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公开(公告)号：CN110518116A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910721523.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，包括半导体基体、设于半导体基体上的绝缘层以及设于绝缘层上的金属电极，半导体基体、绝缘层以及金属电极构成阻挡层异质结结构。阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使器件获得负微分电阻效应的特征，阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征。本发明可以得到能在基于雪崩效应的情况下兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，可用于在同一器件中实现多功能领域的应用，如在同一器件中可实现信息存储和电路放大器的功能应用。本发明所涉及的器件结构设计和性能测试方法简单，更易于生产应用。
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公开(公告)号：CN111174461B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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公开(公告)号：CN111174461A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010101654.9
申请日：2020-02-19
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及制冷技术领域，提供了一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷器件，包括热电/磁卡复合制冷结构，所述热电/磁卡复合制冷结构的其中一相对侧分别为冷端和热端，所述冷端和所述热端均具有用于导通或阻隔热量的热开关；所述复合制冷器件还包括为所述热电/磁卡复合制冷结构施加周期性电流的脉冲电源以及进行周期性加磁或退磁的磁体系统，所述脉冲电源和所述磁体系统配合所述热开关控制所述热电/磁卡复合制冷结构的冷端持续制冷。还提供一种基于热开关的热电制冷和磁卡制冷的复合制冷方法，包括S1至S4四个步骤。本发明实现热电/磁卡复合制冷和磁卡制冷的高效双重复合制冷，可大幅度提升器件制冷性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364506A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910601090.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/532 , G06F17/50
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，提供一种具有高稳定性的仿生集成电路，该仿生集成电路分支后线路的宽度之和等于分支前主干线的宽度。本发明通过仿生设计减少了电路内局部过热区与热应力的产生，从而使得复杂连线之间达到温度均匀。本发明结构简单，有效可行，适用于工业化生产，对防止集成电路中由于复杂走线所导致温度分布不均问题有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110323056A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910576915.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的方法，具有单畴结构的磁性纳米颗粒与基体粉末混合时，由于磁性纳米颗粒间磁力大于重力，磁力的吸引必然会导致磁性纳米颗粒之间发生团聚，影响磁性纳米复合材料的性能。通过在高于磁性纳米颗粒的居里温度下混合磁性纳米颗粒与基体粉末，由于磁性纳米颗粒铁磁性转变为顺磁性，磁力相互作用消失，磁性纳米颗粒不再由于磁力作用而团聚，并在该温度下将混合粉末压结成块，从而解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚的问题。本方法工艺简单、成本低廉、更有效可行，对解决磁性纳米颗粒在磁性纳米复合材料中团聚问题具有普遍意义。
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公开(公告)号：CN110364506B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN201910601090.2
申请日：2019-07-04
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L23/50 , H01L23/528 , H01L23/532 , G06F30/39
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，提供一种具有高稳定性的仿生集成电路，该仿生集成电路分支后线路的宽度之和等于分支前主干线的宽度。本发明通过仿生设计减少了电路内局部过热区与热应力的产生，从而使得复杂连线之间达到温度均匀。本发明结构简单，有效可行，适用于工业化生产，对防止集成电路中由于复杂走线所导致温度分布不均问题有着重要意义。
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公开(公告)号：CN110518116B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910721523.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于雪崩效应的兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，包括半导体基体、设于半导体基体上的绝缘层以及设于绝缘层上的金属电极，半导体基体、绝缘层以及金属电极构成阻挡层异质结结构。阻挡层异质结结构处于持续的电场中，发生雪崩效应以使器件获得负微分电阻效应的特征，阻挡层异质结结构处于磁场中，雪崩效应受到抑制以获得非饱和磁阻效应的特征。本发明可以得到能在基于雪崩效应的情况下兼具非饱和磁阻和负微分电阻特征的器件，可用于在同一器件中实现多功能领域的应用，如在同一器件中可实现信息存储和电路放大器的功能应用。本发明所涉及的器件结构设计和性能测试方法简单，更易于生产应用。
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公开(公告)号：CN111270056A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010150701.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C21D1/74
Abstract: 本发明提供了一种含易挥发元素合金在该元素的饱和蒸气环境中热处理的方法。含有易挥发元素合金在高真空环境中热处理时，热处理温度越高，易挥发元素的挥发损失越严重。通过在含有易挥发元素合金的热处理环境中放置该元素单质，当易挥发元素单质熔融挥发时，快速形成该元素的饱和蒸气环境。同时饱和蒸气环境中易挥发元素渗透进入合金中，与合金中该元素的挥发形成动态平衡，从而减少合金中易挥发元素在热处理过程中的挥发损失，促进含易挥发元素合金在热处理过程中的固相反应，制备获得高纯度物相。本方法工艺简单、成本低廉，能避免含易挥发元素合金在热处理过程中易挥发元素的挥发损失，有助于制备获得成分均匀稳定、物相纯度高的合金。
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