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公开(公告)号：CN115260496A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210888486.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
IPC: C08G75/0259
Abstract: 本发明公开了一种聚亚芳基硫醚的制造工艺，以硫源、二氯代芳香化合物为原料，采用有机酰胺溶剂，经脱水、预聚、聚合、闪蒸及后处理等一系列工艺制备得到，本发明创造性地在预聚阶段向反应液中加入氯化钠晶种，又在预聚反应结束后对反应液增加了一步过滤处理。经该制造工艺可将制备的聚亚芳基硫醚树脂粗品中的含盐量大幅降低，极大地降低了高含盐废水的产生，减少了水耗和能耗，且有助于高效制备高分子量的聚亚芳基硫醚树脂；更为重要的是，该工艺不仅适用于间歇工艺，同样适用于连续化生产，有望大幅提高该生产体系的生产效率，并降低生产成本，且更加环保绿色。
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公开(公告)号：CN102373425B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110342906.8
申请日：2011-11-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材，交替溅射生长ZnO层和Na层，制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5～5.5cm，生长室背地真空度抽至1×10-4～1×10-3Pa，然后加热衬底，使衬底温度为400～700℃，激光频率为3～10Hz，激光能量为250～350mJ。长后的薄膜以3～5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单，所用的设备与现行工艺兼容。
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公开(公告)号：CN119574805A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411778889.6
申请日：2024-12-05
Applicant: 浙江大学温州研究院 , 温州志感科技有限公司
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种氢气检测电路及自动校准方法，包括单片机、氢气传感器、温湿度传感器、电源模块、数据储存模块和输出模块，所述氢气传感器、温湿度传感器、电源模块、数据储存模块和输出模块均与单片机连接，所述氢气传感器与单片机之间连接有信号放大电路，以将氢气传感器输出的信号放大后输入到单片机内。本发明的氢气检测电路及自动校准方法，通过在氢气传感器与单片机之间设置信号放大电路的方式实现对于氢气传感器微弱信号的放大，进而实现对低浓度氢气的检测，而利用校准方法的自动校准，可保证最终输出的氢气浓度数据准确性更高。
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公开(公告)号：CN117843997A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410016459.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种聚苯硫醚树脂微粒及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硫源、碱金属氢氧化物溶液和第一极性有机溶剂在有或无助剂存在下混合并进行脱水，得到脱水液，然后将脱水液与二卤芳香族化合物、第二极性有机溶剂混合进行聚合反应，得到含有聚苯硫醚树脂的反应物，其中，反应物的粘度为1Pa·s‑5Pa·s，第一极性有机溶剂和第二极性有机溶剂的摩尔量之和与硫源的摩尔量的比为2.8:1‑3.3:1；将反应物进行闪蒸，得到粗品；将粗品与水混合形成混合物，并向混合物中引入气体进行泡沫浮选，并从泡沫相中分离得到聚苯硫醚树脂微粒，所述聚苯硫醚树脂微粒的D50≤20μm，D90/D10≤8。本发明的制备方法不仅能够高效制备得到粒径小、粒径分布窄的聚苯硫醚树脂微粒，且成本低。
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公开(公告)号：CN117843997B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410016459.4
申请日：2024-01-04
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种聚苯硫醚树脂微粒及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将硫源、碱金属氢氧化物溶液和第一极性有机溶剂在有或无助剂存在下混合并进行脱水，得到脱水液，然后将脱水液与二卤芳香族化合物、第二极性有机溶剂混合进行聚合反应，得到含有聚苯硫醚树脂的反应物，其中，反应物的粘度为1Pa·s‑5Pa·s，第一极性有机溶剂和第二极性有机溶剂的摩尔量之和与硫源的摩尔量的比为2.8:1‑3.3:1；将反应物进行闪蒸，得到粗品；将粗品与水混合形成混合物，并向混合物中引入气体进行泡沫浮选，并从泡沫相中分离得到聚苯硫醚树脂微粒，所述聚苯硫醚树脂微粒的D50≤20μm，D90/D10≤8。本发明的制备方法不仅能够高效制备得到粒径小、粒径分布窄的聚苯硫醚树脂微粒，且成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117924703A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410112832.6
申请日：2024-01-26
Applicant: 浙江大学 , 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司
IPC: C08G75/0259 , C08J3/24 , C08L81/02 , C08K5/375 , C08K5/372
Abstract: 本发明公开了一种交联型聚苯硫醚的制造方法，该方法在制备线性聚苯硫醚的聚合反应后期，将特定的交联促进剂添加至体系中，继续保温之后再进行闪蒸，使得特定的交联促进剂不仅可以均匀分散在PPS树脂颗粒中，而且能够在一定程度上被聚苯硫醚所包裹进而在后续的纯化过程中不易被水洗等过程中去除，尤其是本发明特定的交联促进剂本身具备较高的沸点，不易溶于水，从而被充分保留在产品中，显著提高了PPS颗粒的热氧处理效率，可以在较短时间内达到期待的交联程度，且产品的凝胶含量低。
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公开(公告)号：CN103217460A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310093378.6
申请日：2013-03-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN102226264B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201110163514.5
申请日：2011-06-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的S掺杂生长带隙可调的ZnSO合金薄膜的方法，采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌和纯硫化锌粉末混合后液压成型的陶瓷靶,其中硫化锌的摩尔含量为10~40%；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中，真空度为1×10-4～1×10-3Pa下，激光频率为3~10Hz,生长温度为300~500℃,在衬底上生长带隙可调的ZnSO合金薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中S的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的ZnSO合金薄膜带隙可调，具有良好的光学性能，重复性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115260496B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202210888486.1
申请日：2022-07-27
Applicant: 浙江新和成特种材料有限公司 , 浙江新和成股份有限公司 , 浙江大学
IPC: C08G75/0259
Abstract: 本发明公开了一种聚亚芳基硫醚的制造工艺，以硫源、二氯代芳香化合物为原料，采用有机酰胺溶剂，经脱水、预聚、聚合、闪蒸及后处理等一系列工艺制备得到，本发明创造性地在预聚阶段向反应液中加入氯化钠晶种，又在预聚反应结束后对反应液增加了一步过滤处理。经该制造工艺可将制备的聚亚芳基硫醚树脂粗品中的含盐量大幅降低，极大地降低了高含盐废水的产生，减少了水耗和能耗，且有助于高效制备高分子量的聚亚芳基硫醚树脂；更为重要的是，该工艺不仅适用于间歇工艺，同样适用于连续化生产，有望大幅提高该生产体系的生产效率，并降低生产成本，且更加环保绿色。
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公开(公告)号：CN101937955A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010220372.7
申请日：2010-07-06
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L33/28
Abstract: 本发明公开了一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。Mg-K共掺的ZnO基发光二极管包括Al2O3单晶衬底，在所述Al2O3单晶衬底的一个面上沉积有Ga掺杂n型ZnO薄膜层，在所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上沉积有Mg-K共掺p型ZnO薄膜层，且所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上还沉积有负电极，在所述Mg-K共掺p型ZnO薄膜层上沉积有正电极。与V族元素掺杂相比，本发明的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层以金属K离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，所得的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层具有良好的稳定性和可重复性；且该p型ZnO薄膜层由于使用Mg和K两种元素共掺杂，进一步地提高了p型层性能的稳定性；并使Mg-K共掺p型ZnO薄膜层的空穴浓度可高达1.0×1017cm-3～5.0×1018cm-3。
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