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公开(公告)号:CN108475549A
公开(公告)日:2018-08-31
申请号:CN201680076533.5
申请日:2016-12-09
Applicant: 国立大学法人岛根大学 , 浜松光子学株式会社
CPC classification number: C09K11/642 , C09K11/00 , C09K11/54 , C09K11/623 , G01T1/20 , G01T1/2002 , G01T1/2018 , G21K4/00 , H01J40/18
Abstract: 本发明所涉及的闪烁器(1A)的特征为具备:支撑基板(10);发光层(14),被形成于基板(10)上并以电子浓度成为2×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的形式由被添加了杂质的ZnO构成并且对应于放射线的入射而生成闪烁光;保护层(16),被形成于发光层(14)上并由具有大于ZnO的带隙的材料构成;金属层(18),被形成于保护层(16)上。支撑基板(10)由透过在发光层(14)上被生成的闪烁光的材料构成。另外,金属层(18)以作为反射来自发光层(14)的闪烁光的反射层而起作用。由此,就能够实现适宜用于电子等的放射线的检测为可能的闪烁器、以及使用了该闪烁器的电子检测器。
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公开(公告)号:CN1946827A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200580012145.2
申请日:2005-04-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: C09K11/62 , G01N23/225 , G01N27/62 , G01T1/20 , G01T1/29 , H01J37/244 , H01J49/06
CPC classification number: H01J37/244 , H01J49/025 , H01J2237/2443 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体,使用该发光体的电子射线检测器,扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体(10)中,形成在基板(12)的一个面(12a)上的氮化物半导体层(14)因电子入射发出荧光,至少该荧光的一部分透过基板(12),从基板的另一个面(12b)射出荧光。该荧光的应答速度在μsec量级以下。另外,该荧光的发光强度,具有与已有的P47荧光体相同程度的强度。即,该发光体(10),具有适应扫描型电子显微镜和质量分析装置的充分的应答速度以及发光强度。而且,由于覆盖层(16)有利于提高氮化物半导体层(14)中的发光残存率,所以,该发光体(10)不仅实现高速应答以及高发光强度,还具有优异的残存率。
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公开(公告)号:CN1497657A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN200310101513.3
申请日:2003-10-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J49/025 , H01J37/244 , H01J2237/2445
Abstract: 本发明涉及一种响应速度快、并发光强度高的发光体等。该发光体包括:基板、及设置在该基板的一个面上的氮化物半导体层。该氮化物半导体层由于射入电子而发出荧光。所产生的荧光中至少一部分透过基板,从该基板的另一面射出。该荧光的产生,是因电子射入氮化物半导体层的量子井结构,并由此所生成的电子与空穴的成对的再结合而引起,其响应速度在nsec等级以下。另外,该荧光的发光强度能获得与已有的P47荧光体相同程度的强度。即,该发光体具有的响应速度及发光强度充分适用于扫描型电子显微镜及质量分析装置。
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