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公开(公告)号：CN117558847A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311275133.5
申请日：2023-09-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种微/纳米结构半导体，在衬底规定出微/纳米结构半导体区域，在微/纳米结构半导体区域制备微/纳米结构；所述微/纳米结构半导体的控制方式为控制芯片独立控制单个微/纳米结构半导体区域的微/纳米结构；所述控制芯片与微/纳米结构半导体的连接方式为同一片晶圆上的内部连接或不同一片晶圆的外部连接。所述微/纳米结构半导体区域划分一个区域或多个区域阵列，并通过沟槽、氮化物、氧化物、玻璃材料、有机物等绝缘材料或结构进行隔离；所述微/纳米结构半导体区域制备有单个微/纳米结构或多个微/纳米结构阵列；所述微/纳米结构至少有两个端点电极；所述端点电极至少包含一个独立控制。
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公开(公告)号：CN117393544A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311392355.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/552 , H01L23/528 , H01L27/15 , H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/00 , B81B7/04 , B81C1/00 , B81B7/00
Abstract: 本发明提供了一种具有导电屏蔽结构的微/纳米器件及其制备方法，所述微/纳米器件包括至少一个微/纳米器件单元和导线堆叠部，所述导线堆叠部包括：导线层、导线隔离层、导线屏蔽层和覆盖层；其中，所述导线层形成于导线隔离层内，所述导线屏蔽层接地。本发明所提出的具有导电屏蔽结构的微/纳米器件，克服了器件尺寸在微/纳米级别时，连接控制元件和驱动电路的导线间电信号串扰的难题。
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公开(公告)号：CN117276305A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311428075.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提出一种纳米线发光器件及其制备方法，将至少包含一个发光区的纳米线集成于Si(100)衬底，形成高精度纳米线发光器件，克服了不能自组装形成异质的[100]纳米线的技术偏见，解决硅基集成纳米线发光阵列的技术瓶颈，使得单个芯片就可以实现图像显示。基于本发明形成的纳米线发光器件，无需巨量转移技术，无需额外的引线或焊点进行阵列与电路的连接，突破器件与电路集成问题的同时，还具有超高像素点、亮度高、对比度高、体积小、功耗低、独立驱动、利于便携式使用等优点。
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公开(公告)号：CN116776808A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310563828.7
申请日：2023-05-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种减小SAR ADC电容失配的版图设计方法，包括以下步骤：根据电容阵列结构确定每一位电容所包含的单位电容个数，对电容阵列布局和走线，提取寄生电容并进行数据分析，根据数据分析的结果决定所设计的版图是否符合要求。该设计方法通过对寄生电容之间的关系进行数据化处理，能够直观地显示寄生电容对失配影响的大小，从而为版图的改善指明方向。与传统增大单位电容尺寸的方法相比，本发明设计得到的版图能够在不增加电容阵列面积的前提下，提高电容的匹配性，进而减小寄生电容对SAR ADC结果的影响，提高ADC系统的动态性能。
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公开(公告)号：CN115359830A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210822429.3
申请日：2022-07-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种表项，用于记载存储于存储级内存(Storage Class Memory，SCM)介质存储模块的流动数据的物理地址；所述流动数据为SCM介质存储模块中发生过迁移的数据；所述物理地址包括：流动数据迁移前的第一物理地址和迁移后的第二物理地址。根据所述表项，本发明还提供了一种SCM介质存储模块的寻址方法、一种SCM介质存储模块的读方法与一种SCM介质存储模块的写方法。本发明通过提供了一种表项以及配套的读写操作方案，可以减少读写时延，保证数据的高效处理。基于所述的表项，本发明还提供了一种存储控制器，解决了使用SCM存储介质时存储控制器的架构问题。本发明为实现反应灵敏，控制精准，算法简单的SCM存储介质控制器大规模商业化应用打下了深厚基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115305060A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210771805.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 浙江大学
IPC: C09K5/06
Abstract: 本发明提供一种双相透明的复合相变材料，其在结晶态和非结晶态下均具有高透明度，解决了现有的相变材料或复合相变材料在结晶态下透明度下降的问题。本申请所述的双相透明的复合相变材料，包括在非晶状态下呈现透明特性的芯材；所述芯材装载于一透明腔室内，在非晶态下，晶态下流动性的芯材填充了腔室，使得大部分光线能够穿过材料整体，呈现透明效果；在晶态下，一个透明腔室构成一个结晶单元，结晶后形成的晶粒在一个方向上的尺寸小于1000nm，因此，沿该方向光线入射后，大部分光能够穿透波长以下厚度障碍物的阻挡，光线很少被吸收和消耗，呈现出透明效果。
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公开(公告)号：CN108598232A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810054953.4
申请日：2018-01-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种提高GaN基LED发光效率的蓝宝石图形衬底结构，它包括蓝宝石图形衬底以及沉积于所述蓝宝石图形衬底上的三明治反射结构，所述三明治反射结构包括沉积于所述蓝宝石图形衬底上的第一Al2O3多层结构、沉积于所述第一Al2O3多层结构上的布拉格反射器以及沉积于所述布拉格反射器上的第二Al2O3多层结构。本发明不仅可以提高GaN基LED材料质量，而且可以提高GaN基LED的发光效率，具有非常重要的商业价值。
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公开(公告)号：CN104730796B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510101243.9
申请日：2015-03-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用相变材料设计的非易失性显示单元，本发明设计了一种“三明治”结构的非易失性显示单元，这种“三明治”结构为上下两层导电电极与中间相变显示部分组成的结构。相变材料依靠不同电脉冲的热累积，具有可变化的相态结构，对应不同的折射性能与吸收性能，反映出不同的颜色。本发明中的相变显示部分由多个相变材料层通过多种不同的排列方式组合形成，每层相变材料层的材料、厚度可以相同也可以不同。本发明通过导电电极改变相变显示部分的相态，进而改变整个显示单元的颜色。
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公开(公告)号：CN115356864B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210731094.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了提出一种复振幅动态调制单元及调制方法，包括调制模块，且所述调制模块组成闭环结构的复振幅动态调制单元；还包括：用于向调制模块输入激励信号，改变调制模块的光学性质的激励模块。通过激励模块的控制，可以始终保持至少一个调制模块处于没有被激励的静默态，而其他的调制模块处于被激励的激活态。通过调控这种处理静默态的调制模块的数量、位置等，即可获得不同的开口方向、开口大小的C型分裂环谐振器,甚至得到其他不是C型结构的谐振器。更好的克服了现有纯振幅调制的直流噪声和孪生图像问题和现有纯相位调制所带来的严重散斑噪声问题，实现了复振幅调制具有更高精度和更少噪音的效果。
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公开(公告)号：CN119133226A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411216765.9
申请日：2024-09-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/775 , H01L21/335 , H01L27/085 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种高度集成的晶体管，其包括位于衬底上的柱状主干结构，以及从所述柱状主干结构上外延生长的一个或多个分支结构；柱状主干和分支结构组成树状结构；单个分支结构或多个分支结构组成一个晶体管。现存普通晶体管所占衬底面积2.8um2(宽1.14um长2.44um)，基于本发明，在相同面积下，集成度可以至少提高到144(4个树状结构，每个树状结构36个分支)通过改变树状结构的间距和分支层数，不断提高集成度。基于集成度和器件排布优化，可实现无需额外布线，实现3D空间不同器件连接的空间布局。本发明通过分支结构进行环栅场效应晶体管的制造，减少环栅场效应晶体管的制造步骤和难点，解决单一Ⅲ‑Ⅴ族材料制作的晶体管优缺点过于明显、综合性能较差的现象。
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