公开(公告)号：CN103201232A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180054499.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  米田阳一郎

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。

公开(公告)号：CN102051504A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010529527.5

申请日：2010-10-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木敏晃 ,  松本克史 ,  岩崎祐纪 ,  莳野秀忠

IPC: C22C21/02 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种Al基合金溅射靶，其对于形成低布线电阻和抗小丘性优异的金属薄膜有用，优选还能够抑制溅射时的飞溅发生。本发明涉及Al基合金溅射靶，其含有Fe为0.0010～0.4质量％和Si为0.0010～0.50质量％。

公开(公告)号：CN101353779B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810134033.X

申请日：2008-07-22

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  南部旭 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  川上信之

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0491 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  B22F9/082 ,  B22F3/115 ,  B22F3/15 ,  B22F3/17 ,  B22F3/18

Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。

公开(公告)号：CN107636194A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201680031260.2

申请日：2016-05-02

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  金丸守贺 ,  广瀬研太 ,  岩崎祐纪

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明为一种溅射靶材组装体，其含有多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。

公开(公告)号：CN103201232B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201180054499.9

申请日：2011-11-11

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  米田阳一郎

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/00 ,  C04B35/457

CPC classification number: H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。

公开(公告)号：CN103429554A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011333.3

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，该氧化物烧结体及溅射靶兼具较高导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法来制造也不易产生结瘤且能长时间稳定地进行放电的直流放电稳定性优异。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡以及从由Al、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，维氏硬度为400Hv以上。

公开(公告)号：CN103298767A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。

公开(公告)号：CN102770576A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010694.1

申请日：2011-02-25

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 岩崎祐纪 ,  松本克史 ,  高木敏晃 ,  长尾护 ,  莳野秀忠

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00

Abstract: 本发明提供一种技术，其在使用Al基合金溅射靶时，即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有Ni和稀土元素，在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t：Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位 、 、 、 及 进行观察时，满足以下要件：(1)在将上述 ±15°、上述 ±15°及上述 ±15°的总面积率设为R(各处的R中，上述表层部为Ra，上述1/4×t部为Rb，上述1/2×t部为Rc)时，R为0.35以上且0.80以下，并且，(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave＝(Ra+Rb+Rc)/3]的±20％的范围内。

公开(公告)号：CN101691657B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910132939.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  得平雅也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  奥野博行 ,  越智元隆 ,  岸智弥

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C22C1/02 ,  C22F1/04 ,  C22F1/057

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04

Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。

公开(公告)号：CN102057074A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121618.0

申请日：2009-06-08

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 得平雅也 ,  松崎均 ,  田内裕基 ,  高木胜寿 ,  岩崎祐纪 ,  中井淳一

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/15 ,  B22F9/08 ,  C22C1/04 ,  C22C21/00

CPC classification number: C22C1/0416 ,  B22F2998/10 ,  C23C14/3414 ,  B22F9/082 ,  B22F1/0003

Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。