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公开(公告)号：CN111174461B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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公开(公告)号：CN111174461A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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公开(公告)号：CN105445638B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510794574.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种探测雪崩效应的原位装置及其探测方法，原位装置包括基底、基底表面绝缘层、金属电极和探测电压表，基底表面绝缘层原位生长在基底表面，金属电极包括第一电极和第二电极，均位于基底表面绝缘层上且均位于基底的中心线位置，探测电压表的两端分别与第一电极和第二电极连接，第一电极和第二电极通过基底及探测电压表形成一个探测回路。探测方法包括：将探测雪崩效应的原位装置与雪崩效应区连接；在雪崩效应区输入电流大小可变的稳恒电流；逐步增加稳恒电流大小，通过探测雪崩效应的原位装置的探测电压表观察电压脉冲现象。本发明具有准确探测雪崩效应放电具体过程并能检测肖特基结质量的优点，可用于探测多种雪崩效应器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113078261B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110267081.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；单层SnSe薄膜的厚度为1～12nm，单层SnSe2薄膜的厚度为1～12nm，Sn‑Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为40～50nm。本发明的相变存储材料在保证其他相变特性不受影响的同时具有更高的晶态电阻率、更低的热导率以及更低的晶化温度，从而能够显著降低其作为相变存储材料的功耗。
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公开(公告)号：CN110364506B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910601090.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/532 , G06F30/39
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，提供一种具有高稳定性的仿生集成电路，该仿生集成电路分支后线路的宽度之和等于分支前主干线的宽度。本发明通过仿生设计减少了电路内局部过热区与热应力的产生，从而使得复杂连线之间达到温度均匀。本发明结构简单，有效可行，适用于工业化生产，对防止集成电路中由于复杂走线所导致温度分布不均问题有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110518116B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910721523.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，包括半导体基体、设于半导体基体上的绝缘层以及设于绝缘层上的金属电极，半导体基体、绝缘层以及金属电极构成阻挡层异质结结构。阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使器件获得负微分电阻效应的特征，阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征。本发明可以得到能在基于雪崩效应的情况下兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，可用于在同一器件中实现多功能领域的应用，如在同一器件中可实现信息存储和电路放大器的功能应用。本发明所涉及的器件结构设计和性能测试方法简单，更易于生产应用。
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公开(公告)号：CN109192851B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201810997533.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种添加助烧剂制备优异电输运性能柔性热电厚膜材料的方法，该制备方法包括以下步骤：1)将热电材料粉体和助烧剂混合均匀得到混合粉体；2)将高分子树脂溶解在适当的溶剂里得到高分子树脂的溶液；3)将所述混合粉体与高分子树脂溶液混合均匀制备热电浆料；4)采用印刷方法将所述热电浆料印刷到基板上；5)将所述浆料湿膜流平、干燥后进行烧结。本发明的优点在于：所用助烧剂环保易得，价格低廉，通过加入助烧剂可以显著提高柔性热电厚膜材料的电输运性能，热电厚膜材料的制备方法简单可控，制备周期短，适合于工业化生产，有望推动面内型柔性热电器件的发展。
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公开(公告)号：CN111270056A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010150701.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C21D1/74
Abstract: 本发明提供了一种含易挥发元素合金在该元素的饱和蒸气环境中热处理的方法。含有易挥发元素合金在高真空环境中热处理时，热处理温度越高，易挥发元素的挥发损失越严重。通过在含有易挥发元素合金的热处理环境中放置该元素单质，当易挥发元素单质熔融挥发时，快速形成该元素的饱和蒸气环境。同时饱和蒸气环境中易挥发元素渗透进入合金中，与合金中该元素的挥发形成动态平衡，从而减少合金中易挥发元素在热处理过程中的挥发损失，促进含易挥发元素合金在热处理过程中的固相反应，制备获得高纯度物相。本方法工艺简单、成本低廉，能避免含易挥发元素合金在热处理过程中易挥发元素的挥发损失，有助于制备获得成分均匀稳定、物相纯度高的合金。
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