可以提取得到一次栅电流的关键参数值；将两个对数差分函数谱提取的栅电流的关键参数值求平均值，得到栅电流关键参数值，这种方法简单、适用性强、误差小，能抑制小尺寸引起的器件短沟效应和非本征效应。
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