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公开(公告)号：CN115954326A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211190045.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L21/683 , B23K26/38
Abstract: 本发明提供器件芯片的制造方法，进行被加工物的适当的分割。该器件芯片的制造方法将被加工物分割而制造器件芯片，该被加工物在正面侧具有构成器件的层叠体，该层叠体设置于由多条交叉的分割预定线划分的多个区域，该器件芯片的制造方法包含如下步骤：支承部件固定步骤，在被加工物的正面侧固定支承部件；背面磨削步骤，对被加工物的背面侧进行磨削；支承部件去除步骤，将支承部件从被加工物的正面侧去除；加工槽形成步骤，从被加工物的正面侧沿着分割预定线照射对于层叠体具有吸收性的波长的激光束，沿着分割预定线形成将层叠体断开的加工槽；树脂层形成步骤，在被加工物的正面侧形成树脂层；以及分割步骤，沿着分割预定线将被加工物和树脂层分割。
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公开(公告)号：CN107017201A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610892484.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L27/146
Abstract: 提供晶片的加工方法，即使是在基板的正面上形成有图像传感器的晶片，也能够不降低品质而将晶片分割成各个图像传感器。晶片中，通过层叠在基板的正面上的功能层而形成有图像传感器，晶片的加工方法沿着对该图像传感器进行划分的多条分割预定线对该晶片进行分割，具有如下的工序：保护部件粘接工序，将保护部件粘接在晶片的正面上；分割槽形成工序，将切削刀具从构成晶片的基板的背面侧定位在与分割预定线对应的区域而残留出未到达功能层的基板的一部分而形成分割槽；以及晶片分割工序，从实施了分割槽形成工序的基板的背面侧沿着分割槽的底部照射激光光线，将残留的基板的一部分和功能层切断。
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公开(公告)号：CN106067444A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610244382.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L22/26 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2223/5446
Abstract: 提供晶片的加工方法，能够高精度地对形成有层叠了低介电常数绝缘体被膜的功能层的晶片进行分割。一种晶片的加工方法，利用透过基板的波长的激光光线，从晶片的背面侧对与分割预定线对应的功能层与基板的界面的高度进行检测，并以检测出的高度为基准而设定切削刀具的切入量，在基板中形成不到达功能层的具有均匀的厚度的残存部的切削槽，并沿着分割预定线将残存部和功能层切断。
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公开(公告)号：CN105321880A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510440970.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法。对在层叠于基板的正面的功能层上由多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割，包含：高度记录工序，利用卡盘工作台保持在正面上粘贴有保护部件的晶片的保护部件侧，一边在X轴方向上加工进给卡盘工作台一边检测晶片的与分割预定线对应的背面的Z轴方向的高度位置，记录分割预定线的X坐标和与X坐标对应的Z坐标；切削槽形成工序，从基板的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线对应的区域，根据已记录的X坐标和Z坐标在Z轴方向上移动切削刀具，残留未到达功能层的基板的一部分而形成切削槽；激光加工工序，从晶片的背面侧沿着切削槽的底部照射激光光线，沿着分割预定线分割晶片。
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公开(公告)号：CN116314023A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211642149.0
申请日：2022-12-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
Abstract: 提供器件芯片的制造方法，在将所制造的器件芯片层叠而热压接时不会产生芯片不良。器件芯片的制造方法分割被加工物而制造器件芯片，被加工物具有正面和背面，正面由多条交叉的分割预定线划分，在正面的被划分的各区域内设置有器件，其中，器件芯片的制造方法包含如下的步骤：加工槽形成步骤，沿着分割预定线加工被加工物而形成加工槽；树脂层形成步骤，在加工槽形成步骤之后，在被加工物的正面侧形成树脂层；以及树脂层分割步骤，在树脂层形成步骤之后，沿着被加工物的分割预定线分割树脂层。优选还包含在树脂层分割步骤之前在被加工物的背面侧粘贴带的带粘贴步骤，在树脂层分割步骤中，通过将粘贴于被加工物的背面侧的带扩张而将树脂层分割。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105321880B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201510440970.8
申请日：2015-07-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供晶片的加工方法。对在层叠于基板的正面的功能层上由多条分割预定线划分的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割，包含：高度记录工序，利用卡盘工作台保持在正面上粘贴有保护部件的晶片的保护部件侧，一边在X轴方向上加工进给卡盘工作台一边检测晶片的与分割预定线对应的背面的Z轴方向的高度位置，记录分割预定线的X坐标和与X坐标对应的Z坐标；切削槽形成工序，从基板的背面侧将切削刀具定位在与分割预定线对应的区域，根据已记录的X坐标和Z坐标在Z轴方向上移动切削刀具，残留未到达功能层的基板的一部分而形成切削槽；激光加工工序，从晶片的背面侧沿着切削槽的底部照射激光光线，沿着分割预定线分割晶片。
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公开(公告)号：CN103943567B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201410026087.X
申请日：2014-01-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , B23K26/364
Abstract: 本发明提供一种晶片加工方法，其能够对在基板表面通过层叠的功能层而形成有器件的晶片沿着划分器件的多条间隔道在器件侧不发生功能层的剥离的情况下进行分割。一种晶片加工方法，其对在基板表面通过层叠的功能层而形成有器件的晶片沿着划分器件的多条间隔道进行分割，所述晶片加工方法包括：功能层切断工序，在所述功能层切断工序中，沿着间隔道的两侧照射激光光线，形成到达基板的2条激光加工槽从而切断功能层；以及分割槽形成工序，在所述分割槽形成工序中，在沿着间隔道形成的2条激光加工槽的中央部处，在功能层以及基板上形成分割槽，在所述功能层切断工序中照射的激光光线的波长被设定为相对于钝化膜具有吸收性的300nm以下。
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公开(公告)号：CN108022876A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711011997.0
申请日：2017-10-26
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78
Abstract: 提供晶片的加工方法，该方法至少包含如下的工序：保护带粘贴工序，在晶片(10)的正面(10a)上配设粘贴力因紫外线的照射而降低的保护带(16)；背面磨削工序，将保护带侧保持在卡盘工作台(21)上，对晶片的背面(10b)进行磨削而使其薄化；切削槽形成工序，从晶片的背面将切削刀具(33)定位成与分割预定线(12)对应而形成未达到正面的切削槽(100)；切断工序，从晶片的背面沿着切削槽照射激光光线而将分割预定线完全切断；紫外线照射工序，对粘贴于晶片的正面的保护带照射紫外线(V)而使粘贴力降低；框架支承工序，在晶片的保护带侧粘贴粘合带(T)并且将粘合带的外周粘贴在具有收纳晶片的开口部的框架(F)上，借助粘合带而利用框架对晶片进行支承；和拾取工序，从晶片拾取各个器件(14)。
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公开(公告)号：CN104972225A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510160741.0
申请日：2015-04-07
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/142 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67115 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/0876 , B23K26/142 , B23K26/1476 , B23K26/16 , B23K26/364 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/67092 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供激光加工装置。该激光加工装置具备用于保持被加工物的卡盘工作台、和向被保持于卡盘工作台上的被加工物照射激光光线的激光光线照射构件，该激光光线照射构件具备振荡出激光光线的激光光线振荡构件、和聚光器，该聚光器具有使从激光光线振荡构件振荡出的激光光线聚光的聚光透镜，激光加工装置具备熔化物处理构件，该熔化物处理构件具备：具有允许从聚光器照射的激光光线穿过的开口且从该开口朝向被加工物喷射高速气体的气体喷射部；和具有吸入口的熔化物吸入部，吸入口以围绕气体喷射部的开口的方式设置且吸入因从开口喷射的高速气体而飞散的熔化物，气体喷射部与高压气体供给构件连接，熔化物吸入部与熔化物吸入构件连接。
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公开(公告)号：CN116207042A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211453306.3
申请日：2022-11-21
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/78 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供器件芯片的制造方法，与以往的方法相比，能够抑制树脂层的硬化。该器件芯片的制造方法通过将在由分割预定线划分的正面侧的区域内设置有器件的板状的被加工物利用分割预定线进行分割而制造包含器件的器件芯片，其中，该器件芯片的制造方法包含如下的步骤：树脂层形成步骤，在被加工物的正面侧形成包含未硬化或半硬化的状态的树脂的树脂层；以及被加工物切断步骤，在树脂层形成步骤之后，从在正面侧设置有树脂层的被加工物的背面侧沿着分割预定线将被加工物切断，由此制造器件芯片。
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