公开(公告)号：CN113078261B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110267081.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王嘉赋 ,  袁宇辉 ,  余念念 ,  孙志刚

IPC: H10N70/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；单层SnSe薄膜的厚度为1～12nm，单层SnSe2薄膜的厚度为1～12nm，Sn‑Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为40～50nm。本发明的相变存储材料在保证其他相变特性不受影响的同时具有更高的晶态电阻率、更低的热导率以及更低的晶化温度，从而能够显著降低其作为相变存储材料的功耗。

公开(公告)号：CN113078261A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110267081.1

申请日：2021-03-11

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 王嘉赋 ,  袁宇辉 ,  余念念 ,  孙志刚

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；单层SnSe薄膜的厚度为1～12nm，单层SnSe2薄膜的厚度为1～12nm，Sn‑Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为40～50nm。本发明的相变存储材料在保证其他相变特性不受影响的同时具有更高的晶态电阻率、更低的热导率以及更低的晶化温度，从而能够显著降低其作为相变存储材料的功耗。