一种MOF原位衍生氧化物半导体材料、气敏传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118961815A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411021861.8

    申请日:2024-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种MOF原位衍生氧化物半导体材料、气敏传感器及其制备方法,采用简单的溶剂热法和室温静置制备复合材料,利用MOF的结构优势,然后结合煅烧工艺制备半导体异质结构。两种材料的界面处形成紧密接触的异质结,同时纳米颗粒获得更大的气体吸附量,改进室温传感性能;MOF衍生的空心氧化物具有较大的比表面积和大量的活性气体吸附位点;此外,通过紫外光激发,使半导体材料敏感层内部形成了丰富的光生载流子(即空穴和电子),光生空穴和电子可以通过内部电场有效地分离,进而提高气敏性能。所述的传感器具有高灵敏度和选择性,低检测极限,快速响应,良好长期稳定性,抗湿性的气敏性能,非常适用于低浓度的室温环境NO2检测。

    多通道动态气体传感器检测装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN119574798A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411738058.6

    申请日:2024-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种多通道动态气体传感器检测装置,包括:若干个腔体,该腔体用于容纳放置待测试的若干个气体传感器;若干个程控电源,若干个所述程控电源与若干个腔体内的气体传感器电连接,用于向气体传感器输入加热电压和测试电压;模数转换装置,该模数转换装置与若干个气体传感器通信连接;上位机,该上位机与模数转换装置通信连接;气体分流装置,该气体分流装置设置在腔体内,并与外部气源连通。本发明的多通道动态气体传感器检测装置,通过气体分流装置的设置,可有效地实现批量气体传感器的测试,多通道动态气体传感器检测装置。

    MEMS气体传感器气敏层的制备方法及点胶装置

    公开(公告)号:CN119140393A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411622847.3

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS气体传感器气敏层的制备方法,包括以下步骤:(1)将气体敏感材料粉碎研磨成均匀的粉粒;(2)将气体敏感材料和分散介质的充分混合与分散,形成气体敏感浆料;(3)通过点胶机的压电阀将气体敏感浆料点胶涂覆在MEMS芯片的加热区域;(4)对气体敏感浆料进行固化处理;(5)对MEMS芯片进行封装;本发明还公开一种点胶装置,包括有压电阀、气源、控制器、工作台、视觉检测模块、驱动模块,压电阀包括有阀体,阀体设置有第一接头、储液空腔,胶管连接于第一接头和气源之间,阀体设置有第一流道,第一流道连接于储液空腔、第一接头之间。本发明能够提高MEMS气体传感器气敏层的成型效果以及提高生产效率。

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