公开(公告)号：CN107807157A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201610819121.8

申请日：2016-09-09

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 金慧娇 ,  田汉民 ,  花中秋 ,  曾艳 ,  李彦 ,  戎小莹 ,  张天

IPC: G01N27/26

CPC classification number: G01N27/26

Abstract: 本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器涉及专门适用于对各种气体以及光照检测的半导体器件。本发明所制备的一种同时具有光敏特性和气敏特性的化学传感器，由化学传感器的敏感层、平面型镀Au陶瓷衬底、引线以及气敏传感器底座构成；所述的化学传感器的敏感层为CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液和WO3纳米粉末掺杂得到的薄膜层，平面陶瓷片上具有一层特殊材料的加热层以及镀Au的电极。通过制备CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液与WO3纳米粉末混合的化学传感器，不仅改善了传感器的气敏特性，提高了其对气体的灵敏度，而且这种化学传感器对光的敏感度很好，在光照强况下，降低了传感器的电阻值，从而使其对气体的灵敏度提高。

公开(公告)号：CN106972100A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610589388.2

申请日：2016-07-22

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 田汉民 ,  金慧娇 ,  田学民 ,  戎小莹 ,  张天 ,  郭丹 ,  赵昆越

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/4206 ,  H01L51/0077 ,  H01L2251/301

Abstract: 本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件。本发明的钙钛矿单晶材料与P型单晶硅结合的薄膜太阳电池由底部电极、N型氧化物半导体膜、C60电子薄膜、钙钛矿单晶光吸收层、单晶硅空穴传输层以及顶部电极构成。所述的氧化物半导体薄膜是通过磁控溅射获得的N型的氧化锌薄膜，C60电子薄膜是通过热蒸镀获得的一层缓冲层，钙钛矿单晶是钙钛矿结构的光吸收材料，空穴传输层是通过磁控溅射获得的P型单晶硅材料，底部和顶部电极是通过热蒸镀获得的铝或银构成的膜。本发明将钙钛矿单晶材料作为光吸收层，将P型单晶硅材料作为空穴传输层，获得了稳定、高效的太阳电池。

公开(公告)号：CN105244442A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510802027.7

申请日：2015-11-15

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 田汉民 ,  戎小莹 ,  毕文刚 ,  金慧娇 ,  张天 ,  杨瑞霞 ,  王伟 ,  花中秋 ,  杨帆 ,  张明兰

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

CPC classification number: H01L51/447 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/0027

Abstract: 本发明一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件的制备方法，是一种基于准分子激光晶化法的制备方法，步骤是：用准分子激光晶化法在透明导电基底上制备P型薄膜晶硅层，在P型薄膜晶硅层上旋涂钙钛矿光吸收层，在钙钛矿光吸收层上制作由致密二氧化钛构成的电子传输层，在由致密二氧化钛构成的电子传输层上制备背电极，最终制得由透明导电基底、P型薄膜晶硅层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池。克服了现有技术中使用“层转移技术”的工艺环节多且复杂、得到的薄膜晶硅的尺寸较小、成品率较低和薄膜晶硅的厚度不能过薄的缺陷。