公开(公告)号：CN102556941A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210002292.3

申请日：2012-01-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱丽萍 ,  梅伟民

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  H01M4/525 ,  H01M4/131

Abstract: 本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。

公开(公告)号：CN103217460A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310093378.6

申请日：2013-03-21

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱丽萍 ,  文震 ,  梅伟民 ,  李亚光 ,  胡亮 ,  郭艳敏 ,  蒋杰

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方法，首先采用公知的热蒸发、溅射或化学蒸发沉积镀膜技术将电极层材料沉积在绝缘基片的两端，并控制其厚度；然后利用水热法直接在绝缘基片上生长四氧化三钴纳米阵列，作为该气体传感器的传感导电体。该制备过程产物结晶性好，生产周期短，没有污染，且避免了分散或操纵纳米材料的困难，便于工业化生产；且得到的气体传感器对酒精检测有优异的灵敏度，并表现出较好的选择性、稳定性和重复性。

公开(公告)号：CN102556941B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201210002292.3

申请日：2012-01-05

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱丽萍 ,  文震 ,  梅伟民

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  H01M4/525 ,  H01M4/131

Abstract: 本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明还提供了制备该四氧化三钴纳米线阵列的方法，以一定摩尔比的钴盐、化学结合剂、碱性反应物和水在常温下进行混合搅拌，将混合均匀的溶液移入反应釜中，并将干净的衬底置于溶液中进行水热反应后取出冲洗，再在惰性气氛中热处理，得到四氧化三钴纳米线阵列。本发明的四氧化三钴纳米线阵列可直接作为锂离子电池负极，能明显提高电池的比容量和循环性能，放电容量高达1000mAh/g以上，是一种理想的锂离子电池电极材料。

公开(公告)号：CN102389828B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201110293070.7

申请日：2011-10-01

Applicant: 浙江大学

Inventor： 朱丽萍 ,  李亚光 ,  梅伟民 ,  杨美佳 ,  顾建龙 ,  陈丹 ,  朱翀煜 ,  陈奇 ,  任玉萍

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  C01B3/04

CPC classification number: Y02E60/364

Abstract: 本发明公开了一种高分散性ZnO/GaN固溶体的制备方法及应用。本发明利用共沉淀和水热处理法制备得到高分散性层状双氢氧化物(LDHs)，从而可制备如薄膜、粉末各种形态的高分散性ZnO/GaN固溶体材料。将高分散性层状双氢氧化物(LDHs)旋涂在衬底上，利用高温氨化制备的高分散性ZnO/GaN固溶体薄膜可用于光催化水分解，可大幅度提高催化剂的使用效率，降低其使用量，并克服了粉末水催化过程中粉末难以回收的弊病，具有很好的应用前景。