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公开(公告)号：CN105261700B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510564034.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法，该方法包括：(1)电子束蒸镀制备底电极，(2)静电纺丝方法在底电极上制备纳米纤维，(3)退火处理后在纳米纤维两端引出顶电极即得。湿度环境中该纳米纤维存储器件具有良好的电致电阻性能。在纤维表面滴加金属盐溶液并进行干燥处理，处理后的存储器件在湿度环境中的电学测试结果表明其电致电阻效应是有序电流丝的产生和断裂以及场致离子迁移共同作用的结果。本发明的纤维存储器件具有更高的集成度、更好的重复性和生物兼容性，在模拟神经网络和非易失性存储器领域具有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105261700A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510564034.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法，该方法包括：(1)电子束蒸镀制备底电极，(2)静电纺丝方法在底电极上制备纳米纤维，(3)退火处理后在纳米纤维两端引出顶电极即得。湿度环境中该纳米纤维存储器件具有良好的电致电阻性能。在纤维表面滴加金属盐溶液并进行干燥处理，处理后的存储器件在湿度环境中的电学测试结果表明其电致电阻效应是有序电流丝的产生和断裂以及场致离子迁移共同作用的结果。本发明的纤维存储器件具有更高的集成度、更好的重复性和生物兼容性，在模拟神经网络和非易失性存储器领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105445638A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510794574.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明提供了一种探测雪崩效应的原位装置及其探测方法，原位装置包括基底、基底表面绝缘层、金属电极和探测电压表，基底表面绝缘层原位生长在基底表面，金属电极包括第一电极和第二电极，均位于基底表面绝缘层上且均位于基底的中心线位置，探测电压表的两端分别与第一电极和第二电极连接，第一电极和第二电极通过基底及探测电压表形成一个探测回路。探测方法包括：将探测雪崩效应的原位装置与雪崩效应区连接；在雪崩效应区输入电流大小可变的稳恒电流；逐步增加稳恒电流大小，通过探测雪崩效应的原位装置的探测电压表观察电压脉冲现象。本发明具有准确探测雪崩效应放电具体过程并能检测肖特基结质量的优点，可用于探测多种雪崩效应器件。
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公开(公告)号：CN105445638B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510794574.5
申请日：2015-11-18
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种探测雪崩效应的原位装置及其探测方法，原位装置包括基底、基底表面绝缘层、金属电极和探测电压表，基底表面绝缘层原位生长在基底表面，金属电极包括第一电极和第二电极，均位于基底表面绝缘层上且均位于基底的中心线位置，探测电压表的两端分别与第一电极和第二电极连接，第一电极和第二电极通过基底及探测电压表形成一个探测回路。探测方法包括：将探测雪崩效应的原位装置与雪崩效应区连接；在雪崩效应区输入电流大小可变的稳恒电流；逐步增加稳恒电流大小，通过探测雪崩效应的原位装置的探测电压表观察电压脉冲现象。本发明具有准确探测雪崩效应放电具体过程并能检测肖特基结质量的优点，可用于探测多种雪崩效应器件。
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