公开(公告)号：CN113024128B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202110344316.2

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  庄杨 ,  陈丹杨

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。

公开(公告)号：CN113066670A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110344262.X

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  陈丹杨 ,  刘勇平 ,  林剑飞 ,  庄杨 ,  王子良

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明提供了一种SnS2/WO3纳米片阵列光阳极及其制备方法，包括以下步骤：(1)首先采用阳极氧化法在W箔上制备多孔WO3薄膜。(2)以四氯化锡和硫粉为原料，采用气相沉积法，使用双温控管式炉进行反应，在步骤(1)所制备的多孔WO3薄膜表面气相沉积SnS2纳米片阵列，获得SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极。本发明方法制得到的SnS2/WO3纳米片阵列异质结光阳极具有较高的光催化分解水活性和稳定性。为采用气相沉积法制备性能更好的SnS2纳米片异质结光阳极并改进光催化分解水性能提供了一种有效方法。

公开(公告)号：CN113024128A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110344316.2

申请日：2021-03-31

Applicant: 桂林理工大学

Inventor： 吕慧丹 ,  王子良 ,  刘勇平 ,  庄杨 ,  陈丹杨

IPC: C03C17/34

Abstract: 本发明提供了一种二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极制备方法，包括以下步骤：(1)以硫粉为硫源，五水合四氯化锡为锡源，置于双温区管式炉中，通过化学气相沉积制备二硫化锡纳米片阵列；(2)采用高温烧结得到淡黄色C3N4，然后在水和异丙醇的混合溶液中超声剥离C3N4，剥离完成后，离心收集上清液，得到C3N4超薄纳米片胶体溶液；(3)将二硫化锡纳米片阵列浸泡在C3N4超薄纳米片胶体溶液中不同的时间，烘干后，在管式炉中氩气氛围下烧结得到二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极。本发明方法制得的二硫化锡‑C3N4纳米片阵列光阳极材料具有较高的电导率，同时稳定性和光电催化性能也有明显提升。