公开(公告)号：CN119555613A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411713260.3

申请日：2024-11-27

Applicant: 浙江大学 ,  蔚复来(浙江)科技股份有限公司

Inventor： 高琦煜 ,  张利强 ,  王飞 ,  熊伟 ,  崔海滨 ,  裘水军 ,  吕国钧 ,  王文苑 ,  裘莲

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/27 ,  G06V10/77 ,  G06V10/80 ,  G06T5/80 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明公开了一种基于光谱成像与曲线拟合的纺织物聚酯纤维检测方法，涉及高光谱成像分析技术领域，对基线校正后的反射率函数进行特征分解和主成分分析，获取特征曲线；提取高光谱图像的特征信息，将高光谱图像的特征信息与特征曲线进行融合，生成多维度特征向量；构建高光谱纤维含量检测模型，将多维度特征向量和特征参数向量输入高光谱纤维含量检测模型，生成聚酯纤维含量。不仅解决了背景噪声和漂移干扰问题，还充分挖掘了高光谱数据的多维特性。能够高效地对废旧纺织物的聚酯纤维含量进行在线检测。最终，该方法显著提升了检测精度和可靠性，为废旧纺织物的资源化利用提供了一种高效、环保且精准的技术手段。

公开(公告)号：CN101481817B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200810164207.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张利强 ,  吕建国 ,  何海平 ,  朱丽萍 ,  张银珠

IPC: C30B23/00 ,  C30B23/06 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的非极性ZnO晶体薄膜的生长方法，采用的是脉冲激光沉积，首先称量ZnO、MnO2、Na2CO3粉末，经球磨、压制、烧结，制得Mn-Na共掺的陶瓷靶；然后用脉冲激光沉积法在衬底上生长非极性ZnO晶体薄膜。本发明方法工艺成熟，操作简单，成本低廉，易于实现；生长的薄膜具有a轴择优取向；同时具有室温铁磁性，是一种稀磁半导体材料。可用于LED和磁存储器件中。

公开(公告)号：CN101937955A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010220372.7

申请日：2010-07-06

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张利强 ,  蒋杰 ,  黄靖云 ,  张银珠 ,  张维广 ,  张俊 ,  朱丽萍

IPC: H01L33/28

Abstract: 本发明公开了一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。Mg-K共掺的ZnO基发光二极管包括Al2O3单晶衬底，在所述Al2O3单晶衬底的一个面上沉积有Ga掺杂n型ZnO薄膜层，在所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上沉积有Mg-K共掺p型ZnO薄膜层，且所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上还沉积有负电极，在所述Mg-K共掺p型ZnO薄膜层上沉积有正电极。与V族元素掺杂相比，本发明的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层以金属K离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，所得的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层具有良好的稳定性和可重复性；且该p型ZnO薄膜层由于使用Mg和K两种元素共掺杂，进一步地提高了p型层性能的稳定性；并使Mg-K共掺p型ZnO薄膜层的空穴浓度可高达1.0×1017cm-3～5.0×1018cm-3。

公开(公告)号：CN101604719A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910100826.4

申请日：2009-07-13

Applicant: 浙江大学 ,  杭州兰源光电材料有限公司

Inventor： 叶志镇 ,  张利强 ,  黄靖云 ,  张银珠 ,  朱丽萍 ,  汪雷 ,  蒋杰 ,  薛雅 ,  张俊

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种Mg－Na共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。该Mg－Na共掺的ZnO基发光二极管包括p型层、n型层和电极，其中，所述p型层为Mg－Na共掺的ZnO薄膜，所述n型层为n型ZnO单晶衬底。该发光二极管的制备方法是采用脉冲激光沉积法在n－ZnO单晶衬底上沉积Mg－Na共掺p型ZnO层，其中靶材中Mg的摩尔百分含量是5－20％，Na的含量是0.1－1％，生长气氛为氧气，然后通过控制生长温度、气压、激光频率等参数来生长具有良好p型性能的ZnO薄膜；再用磁控溅射分别在n型ZnO层和p型ZnO层沉积电极。本发明的优点是制备方法简单，制得的Mg－Na共掺的ZnO基发光二极管亮度高。

公开(公告)号：CN101483219A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910095453.6

申请日：2009-01-15

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张利强 ,  张银珠 ,  吕建国 ,  何海平 ,  朱丽萍

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L21/203 ,  H01L21/363 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开的Co－Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜，其Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。采用脉冲激光沉积法制备，以纯ZnO、Co2O3、Ga2O3粉末混合烧结的陶瓷片为靶材，将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽至本底真空小于8.0×10－4Pa，在压强为2～15Pa的O2气氛下生长，温度为350～700℃。本发明制备方法简单，n型掺杂载流子浓度可以达到5.0×1019～5.0×1020cm－3，并且同时具有室温铁磁性能。

公开(公告)号：CN101481817A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810164207.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 浙江大学

Inventor： 叶志镇 ,  张利强 ,  吕建国 ,  何海平 ,  朱丽萍 ,  张银珠

IPC: C30B23/00 ,  C30B23/06 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明的非极性ZnO晶体薄膜的生长方法，采用的是脉冲激光沉积，首先称量ZnO、MnO2、Na2CO3粉末，经球磨、压制、烧结，制得Mn－Na共掺的陶瓷靶；然后用脉冲激光沉积法在衬底上生长非极性ZnO晶体薄膜。本发明方法工艺成熟，操作简单，成本低廉，易于实现；生长的薄膜具有a轴择优取向；同时具有室温铁磁性，是一种稀磁半导体材料。可用于LED和磁存储器件中。