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公开(公告)号：CN111010138A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911233931.5
申请日：2019-12-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种高Q值体声波谐振器，包括：衬底；位于所述衬底上的压电堆叠结构，所述压电堆叠结构与所述衬底之间有声反射结构；一个或多个高声阻抗环形凸起结构；一个或多个低声阻抗环形凸起结构；所述高声阻抗环形凸起结构和所述低声阻抗环形凸起结构交替环绕在所述压电堆叠结构顶电极的边界上。本发明通过在顶电极边界上设置多圈环形凸起结构，可以有效的减小声波的横向泄露，从而提高体声波谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN110995194A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911398316.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及谐振器技术，具体涉及一种二维高性能谐振器，包括压电层，压电层上表面分布有电极层，电极层包括设置于水平方向间距大于四个波长的若干电极和设置于垂直方向间距小于等于四个波长的若干电极。该二维高性能谐振器基于特定排布电极的超高频高性能谐振器结构，谐振频率可以达到6GHz，可以很好的满足5G市场的需求，该谐振器结构可以达到大于40%的超高的机电耦合系数，且品质因数也有很大程度提升。
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公开(公告)号：CN109489843B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811270252.0
申请日：2018-10-29
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种高灵敏度传感器及其制备方法。本发明提供的高灵敏度传感器，其特征在于，包括：衬底，内部具有密闭的空腔，该空腔内充有惰性气体，且气压小于1atm；和谐振部，形成在衬底上，包括：底电极、压电中间层、和上电极或叉指电极。根据本发明提供的高灵敏度传感器，当环境温度发生变化时，空腔内部的惰性气体的体积会随温度而变化，从而引起谐振部的底电极和压电中间层的应变形变，使谐振部的频率发生改变，通过检测频率的改变可以实现灵敏的传感。通过谐振部可以提升传感器的灵敏度，从而提高传感器性能。
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公开(公告)号：CN110868187A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911164861.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于弧形电极的超高频谐振器结构，包括压电材料和多个弧形形状的电极；弧形形状的电极布置在压电材料表面上，相邻电极上施加交替的正负电压，电极之间的距离范围为1-100个波长，所述波长根据电极的间距及谐振频率确定。本发明的超高频谐振器的谐振频率可以达到6GHz，完全可以很好的满足5G市场的需求，且本发明实例的谐振器结构可以达到大于40％的超高的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN110880922B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201911127186.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种二维超高频谐振器，具体指一种可以提高谐振器机电耦合系数的超高频谐振器机构，该种谐振器仅在压电材料上部布置有二维方向分布的正负电极，电极上部有桥状结构，电极间距大于四个波长。此种谐振器结构能够有效的提高谐振器的谐振频率和机电耦合系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111294007A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010010106.5
申请日：2020-01-06
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明属于谐振器领域，提供一种超高频压电谐振器及其制备方法，解决超高频压电谐振器采用背部刻蚀的方式在衬底上形成空腔而造成刻蚀表面不平整、刻蚀厚度不均匀和应力集中而影响器件的性能的问题。该方法包括在衬底的上表面刻蚀出凹槽；在凹槽的表面沉积第一隔离层，第一隔离层的厚度小于所述凹槽的深度；在整个凹槽内填满牺牲层，牺牲层的上表面与衬底层的上表面齐平；在填有牺牲层的衬底的上表面沉积第二隔离层；在第二隔离层的上表面形成压电层；在压电层的上表面形成电极层；在凹槽的上方形成释放口，通过释放口去除牺牲层形成空腔。本发明通过用两个隔离层包围凹槽内的牺牲层，可以避免去除牺牲层时造成刻蚀表面不平整的问题。
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公开(公告)号：CN111162749A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010016433.1
申请日：2020-01-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种新型谐振器结构，包括正电极、负电极、压电层以及衬底。所述的正电极、负电极依次交替排列，且均置于所述压电层上，所述压电层置于所述衬底上；所述正电极、负电极均为条形结构，所述条形结构沿中心及中心附近区域顺时针或逆时针向外延伸的螺旋形曲线分布。该结构可用于兰姆波、声表面波、超高频谐振器声波谐振器，可提高谐振器的机电耦合系数和品质因子。
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公开(公告)号：CN111130495A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911099574.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 武汉大学
Abstract: 公开了一种超高频谐振器，包括带有空腔的衬底，所述衬底表面设置有压电层，所述压电层上具有多个条形正电极和多个条形负电极，所述多个条形正电极和所述多个条形负电极呈放射状分布于所述压电层上，其中所述条形正电极与所述条形负电极交错分布，两个相邻的所述条形正电极与所述条形负电极之间的距离至少为一个波长。本公开的新型超高频谐振器，不仅满足4.5G以上的频率范围，且机电耦合系数高至30％以上，远远大于体声波谐振器和声表面波谐振器，满足通信用高频率，大带宽的要求。
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公开(公告)号：CN110890872A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911126025.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 武汉大学
IPC: H03H9/54
Abstract: 本发明公开了一种降低超高频体声波谐振器有效机电耦合系数的方法，该方法是在叉指电极和压电层中间沉积一层中间介质层，形成叉指电极、中间介质层、压电层的三层结构；将叉指电极中相邻的电极指加极性相反的电压，在压电层产生感应电荷，产生逆压电效应；中间介质层在叉指电极上的电压和压电层的共同的作用下，在其与电极接触的表面聚集感应电荷；通过调节中间介质层的厚度或者介电常数调节谐振器的机电耦合系数，其中介电常数的改变可通过选择不同介电常数的材料来实现。本发明降低超高频谐振器的有效机电耦合系数，使该种谐振器应用在窄带滤波器成为可能。
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公开(公告)号：CN109119531B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810917285.3
申请日：2018-08-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L41/332
Abstract: 本发明提供了一种柔性传感器的制造方法，该方法能够促使刻蚀顺利进行，并显著提高柔性传感器剥落的成功率。本发明涉及的柔性传感器的制造方法，特征在于，包括以下步骤：步骤1.在硅衬底上涂光刻胶，进行光刻，对硅衬底进行刻蚀，产生形成有多个支撑柱的凸台；步骤2.在凸台上沉积二氧化硅薄膜层；步骤3.依次沉积或覆盖制造传感器的各层材料；步骤4.通入二氧化硅刻蚀剂对二氧化硅薄膜层进行刻蚀；步骤5.将传感器剥落。
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