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公开(公告)号：CN103464742B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310430077.8
申请日：2013-09-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体的制备方法，属于粉末冶金的粉体处理与制备技术领域。钨粉经过碱洗酸洗并经敏化活化形成预处理粉体，再进行表面包覆银形成纳米银层包覆钨复合粉体，最后将银包覆钨复合粉体进行包覆铜获得铜含量在5%～50%变化的铜包覆银包覆钨的复合包覆粉体。本发明制备的复合包覆粉体中铜、银包覆层均匀、完整、纯度高、质量可控。银层的加入可以明显改善钨铜界面润湿性。复合包覆粉体具有良好的烧结性能，钨铜复合材料的热学、力学等综合性能能够得到提升，复合包覆粉体可作为制备高性能钨铜复合材料的原材料，在电子封装、高温材料、电触头材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105218087A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510749781.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种织构化的高居里点Pr2Ti2O7陶瓷的制备方法，其采用的技术方案是两次等离子活化热处理技术，具体包括以下步骤：1)第一次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7原料填充于石墨模具中，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，保温1～3min并施加20～50MPa的压力，经致密化烧结后得到Pr2Ti2O7陶瓷块体；2)第二次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7陶瓷块体放入更大尺寸的石墨模具中心，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1200～1350℃，保温3～5min并施加40～80MPa的压力，经织构化成型后得到织构的Pr2Ti2O7陶瓷。本发明有效克服了现有热锻、热压等织构化技术存在的热处理周期长、烧结温度高、生产效率低等不足，制备的Pr2Ti2O7陶瓷可满足高温压电领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN105149769A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510456474.1
申请日：2015-07-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K103/18
CPC classification number: B23K20/001 , B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/2333 , B23K20/24
Abstract: 本发明是叠层复合中间层的设计引入使镁合金与铝合金的连接方法，即：首先在镁合金与铝合金表面沉积CuNi合金薄膜作为防止铝镁基体表面氧化及金属间化合物生成的阻隔中间层，然后在CuNi合金薄膜层之间添加Ag降低CuNi中间层的连接温度，构成CuNi-Ag-CuNi叠层复合中间层，再将该复合中间层的镁合金与铝合金待连接件的装配，并在380～420℃条件下保温0s～750s即可。本发明利用所述复合中间层避免了连接界面脆性的Mg-Al系金属间化合物以及其它金属间化合物的产生；采用电场活化连接技术，在真空下实现了镁合金与铝合金低温、快速、高强焊接，降低了连接温度、缩短连接工艺周期、提高了连接接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN104861424A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510306408.6
申请日：2015-06-05
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开的是一种聚合物基轻质高强泡沫材料的制备方法，该材料是以膨胀微球为基体、硅烷偶联剂改性的CNTs为纳米增强相、环氧树脂为界面粘结剂制备而成，该方法包括硅烷偶联剂改性CNTs溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂溶液的制备、改性CNTs+环氧树脂+膨胀微球溶胶的制备、聚合物基轻质高强泡沫材料的加热固化与发泡制备步骤。本发明具有制备方法简易可控，并利用硅烷偶联剂有效解决CNTs的团聚难题，并使CNTs均匀分散于微球基体提高CNTs的增强效果；选用环氧树脂可以显著提高微球之间的界面结合力和力学性能。所制备的轻质高强材料密度、微观结构和宏观尺寸精确调控，力学性能优异。
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公开(公告)号：CN103302861B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310181784.8
申请日：2013-05-16
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明聚甲基丙烯酸甲酯基泡孔梯度材料的制备方法是：将含有碳纳米管CNTs或银纳米粒子Ag填料的聚甲基丙烯酸甲酯基纳米复合材料叠层，加热软化后，熔融热压成梯度复合材料，再将梯度复合材料放入超临界二氧化碳流体中，快速泄压发泡，发泡工艺是：将梯度复合材料放入高压釜中后，注入超临界二氧化碳流体，调节该流体的压力为7.5～20MPa，温度为50～140℃，保压6～10h后，拧开泄压阀快速泄压至常压，10s～180s后冷却至室温即可。本发明制备的材料，其泡孔直径控制在微米量级，体积密度小，泡孔密度可以设计和控制，具有较好的力学强度和尺寸稳定性，在航天航空、电子封装、建筑制造等领域有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104715287A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410708998.0
申请日：2014-11-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明属于脉冲激光沉积薄膜领域，具体涉及用于预测多元拼合靶材制备的薄膜成分的预测方法，具体包括如下步骤：根据薄膜脉冲激光沉积物化模型，推导薄膜产物各成分的摩尔比x1随激光能量、基板和靶材的距离以及多元拼合靶材中各单元靶材的圆心角之比x2的理论公式；固定基板和靶材的距离，简化上述理论公式，得到以激光能量和x2为变量的工程公式；根据工程公式方程，在确定激光能量和x2情况下，预测薄膜产物的成分。本发明方法可以用于特定沉积参数下薄膜成分的预测或生产特定成分薄膜时沉积参数的选择。本发明预测方法，对于任意体系的薄膜均可使用，仅需要少量实验数据就能得到可靠性高的工程公式，因而可以大大降低生产时间、成本。
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公开(公告)号：CN104087776A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410342732.9
申请日：2014-07-18
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法是一种基于有机物掺碳增强W-Cu复合材料的制备方法，该方法利用具有粘附性能的有机物的掺碳工艺，在W粉表面包覆一层有机添加物，将包覆后的W粉置于惰性气氛中进行高温处理使有机添加物发生热解，获得C@W复合粉末；然后以C@W复合粉末为原料通过包覆的方法制备出Cu@C@W复合粉末；再将Cu@C@W复合粉末在100-500MPa下进行冷等静压获得坯体，最后将坯体放入真空热压炉中进行烧结，获得掺碳增强W-Cu复合材料。本发明可以获得致密度高的掺碳增强W-Cu复合材料，具有W-Cu两相界面热阻低，界面结合力强，热导率高等优点。
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公开(公告)号：CN104060117A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410322428.8
申请日：2014-07-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及金刚石/铜基复合材料及其制备技术领域，具体公开了金刚石/铜基复合材料及其制备方法，该复合材料中金刚石的质量分数为20％～50％，金刚石颗粒在基体中均匀分布。其具体制备方法为先制备铜包钛包金刚石复合粉末，然后将铜包钛包金刚石复合粉末与铜粉混合，形成混合粉末，最后通过表面活化和等离子活化烧结，制备出致密度高的烧结试样。等离子活化烧结工艺为：升温速率50～200℃/min，真空度≤10Pa，烧结时施加压力30～40MPa，烧结温度800℃～900℃，保温时间5～7min。本发明制备金刚石/铜基复合材料烧结温度低，致密度高，晶粒细小，并且操作简单，可控性好。
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公开(公告)号：CN103589884A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310602223.0
申请日：2013-11-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法，该方法是：根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体，或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料，将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠，流程短，生产成本低、效率高；所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善，并且具有优异的热、电、力学性能，因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103041896A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210582264.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化锡锑纳米粉体的制备方法，即：以高纯氧化锡粉和氧化锑粉（纯度>99.9，粒度50～500目）作为初始原料，以锑元素与锡元素的原子比1：99～30：70配置原料，采用液氮作为球磨介质，氧化锆球作为研磨球，通过低温球磨，控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料比为10:1～100:1，制备出高纯、低团聚、掺杂均匀、掺杂含量为1～30at.%、晶粒尺寸为10～100nm的氧化锡锑纳米粉体。本发明工艺简单，成本低廉，可用于工业化规模连续生产，且制备的氧化锡锑纳米粉体具有纯度高、团聚小、掺杂均匀可控等优点，可广泛应用于太阳能电池、红外吸收隔热材料等领域。
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