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公开(公告)号：CN102556941B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210002292.3
申请日：2012-01-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。
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公开(公告)号：CN103288122B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310204240.9
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的快速吸附和解吸，明显提高材料的性能。本发明还公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列的制备方法，采用化学结合剂和锌盐直接结合，在反应过程中，通过在衬底上直接成核，生长成氧化锌纳米棒阵列。本发明的制备方法不需要生长氧化锌籽晶层，无需添加任何模板，成本低，效率高；且操作简单可控，反应温度低，对设备要求不高，有助于工业化推广，具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN103543184B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310493641.0
申请日：2013-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米针阵列的气敏传感器及其制备方法，该传感器的结构自下往上依次为绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。本发明气敏传感器的基于水热反应制备，水热反应中所使用的水溶液中含有钴盐、结合剂和碱性反应物。本发明的气敏传感器以四氧化三钴纳米针阵列作为气敏传感层，器件结构简单，性能优越，且纳米针具有较大的比表面积和电子迁移率，有利于提高气敏传感器的灵敏度，降低最佳工作温度为130℃，且制备方法简单，成本低，避免了分散或操纵纳米材料的困难，制备的气敏传感器性能差异小，适用于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN103543184A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310493641.0
申请日：2013-10-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米针阵列的气敏传感器及其制备方法，该传感器的结构自下往上依次为绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。本发明气敏传感器的基于水热反应制备，水热反应中所使用的水溶液中含有钴盐、结合剂和碱性反应物。本发明的气敏传感器以四氧化三钴纳米针阵列作为气敏传感层，器件结构简单，性能优越，且纳米针具有较大的比表面积和电子迁移率，有利于提高气敏传感器的灵敏度，降低最佳工作温度为130℃，且制备方法简单，成本低，避免了分散或操纵纳米材料的困难，制备的气敏传感器性能差异小，适用于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN103147130A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310033599.4
申请日：2013-01-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源ZnCl2、过渡金属元素的氯盐及用于调节Zn2+活性的可溶性溴盐组成，在沉积过程中不断通入O2，水浴加热温度为60～95℃，采用恒电位沉积法，沉积电位为－0.9～－1.1V，沉积时间为0.5～4h。沉积结束后，用去离子水反复冲洗，在导电基底上得到过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列。此方法利于获得掺杂浓度相对较高的纳米阵列，操作简单，重复性好。所获得的ZnO纳米阵列可应用于各种超低能耗、高密度的新型半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106066351A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610362040.X
申请日：2016-05-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途。这种特殊的交叉四氧化三钴纳米片阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，纳米片为介孔结构，在111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，为16.5。本发明的交叉四氧化三钴纳米片阵列克服了传统的四氧化三钴纳米片无法直接在只起支撑作用的绝缘衬底上生成阵列的问题，生产成本低，效率高，操作过程简单可控。所述交叉四氧化三钴纳米片阵列，具有开放式结构、较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的快速吸附和脱离，明显提高材料的气敏性能，具有很好的稳定性，60天内每3天测一次共进行20次测试，二十次测试性能变化率仅为±8%，非常适合用于传感器、丙酮检测、医疗检测。
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公开(公告)号：CN103288122A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310204240.9
申请日：2013-05-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的快速吸附和解吸，明显提高材料的性能。本发明还公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列的制备方法，采用化学结合剂和锌盐直接结合，在反应过程中，通过在衬底上直接成核，生长成氧化锌纳米棒阵列。本发明的制备方法不需要生长氧化锌籽晶层，无需添加任何模板，成本低，效率高；且操作简单可控，反应温度低，对设备要求不高，有助于工业化推广，具有显著的经济效益和社会效益。
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公开(公告)号：CN103217460A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310093378.6
申请日：2013-03-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN106066351B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201610362040.X
申请日：2016-05-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途。这种特殊的交叉四氧化三钴纳米片阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，纳米片为介孔结构，在111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，为16.5。本发明的交叉四氧化三钴纳米片阵列克服了传统的四氧化三钴纳米片无法直接在只起支撑作用的绝缘衬底上生成阵列的问题，生产成本低，效率高，操作过程简单可控。所述交叉四氧化三钴纳米片阵列，具有开放式结构、较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的快速吸附和脱离，明显提高材料的气敏性能，具有很好的稳定性，60天内每3天测一次共进行20次测试，二十次测试性能变化率仅为±8%，非常适合用于传感器、丙酮检测、医疗检测。
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公开(公告)号：CN103147130B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310033599.4
申请日：2013-01-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源ZnCl2、过渡金属元素的氯盐及用于调节Zn2+活性的可溶性溴盐组成，在沉积过程中不断通入O2，水浴加热温度为60～95℃，采用恒电位沉积法，沉积电位为－0.9～－1.1V，沉积时间为0.5～4h。沉积结束后，用去离子水反复冲洗，在导电基底上得到过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列。此方法利于获得掺杂浓度相对较高的纳米阵列，操作简单，重复性好。所获得的ZnO纳米阵列可应用于各种超低能耗、高密度的新型半导体器件。
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