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公开(公告)号：CN111270056A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010150701.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C21D1/74
Abstract: 本发明提供了一种含易挥发元素合金在该元素的饱和蒸气环境中热处理的方法。含有易挥发元素合金在高真空环境中热处理时，热处理温度越高，易挥发元素的挥发损失越严重。通过在含有易挥发元素合金的热处理环境中放置该元素单质，当易挥发元素单质熔融挥发时，快速形成该元素的饱和蒸气环境。同时饱和蒸气环境中易挥发元素渗透进入合金中，与合金中该元素的挥发形成动态平衡，从而减少合金中易挥发元素在热处理过程中的挥发损失，促进含易挥发元素合金在热处理过程中的固相反应，制备获得高纯度物相。本方法工艺简单、成本低廉，能避免含易挥发元素合金在热处理过程中易挥发元素的挥发损失，有助于制备获得成分均匀稳定、物相纯度高的合金。
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公开(公告)号：CN119145034A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411295017.4
申请日：2024-09-14
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提出了一种Mn2Sb基合金单晶及其制备方法和应用，其中，本发明制备Mn2Sb基合金单晶的步骤包括：S1、称量；S2、封管；S3、熔炼；S4、振荡降温；S5、冷却；S6、淬火。本发明制备Mn2Sb基合金单晶的方法，步骤简单、生长周期短、成功率高，且获得的单晶无杂相、质量高、完整性好、尺寸大，能够广泛应用于更高要求的磁制冷、磁存储、磁传感等多个领域，同时也有效规避了现有技术制备Mn2Sb基合金时存在杂相的问题。
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公开(公告)号：CN110323056A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910576915.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的方法，具有单畴结构的磁性纳米颗粒与基体粉末混合时，由于磁性纳米颗粒间磁力大于重力，磁力的吸引必然会导致磁性纳米颗粒之间发生团聚，影响磁性纳米复合材料的性能。通过在高于磁性纳米颗粒的居里温度下混合磁性纳米颗粒与基体粉末，由于磁性纳米颗粒铁磁性转变为顺磁性，磁力相互作用消失，磁性纳米颗粒不再由于磁力作用而团聚，并在该温度下将混合粉末压结成块，从而解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的问题。本方法工艺简单、成本低廉、更有效可行，对解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚问题具有普遍意义。
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公开(公告)号：CN111174461B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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公开(公告)号：CN111174461A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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