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公开(公告)号：CN108878284A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810409277.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02068 , H01L21/308 , H01L21/67057 , H01L21/67086 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/67132 , H01L21/6831 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。
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公开(公告)号：CN106847747A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610997489.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H01L21/78 , B05D1/005 , B05D3/06 , H01L21/268 , H01L21/30604 , H01L21/67092 , B23D19/00 , B23K10/00 , B23K26/032 , B23K26/08 , B23K26/364 , B28D5/022
Abstract: 提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。
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公开(公告)号：CN105374673A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510441136.0
申请日：2015-07-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/30
Abstract: 本发明提供一种加工方法，其能够将间隔道上的低介电常数绝缘膜和金属图案适当地去除。加工方法构成为包括：遮掩工序，用表面保护部件(23)覆盖形成于被加工物(11)上的器件(17a)的表面，使间隔道(15)露出；湿式喷砂工序，使磨粒分散在溶解金属图案(21)的蚀刻液中并将该磨粒喷射到被加工物上，由此将间隔道上的低介电常数绝缘膜(19)和金属图案去除而使半导体基板(13)露出；以及分割工序，对通过湿式喷砂工序使得半导体基板露出的被加工物实施干蚀刻，沿着间隔道来分割被加工物。
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公开(公告)号：CN105336601A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510472240.6
申请日：2015-08-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/30655 , H01L21/31133 , H01L21/6708 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/3043 , H01L21/306 , H01L21/30604 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法，其能够在不对器件造成损伤的情况下低成本地去除抗蚀剂膜。晶片的加工方法包括：抗蚀剂膜覆盖步骤，在晶片(W)的正面(WS)的除分割预定线外的区域上覆盖抗蚀剂膜；等离子蚀刻步骤，对晶片(W)实施等离子蚀刻，在晶片(W)的正面(WS)形成沿分割预定线的达到完工厚度的槽(S)；抗蚀剂膜去除步骤，清洗晶片(W)的正面(WS)的抗蚀剂膜而将其去除；以及磨削步骤，对晶片(W)的背面(WR)进行磨削而减薄至完工厚度，并使槽(S)在晶片(W)的背面(WR)露出，从而将晶片(W)分割成一个个器件芯片。在抗蚀剂膜去除步骤中，将药液(MF)喷洒在晶片(W)的抗蚀剂膜上而将抗蚀剂膜去除。
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公开(公告)号：CN108878284B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201810409277.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供被加工物的加工方法，能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤：掩模准备步骤，准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模；等离子蚀刻步骤，在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程：隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽，接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物，然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻；以及异物去除步骤，在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后，利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630536B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810224063.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供加工方法，在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下，不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽(M1)；扩展片粘贴步骤，在实施了槽形成步骤之后，在被加工物(W)的正面(W1a)上粘贴扩展片(T3)；扩展步骤，在实施了扩展片粘贴步骤之后，对扩展片(T3)进行扩展；以及喷射步骤，在实施了扩展步骤之后，对被加工物(W)的膜(W2)喷射喷射物(P)。
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公开(公告)号：CN108735667B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810324299.4
申请日：2018-04-12
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 提供器件芯片的制造方法，能够低成本地制造出粘贴有粘片膜的器件芯片。一种器件芯片的制造方法，对在正面侧形成有钝化膜的晶片进行加工而制造出器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：钝化膜去除步骤，沿着分割预定线将钝化膜去除；晶片支承步骤，使划片带隔着粘贴于晶片的背面的粘片膜对晶片进行支承；分割步骤，将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氟系气体的等离子蚀刻，对晶片沿着分割预定线进行分割；以及粘片膜去除步骤，将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氧系气体的等离子蚀刻，去除粘片膜的沿着分割预定线的一部分或全部。
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公开(公告)号：CN106847747B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201610997489.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的分割方法，不使含有Cu的碎屑在加工槽内成长并使碎屑不与器件的配线层接触。对晶片(W)进行分割，该晶片在上表面(W2a)具有含有Cu的配线层(W2)，并且在由分割预定线(S)划分出的区域内形成有器件(D)，该晶片的分割方法具有如下工序：激光加工槽形成工序，从配线层侧(W2)照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线而沿着分割预定线将配线层去除并形成加工槽(M)；切削工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，使宽度比加工槽(M)的最外侧宽度Mw(Max)窄的切削刀具(60)沿着加工槽切入晶片并将晶片完全切断；以及干蚀刻工序，在实施了激光加工槽形成工序之后，至少对加工槽(M)进行干蚀刻。
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公开(公告)号：CN108735667A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810324299.4
申请日：2018-04-12
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 提供器件芯片的制造方法，能够低成本地制造出粘贴有粘片膜的器件芯片。一种器件芯片的制造方法，对在正面侧形成有钝化膜的晶片进行加工而制造出器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：钝化膜去除步骤，沿着分割预定线将钝化膜去除；晶片支承步骤，使划片带隔着粘贴于晶片的背面的粘片膜对晶片进行支承；分割步骤，将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氟系气体的等离子蚀刻，对晶片沿着分割预定线进行分割；以及粘片膜去除步骤，将钝化膜作为掩模而从晶片的正面侧实施使用氧系气体的等离子蚀刻，去除粘片膜的沿着分割预定线的一部分或全部。
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公开(公告)号：CN108630536A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810224063.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 田渕智隆
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3046
Abstract: 提供加工方法，在对形成有膜的板状的被加工物进行分割的情况下，不使切削刀具产生堵塞并且不利用激光加工装置而能够对被加工物进行加工。该加工方法具有如下的步骤：槽形成步骤，从被加工物(W)的正面(W1a)沿着分割预定线(S)形成槽(M1)；扩展片粘贴步骤，在实施了槽形成步骤之后，在被加工物(W)的正面(W1a)上粘贴扩展片(T3)；扩展步骤，在实施了扩展片粘贴步骤之后，对扩展片(T3)进行扩展；以及喷射步骤，在实施了扩展步骤之后，对被加工物(W)的膜(W2)喷射喷射物(P)。
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