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公开(公告)号：CN109635442B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201811525642.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于COMSOL软件的面内型热电器件结构设计方法，包括以下步骤：在COMSOL软件模型向导中选择三维空间维度和热电效应物理场，进入稳态研究；建立需要求解的热电器件的几何物理模型；定义相关全局参数和赋予模型材料属性；设置模型的初始值和边界条件；划分网格并计算；改变边界电流条件通过COMSOL软件进行计算并比较，得出热电器件最佳电流下的工作状态，对得出的结果进行后处理。实现对不同结构热电器件工作时的温度场进行数值模拟，探索热电器件的温度场分布规律，缩减实验成本和时间，为热电器件的结构优化提供理论指导和技术支持。
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公开(公告)号：CN110459670B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910721206.6
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于非晶材料原位制备磁性纳米复合热电材料的方法，该制备方法，包括以下步骤：将非晶材料在晶化温度以上进行热处理，原位得到磁性纳米复合热电材料；所述磁性纳米复合热电材料由热电基体材料和磁性纳米颗粒组成。本发明以非晶材料为原材料，在其晶化温度以上进行热处理，原位获得由热电基体材料和磁性纳米颗粒组成的磁性纳米复合热电材料，所得的磁性纳米复合热电材料中磁性纳米颗粒分布均匀、尺寸可控，性能重复性好，且制备工艺大大简化，进而大大降低了其制备成本低，适用于工业化生产，对制备磁性纳米复合热电材料具有重要的经济和科学价值。
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公开(公告)号：CN113078261A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110267081.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开一种Sn‑Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法。该Sn‑Se系列超晶格相变存储材料由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；单层SnSe薄膜的厚度为1～12nm，单层SnSe2薄膜的厚度为1～12nm，Sn‑Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为40～50nm。本发明的相变存储材料在保证其他相变特性不受影响的同时具有更高的晶态电阻率、更低的热导率以及更低的晶化温度，从而能够显著降低其作为相变存储材料的功耗。
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公开(公告)号：CN109797366B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910005762.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供一种Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法，其先采用磁控溅射法制得纯相Sn2Se3薄膜，再将高纯Ti片贴于纯相Sn2Se3薄膜上，采用磁控共溅射法制得Ti掺杂Sn2Se3相变材料。本发明的Ti掺杂Sn2Se3相变材料的制备方法通过在纯相Sn2Se3薄膜的基础上掺入一定比例的Ti杂质，从而改善了纯相Sn2Se3的相变特性，相对于纯相Sn2Se3，本发明所制Ti掺杂Sn2Se3相变材料的相变温度提高了100℃左右，晶态电阻比保持在4‑5个数量级，晶态电阻得到提高，在亚稳态下变的更为稳定。
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公开(公告)号：CN111785831A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010583338.X
申请日：2020-06-23
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了提升In2Se3相变材料多值存储特性的方法，构建出In2Se3的α相和β相的晶体模型；将α相中的四面体位In原子、八面体位In原子分别按比例替换为Sc，形成α相的四面体位的掺杂体系模型以及八面体位的掺杂体系模型；将β相中的八面体位In原子按比例替换为Sc，形成β相的八面体位的掺杂体系模型；建立单质In和单质Sc的模型；对模型进行优化；计算α相和β相的掺杂形成能；计算优化模型的总能量、态密度、能带结构和弹性常数；计算出电导率和电子热导率；计算出晶格热导率与温度之间的关系；比对掺杂前后的热导率、电导率，得出性能更优的相变材料。将满足一定条件的金属元素掺入其中，可以实现提升其存储性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110518116A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910721523.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，包括半导体基体、设于半导体基体上的绝缘层以及设于绝缘层上的金属电极，半导体基体、绝缘层以及金属电极构成阻挡层异质结结构。阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使器件获得负微分电阻效应的特征，阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征。本发明可以得到能在基于雪崩效应的情况下兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，可用于在同一器件中实现多功能领域的应用，如在同一器件中可实现信息存储和电路放大器的功能应用。本发明所涉及的器件结构设计和性能测试方法简单，更易于生产应用。
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公开(公告)号：CN109192851A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810997533.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种添加助烧剂制备优异电输运性能柔性热电厚膜材料的方法，该制备方法包括以下步骤：1)将热电材料粉体和助烧剂混合均匀得到混合粉体；2)将高分子树脂溶解在适当的溶剂里得到高分子树脂的溶液；3)将所述混合粉体与高分子树脂溶液混合均匀制备热电浆料；4)采用印刷方法将所述热电浆料印刷到基板上；5)将所述浆料湿膜流平、干燥后进行烧结。本发明的优点在于：所用助烧剂环保易得，价格低廉，通过加入助烧剂可以显著提高柔性热电厚膜材料的电输运性能，热电厚膜材料的制备方法简单可控，制备周期短，适合于工业化生产，有望推动面内型柔性热电器件的发展。
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公开(公告)号：CN105261700A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510564034.8
申请日：2015-09-07
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种基于纤维的非易失性存储器件及其制备方法，该方法包括：(1)电子束蒸镀制备底电极，(2)静电纺丝方法在底电极上制备纳米纤维，(3)退火处理后在纳米纤维两端引出顶电极即得。湿度环境中该纳米纤维存储器件具有良好的电致电阻性能。在纤维表面滴加金属盐溶液并进行干燥处理，处理后的存储器件在湿度环境中的电学测试结果表明其电致电阻效应是有序电流丝的产生和断裂以及场致离子迁移共同作用的结果。本发明的纤维存储器件具有更高的集成度、更好的重复性和生物兼容性，在模拟神经网络和非易失性存储器领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115238508A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210902218.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/18 , G01N25/00 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及一种块体材料Peltier系数的测试方法，具体步骤如下：1)制备长方体形状的待测样品，在待测样品的一个侧面上顶端和底端位置分别焊接一对热电偶，测试并计算两对热电偶通电前的系统误差ΔT0，然后通入恒定电流I测试并计算两对热电偶之间的温差ΔTt，ΔTt减去ΔT0得到该电流下的温差ΔT；2)在COMSOL仿真软件中根据待测样品参数建模，获得相应电流下的优化的边界热源系数B，对不同恒定电流I和测量得到的边界热源系数B线性回归，所得回归曲线截距即为Peltier系数Π。本发明的测试方法能够测出块体材料的Peltier系数，并且考虑到界面焦耳热的影响，精确度高，该测量方法还可以应用于磁场中。
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公开(公告)号：CN110260556B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910371118.8
申请日：2019-05-06
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种热电制冷器件，包括p型热电偶臂、n型热电偶臂、第一电极以及第二电极，p型热电偶臂的p型半导体和n型热电偶臂的n型半导体电连接，电连接的部位为可发热且发光的热端；第一电极与p型半导体电连接的部位为可制冷的第一冷端；第二电极与n型半导体电连接的部位为可制冷的第二冷端。还提供一种热电制冷器件的制备方法，包括S1和S2两个步骤。本发明通过将p型半导体和n型半导体直接电连接以得到能够发热且发光的热端，不仅能通过现有的散热手段将热量散出，还可以通过光能的形式散出，可使热端向冷端的传热量大大减小，可极大地提升热电制冷器件的制冷能力和制冷效率。
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