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公开(公告)号：CN110219050B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910621097.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制备单晶薄膜氮化铝，整个制备过程分为三个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至700‑900℃，保温，再控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度升至1000‑1200℃，保温，再控制生长区温度升至1250～1550℃，保温生长，冷却至室温后取出样品，所述的异质衬底为生长有氮化镓的蓝宝石。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN109277561B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295209.X
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有调控马氏体相变行为的复合材料的制备方法。该方法通过放电等离子烧结将不同体积比铁磁形状记忆合金Ni52Mn34.5Ga23.5粉体和巨磁致伸缩合金Tb0.27Dy0.73Fe1.9粉体施加大脉冲电流，在被烧结的粉体之间产生放电，从而导致瞬间高温，促使样品快速烧结，从而制备出能够有效调控马氏体相变顺序的复合材料。本发明的制备工艺简单，成本低而且快捷。制备出的复合材料的马氏体相变顺序能够通过调控先驱材料的不同比例来进行调控，满足了一些在新型磁驱动器、磁转换器、敏感元件上的潜在应用要求。
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公开(公告)号：CN109175370B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811295227.8
申请日：2018-11-01
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有磁场调控马氏体相变的复合材料的制备方法。该方法采用Tb0.27Dy0.73Fe1.9和Mn48Co4Ni28Ga20两种材料，按照不同的比例，颗粒度均匀混合，设定不同的烧结温度，采用等离子烧结的方法，在外加磁场下，把稀土巨磁致伸缩材料的磁致伸缩作为应力来诱导出铁磁形状记忆合金材料可观的马氏体相变或马氏体变体重排。本发明材料能够在较低磁场、分布在0‑380K温区内工作，磁场对相变温度的影响效率最高达41K/T。
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公开(公告)号：CN106048673A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610369134.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al纳米线的制备方法，该方法是采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板结合电化学沉积法,以Al2(SO4)3·7H2O、Cr2(SO4)3·6H2O、H3BO3和抗坏血酸的混合液为电镀液，并调节电镀液pH值为2.5～3.5，电镀生长后刻蚀掉模板，制备得到Cr3Al纳米线阵列。本发明的方法采用简单的电化学沉积工艺，通过对电镀液的选择及生长参数的调节，首次实现了在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备铬三铝合金磁性纳米线有序阵列。
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公开(公告)号：CN103022345A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210585022.X
申请日：2012-12-27
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明涉及一种隧穿磁电阻多层膜材料，涉及应用多层磁性层的静态存储器，是一系列具有高自旋极化率界面的(CoTiSb)x/Fey/(CoTiSb)z超晶格结构的TMR多层膜材料，其中x,y,z为各个成分的原子层数，所述超晶格结构是以三层膜为基本单元沿半Heusler结构CoTiSb单晶[100]方向共格生长，并能够以基本单元为基础周期性延伸的多层膜结构，并且在插入的Fe层及其诱导出的高自旋极化层中，少量的空位或岛状缺陷不会对材料的高自旋极化率有大的影响。该材料克服了现有技术中，实际应用的TMR材料的多层膜界面不匹配和不同层间材料的电子结构不匹配对材料实际自旋极化率和磁电阻都会产生不利影响的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102129905A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010599096.X
申请日：2010-12-21
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种具有高自旋极化率的半金属磁性材料。该材料的化学式为：VxCoyNzMw，其中，N是III-V族元素；M为过渡族元素；2≥x＞1，2＞y≥0，z＝1，1≥w≥0，x+y+z+w＝4。该材料的制备方法为(1).按化学式VxCoyNzMw配比称料放入电弧坩埚内，其中，(2).将电弧炉抽真空到1×10-1-1×10-6Pa后，充入氩气，在0.01MPa到1MPa正压力或者流动氩气的保护下进行电弧熔炼2-3分钟，后冷却；重复熔炼3-5次，使合金材料分布均匀，最后得到产品。本发明的半金属磁性材料自旋极化率在90-100％之间，在实际测量上在80-96.2％之间，表现出了极高的材料自旋极化率。
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公开(公告)号：CN1944479A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610016261.8
申请日：2006-10-24
Applicant: 河北工业大学
IPC: C08F220/18 , C08F2/44 , C08F2/38 , C08K9/06 , C08K3/36 , C09J133/08 , C09J7/02
Abstract: 本发明压敏胶粘剂用的聚丙烯酸酯复合乳液及其制备和应用方法涉及基于丙烯酸酯聚合物的粘合剂。它是一种具有核/壳结构的无机－有机复合乳胶粒子的复合乳液，组成这种复合乳液的乳胶粒子以表面经硅烷偶联剂改性的纳米二氧化硅为核，以丙烯酸酯与丙烯酸单体的共聚物为壳，固含量为30～40％，粘度为1～6mPa.s，复合乳胶粒子粒径为250～700nm，粒径分布指数为0.005～0.15；其制备方法包括纳米二氧化硅醇溶胶的制备、纳米二氧化硅的表面改性和纳米二氧化硅－聚丙烯酸酯复合乳液的制备；将此复合乳液涂膜干燥即得丙烯酸酯压敏胶粘剂，同时提高了压敏胶粘剂初粘性能和内聚性能，纳米二氧化硅在聚丙烯酸酯压敏胶基体中分散均匀，乳胶粒子核层和壳层厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN111005072B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201911373618.1
申请日：2019-12-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种可优化表面平整度的氮化铝单晶薄膜制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制得，整个制备过程分为五个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至400～500℃，保温10～20分钟，接着控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度保持，保温10～20分钟，紧接着控制生长区温度升至1100～1200℃，源区温度不变，保温生长5～10分钟，紧接着源区温度1300～1400℃，生长区升温至1350～1550℃，保温1～3小时，各过程中调控氩气、氮气的通入比例，最后关闭氩气，冷却至室温后取出样品。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，表面较为平整且可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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公开(公告)号：CN112899543A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060135.7
申请日：2021-01-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料及其制备方法。该材料化学式为：CoFeCrAl1‑xGax，其中0＜x＜1；其中，Co、Fe、Cr、Al、Ga的原子比为1:1:1:1‑x:x。制备方法中，将单质金属加入到加入到非自耗电弧炉中，在直流电流为60‑150A下进行熔炼，得到铸锭合金；再进行热工艺处理，然后投入冰水混合物当中进行淬火处理，最终得到电阻率可调控的自旋无能隙半导体材料。本发明材料具备高熵合金高强度、高硬度、高耐磨性以及高耐腐蚀性的优点，在高达1000℃的高温环境下仍具有抗氧化性。
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公开(公告)号：CN110219050A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910621097.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制备单晶薄膜氮化铝，整个制备过程分为三个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至700-900℃，保温，再控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度升至1000-1200℃，保温，再控制生长区温度升至1250～1550℃，保温生长，冷却至室温后取出样品，所述的异质衬底为生长有氮化镓的蓝宝石。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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