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公开(公告)号：CN102822084B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201080062319.7
申请日：2010-07-28
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 王喆
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明涉及CMOS兼容的MEMS麦克风，其包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在其硅器件层上；利用硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，设置在硅器件层的上方，其中，多个通孔形成在麦克风背板的与麦克风振膜相对的部分中，并且金属层形成背板的电极板；多个突出件，从与振膜相对的麦克风背板的下表面延伸；以及空气间隙，设置在振膜和麦克风背板之间，其中，构成空气间隙边界的隔离件设置在振膜之外或振膜边缘上，其中，在振膜下方的基底中形成背孔以允许声音通过，以及麦克风振膜用作电极板，与麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。
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公开(公告)号：CN103563399A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180007064.9
申请日：2011-03-11
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 王喆
Abstract: 本发明提供一种CMOS兼容的硅差分电容器麦克风及其制造方法。所述麦克风（1000）包括：硅基底（100），其中，CMOS电路容纳在该硅基底上；支撑在硅基底上的第一刚性导电穿孔背板（200），其中在两者之间插有绝缘层（120）；形成在第一背板上方的第二刚性穿孔背板（400），包括CMOS钝化层（400a、400c）以及夹在所述CMOS钝化层之间作为第二背板的电极板的金属层(400b)，其中在第一背板和第二背板的相对的穿孔区域之间设有空气间隙，并且隔离件构成了其边界；设置在第一背板和第二背板之间的顺应性振膜（300），其中，在第一背板下方的硅基底中形成背孔（150）以允许声音通过，以及振膜和第一背板构成第一可变电容器，振膜和第二背板构成第二可变电容器，第一可变电容器和第二可变电容器构成差分电容器。
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公开(公告)号：CN103179493A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310121255.9
申请日：2013-04-09
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风，涉及电声产品技术领域，包括外壳以及与所述外壳结合为一体的线路板，所述线路板上设有第一声孔，定义所述线路板与所述外壳相结合的一侧为所述线路板的内侧，所述线路板的内侧对应所述第一声孔的位置设有MEMS芯片，所述MEMS芯片通过支撑件安装于所述线路板上，所述支撑件上设有至少两个第二声孔，所述第二声孔孔径尺寸小于所述第一声孔孔径尺寸，各所述第二声孔均位于所述第一声孔的正投影内；所述支撑件上还设有用于防止各所述第二声孔通过的气流相互干扰的隔离板。本发明解决了现有技术中MEMS麦克风MEMS芯片容易损坏等技术问题。本发明具有使用寿命长、灵敏度高，声学性能好，成品合格率高等优点。
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公开(公告)号：CN102822084A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080062319.7
申请日：2010-07-28
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 王喆
CPC classification number: H04R31/00 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明涉及CMOS兼容的MEMS麦克风，其包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在其硅器件层上；利用硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，设置在硅器件层的上方，其中，多个通孔形成在麦克风背板的与麦克风振膜相对的部分中，并且金属层形成背板的电极板；多个突出件，从与振膜相对的麦克风背板的下表面延伸；以及空气间隙，设置在振膜和麦克风背板之间，其中，构成空气间隙边界的隔离件设置在振膜之外或振膜边缘上，其中，在振膜下方的基底中形成背孔以允许声音通过，以及麦克风振膜用作电极板，与麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。
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公开(公告)号：CN105723528A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201580001227.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/68 , H01L21/786 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L33/0079 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备。该用于转移微发光二极管的方法包括：在激光透明的原始衬底的背面形成掩模层，其中微发光二极管位于原始衬底的正面；使原始衬底上的微发光二极管与接收衬底上预先设置的接垫接触；以及从原始衬底侧用激光通过掩模层照射原始衬底，以从原始衬底剥离微发光二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518888A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201580001211.X
申请日：2015-09-09
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L24/03 , H01L25/0753 , H01L25/13 , H01L33/483 , H01L33/62 , H01L2224/83 , H01L2224/98 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2933/0066 , H01L21/67144 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L27/156 , H01L2224/75251 , H01L2224/83203
Abstract: 本发明公开了一种微发光二极管的修复方法、制造方法、装置及电子设备。该用于修复微发光二极管的方法包括：使导电拾取头上的已知良好微发光二极管与接收衬底的缺陷位置处的第一接垫接触，其中，导电拾取头和已知良好微发光二极管通过导电粘接物接合在一起；通过导电拾取头对第一接合层进行局部焦耳加热，使得第一接合层熔化，其中，第一接合层位于已知良好微发光二极管和第一接垫之间；以及在对第一接合层进行冷却之后提升导电拾取头，以将已知良好微发光二极管留在接收衬底上。
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公开(公告)号：CN105493257A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201580001170.4
申请日：2015-07-14
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种倒装裸片的组装方法、制造方法、装置和电子设备。该用于组装倒装裸片的方法，包括：将倒装裸片与激光透明的第一衬底临时键合，其中，倒装裸片的接合凸起位于倒装裸片的与第一衬底相对的一侧；将接合凸起与接收衬底上的接垫对准；从第一衬底侧用激光照射第一衬底，以从第一衬底剥离倒装裸片；以及将倒装裸片附着到接收衬底，用于完成组装。通过本发明，可以达到更快的组装速率。通过本发明，可以实现更小的芯片尺寸。通过本发明，可以实现更低的芯片高度。
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公开(公告)号：CN104811881A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510213255.0
申请日：2015-04-29
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Abstract: 本发明提供给了一种压电扬声器及其形成方法，其中，所述压电扬声器的形成方法包括：提供压电致动器，所述压电致动器包括压电材料层和位于所述压电材料层相对两侧的底电极和顶电极；提供扬声器盆架，所述扬声器盆架包括基底和位于所述基底上的凸起结构；在所述凸起结构的顶部形成焊料层；将所述压电致动器的底电极通过所述焊料层与所述扬声器盆架相结合。本发明压电扬声器的形成方法工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104541521A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380019408.7
申请日：2013-08-06
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
Inventor： 王喆
IPC: H04R17/02
CPC classification number: H04R7/16 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R2307/023
Abstract: 本发明涉及一种抗冲击硅基MEMS麦克风、包含该麦克风的系统和封装。所述麦克风包括：硅基底，其中设有背孔；顺应性振膜，支撑在所述硅基底上并且设置在该硅基底的背孔上方；穿孔背板，设置在所述振膜上方并与该振膜之间夹有空气间隙，并且其中还设有一个或多个第一通孔；限幅机构，包括与所述一个或多个第一通孔对应的一个或多个T形限幅件，每个限幅件具有下部和上部，该下部穿过其对应的第一通孔并且连接到所述振膜，该上部与所述穿孔背板分离并且可自由地垂直移动，其中，所述振膜和所述穿孔背板用来形成可变电容器的电极板。在所述抗冲击麦克风中，所述限幅机构有助于限制脆弱且易碎的振膜发生由跌落试验中的声压冲击波所引起的大幅移动，从而防止所述振膜受到损坏。
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公开(公告)号：CN102726065B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201080062318.2
申请日：2010-12-30
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: H04R19/00
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81B2207/015 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , H04R1/021 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风及其制造方法，所述MEMS麦克风包括：包含声学传感元件以及一个或多个调节CMOS集成电路的单片硅芯片；具有声腔的硅基载体芯片；用于在其上表面安装单片芯片和硅基载体芯片的组件的基底；附着并电连接到基底上以容纳单片芯片和硅基载体芯片的组件的导电盖子；以及形成在导电盖子上或基底上以使外部声波抵达所述声学传感元件的声孔，其中，所述单片硅芯片、所述硅基载体芯片和所述声孔设置为使外部声波从所述声学传感元件的振膜的一侧来振动该振膜。
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