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公开(公告)号：CN1181425A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97118169.1
申请日：1997-10-20
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 铁基形状记忆合金管接头的制造方法,其步骤是配料—冶炼—锻造—固溶处理—管坯成型—机加工—热机械处理—扩管机加工。主要技术特点是,根据不同用途选择不同的冶炼成分,管坯成型工艺采取温挤压或亚超塑成型工艺,并对管坯进行热机械处理,以提高合金的形状记忆特性。该方法投资少,生产成本低,管接头形状记忆特性好,密封性好。可用于石油、天然气、化工、化肥、食品等行业的输送管道的连接。
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公开(公告)号：CN107236921B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710464598.3
申请日：2017-06-19
Applicant: 河北工业大学
IPC: C23C4/067
Abstract: 本发明为一种氮化物陶瓷‑非晶复合涂层的制备方法。该方法包括以下步骤：对工件基体表面进行清洁化预处理后喷砂，再采用热喷涂技术进行喷涂，得到厚度为80‑100μm的粘结底层；最后采用热喷涂技术对上一步处理好的试样表面进行喷涂，复合喂料粉枪内送粉，送粉器送粉气体为N2，最后得到氮化物陶瓷‑非晶复合涂层。所述的喂料粉为非晶包覆复合粉体，复合喂料粉粉末粒径为10～100μm。本发明的复合涂层的硬度值较单一的非晶涂层提高23.5％。复合涂层的耐磨性能也得到了提高，复合涂层的磨损失重量较单一的非晶涂层可降低48.6％。
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公开(公告)号：CN106148873B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201610617140.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明钛合金及钛铝金属间化合物表面氧化物基涂层的制备方法，涉及对金属材料的镀覆，步骤是：配制用于热喷涂的铝/金属氧化物复合粉；对所需涂层的钛合金或钛铝金属间化合物工件表面进行喷砂处理；采用热喷涂的方法，将第一步中制备出的铝/金属氧化物复合粉喷涂在第二步中得到的钛合金或钛铝金属间化合物工件表面，从而形成氧化物基涂层。本发明方法省去了现有技术在金属基体喷涂陶瓷基无机复合材料涂层之前先喷涂一层合金底层即结合层的这一通用且固有的步骤，克服了现有技术先喷涂一层合金底层使得制备陶瓷基无机复合材料涂层的工艺复杂、成本明显增加和涂层抗热震性差的缺陷。
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公开(公告)号：CN107523777A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710579795.X
申请日：2017-07-17
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明硼化钨复合涂层的制备方法，涉及硼化物对金属材料的镀覆，采用热喷涂原位反应合成硼化钨复合涂层，步骤是：配制用于热喷涂的氧化钨/碳化硼/铝复合粉；对所需涂层的基体材料表面进行预处理；硼化钨复合涂层的制备。本发明克服了现有技术制备硼化钨复合涂层的工艺复杂、成本高、污染大、沉积效率低、涂层厚度低、涂层致密度低、均匀性差、韧性低，涂层与基体结合力差、容易开裂和不适合在大规模工业生产中应用的缺陷。
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公开(公告)号：CN106631009A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610895853.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 河北工业大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/563 , C04B35/58 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/58078 , C04B35/48 , C04B35/563 , C04B35/626 , C04B2235/402
Abstract: 本发明一种用于硼化锆基复合材料的复合粉及其制备方法，涉及硼化物陶瓷基复合材料技术领域，该复合粉含有碳化硼粉、铝粉和氧化锆粉，其中碳化硼粉占复合粉总体质量的重量百分比为5～20%，铝粉加氧化锆粉占该总体复合粉质量的重量百分比为80～95%，氧化锆粉和铝粉之间的重量比例则为60～90:40～10；其制备方法的步骤是：按设定的重量百分比分别称取碳化硼粉、铝粉和氧化锆粉配制总体原料粉，于球磨机中制备混合料浆，喷雾干燥制得本发明的复合粉，克服了现有技术制备硼化锆基复合材料的方法所存在的原料成本高、工艺成本高、能耗大、效率低，所制备出的材料孔隙率高、均匀性差、组织粗化、韧性低和抗热震性差的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103522653B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310466639.4
申请日：2013-10-09
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明用于热浸镀锌的多层复合陶瓷涂层及其制备方法，涉及对金属材料的镀覆，其基体材料为含碳0.05～0.22wt%的普碳钢，以Fe-Al、Ni-Al、CoCrAlY或NiCrAlY的微米晶自熔合金层为底层，以Al-Fe2O3或Al-Cr2O3的铝热自反应合成以陶瓷为基的纳米陶瓷-金属复相层为中间过渡层，以陶瓷玻璃封孔的ZrO2、Al2O3、Cr2O3或Al2O3-ZrO2氧化物陶瓷层为工作层，由此构成具有微米晶-纳米晶-非晶多级结构用于热浸镀锌的多层复合陶瓷涂层；制备方法是用等离子喷涂的方法依次喷涂所配置的原料。克服了现有材料耐液锌腐蚀性能差、力学性能及导热性差或寿命低的缺点。
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公开(公告)号：CN1298881C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200410072552.X
申请日：2004-10-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种反应等离子喷涂反应室装置，其结构包括等离子喷枪与反应室构成；反应室与等离子喷枪通过螺纹连接在一起；反应室由内套、外套、进水管、出水管、进气管和送粉孔构成；内套和外套管焊接在一起构成反应室的主体结构，内套和外套管间的空间及进水管和出水管组成反应室的冷却部分，出水管和进水管焊在反应室的外套上，靠冷却水的快速流动带走一定的热量，冷却反应室。进气管连接反应室的内套，与反应室的内套和外套焊接在一起。本装置解决了普通等离子喷涂难以制备高熔点的陶瓷涂层的难题，主要用于使用低功率等离子喷涂设备，采用微米级金属粉末制备高熔点的纳米晶陶瓷涂层和粉末的工艺。
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公开(公告)号：CN1872682A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610013970.0
申请日：2006-05-31
Applicant: 河北工业大学
IPC: C01B33/158 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种超大规模集成电路专用纳米硅溶胶的纯化方法，旨在提供一种有效的降低硅溶胶中金属离子的含量，以提高晶片质量的硅溶胶的纯化方法。将盐酸注入阳离子交换树脂中搅拌，制备酸性阳离子交换树脂；然后将高金属离子含量的碱性硅溶胶加入到酸性阳离子交换树脂中，交换，同时测定Zeta电位，得酸性硅溶胶；将氢氧化钠注入阴离子交换树脂中搅拌，制备碱性阴离子交换树脂；将酸性硅溶胶加入到碱性阴离子交换树脂中再交换，同时测定Zeta电位，得到显碱性的硅溶胶；再将交换后的碱性硅溶胶加入到酸性阳离子交换树脂中交换，同时测定Zeta电位，得到低金属离子含量的酸性硅溶胶。本发明能满足纯度要求，设备成本低、纯化时间短。
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公开(公告)号：CN1870217A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610014041.1
申请日：2006-06-02
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/30 , C23C14/00 , C23C16/00 , C30B25/02 , C30B23/02 , C30B29/06 , C30B33/12
Abstract: 本发明公开了一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，旨在提供一种有效消除雾状微缺陷，而且不增加成本以及工艺和设备的复杂性的控制硅气相外延层雾状微缺陷的方法。包括下述步骤：采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛光处理和清洗，在清洗最后的纯水清洗后，向清洗槽内加入氧化剂处理1～15min，使整个硅片表面生成一层洁净的SiO2氧化层，氧化层的厚度一般为3～5nm，再将其放入外延炉中进行外延生长。生长中可控制外延层的厚度大于预定厚度，再用气相抛光去除预留厚度。该方法工艺简单，工作效率高，不需添加额外设备，与常规外延工艺完全兼容，而且消除雾状微缺陷的效果十分显著。
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公开(公告)号：CN1616712A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410072551.5
申请日：2004-10-28
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及一种反应等离子喷涂纳米晶氮化物涂层的方法，其主要步骤是：其基体是工件金属或陶瓷，其表面是合金底层，底层上面是涂层，包括：工件预处理、送入混合离子气体、起弧后再在等离子流中送入喷涂用金属自熔合金粉末对工件表面进行喷涂形成合金底层；送入含氮的反应气体进反应室、送金属粉末进入焰流在合金底层上喷涂形成纳米晶氮化钛涂层。本方法能有效地克服氮化物陶瓷的脆性，提高涂层的韧性和耐磨性、减磨性，抗热震性能，可制备涂层厚度达600μm，高熔点、高硬度、良好的化学稳定性、良好的强韧性、较高的红硬性的纳米晶氮化物涂层，主要用于使用等离子喷涂法制备高熔点纳米晶氮化物陶瓷涂层。
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