公开(公告)号：CN111604809B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202010106480.5

申请日：2020-02-21

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  小川彰彦 ,  降矢滋行 ,  八木裕治 ,  高田畅行 ,  德永晋平

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B57/02 ,  B24B49/10 ,  H01L21/67 ,  H01L21/321

Abstract: 第一基板研磨装置及第二基板研磨装置具备膜厚传感器，该膜厚传感器用于测定基板的被研磨层的膜厚，第一基板研磨装置及第二基板研磨装通过将基板向研磨垫按压来进行所述被研磨层的研磨。第一基板研磨装置将被研磨层的下层露出时的膜厚传感器的输出值与没有基板时的膜厚传感器的输出值的差值作为第一偏移值输出。第二基板研磨装置具备：存储部，该存储部存储第一偏移值的信息；输出补正部，该输出补正部基于第一偏移值对来自膜厚传感器的输出值进行补正；以及终点检测部，在基于补正后的输出值计算出的被研磨层的膜厚的测定值达到目标值时，该终点检测部输出指示基板研磨的终点的控制信号。

公开(公告)号：CN111152127A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201911081294.4

申请日：2019-11-07

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  涩江宏明 ,  德永晋平

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34

Abstract: 本发明提供一种涡流检测装置和使用了该涡流检测装置的研磨装置，该涡流检测装置使在被研磨物中形成的磁场更强。能够配置在形成有导电性膜的半导体晶片的附近的涡流检测装置(50)具有多个涡流传感器(56)。多个涡流传感器(56)相互配置在附近。多个涡流传感器(56)分别具有：罐形芯(60)；励磁线圈，该励磁线圈配置于罐形芯(60)，且能够在导电性膜中形成涡流；以及检测线圈，该检测线圈配置于罐形芯(60)，且能够检测在导电性膜中形成的涡流。

公开(公告)号：CN107710024A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680038444.1

申请日：2016-06-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  多田光男

IPC: G01V3/10

Abstract: 本发明提供一种金属检测用传感器，该金属检测用传感器是能够通过电磁感应检测法检测出微小金属异物的小型化的金属检测用传感器。用于对在通路(18)中移动的检查对象物所包含的金属(14)进行检测的金属检测用传感器(20)具有：产生静磁场的磁铁(24、26)；及对金属(14)生成的磁场(28)进行检测的线圈(30)。磁铁(24、26)位于线圈(30)的轴向上的线圈(30)的外部，线圈(30)位于连结磁铁(24、26)的N极与S极的轴向上的磁铁(24、26)的外部，磁铁(24、26)与线圈(30)面对。

公开(公告)号：CN104608055B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410605525.8

申请日：2014-10-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  铃木佑多

IPC: B24B53/017 ,  B24B37/013

CPC classification number: B24B49/105 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B37/042 ,  H01L21/12 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种能够进行准确的研磨进度监视的研磨装置及研磨方法。研磨装置具有：支持研磨垫(1)的研磨台(2)；使研磨台(2)旋转的台用电动机(6)；顶环(3)，所述顶环(3)将基板按压在研磨垫(1)上并研磨该基板；修整器(26)，所述修整器(26)在基板的研磨过程中一边在研磨垫(1)上摇动，一边对研磨垫(1)进行修整；过滤装置(35)，所述过滤装置(35)将具有相当于修整器(26)的摇动周期的频率的振动成分从台用电动机(6)的输出电流信号中去除；以及研磨监视装置(40)，所述研磨监视装置(40)基于去除了振动成分的输出电流信号，对基板的研磨的进度进行监视。

公开(公告)号：CN1809444A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200480017029.5

申请日：2004-06-17

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 户川哲二 ,  深谷孝一 ,  多田光男 ,  高桥太郎 ,  须藤康成

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

Abstract: 本发明涉及用于抛光诸如半导体晶片的基片到平面光洁度的基片抛光设备和基片抛光方法。基片抛光设备包括：具有抛光表面(101)的抛光台(100)；用于保持和压靠基片(W)到抛光台(100)的抛光表面(101)的基片支架(1)；和用于测量基片(W)上的薄膜厚度的薄膜厚度测量装置(200)；基片支架(1)具有多个压力可调节室(22到25)，且在相应压力可调节室(22到25)的压力基于薄膜厚度测量装置(200)所测量的薄膜厚度而被调节。

公开(公告)号：CN118809424A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410476091.X

申请日：2024-04-19

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 木下将毅 ,  八木圭太 ,  高桥太郎 ,  盐川阳一 ,  渡边夕贵

IPC: B24B37/005 ,  B24B49/12 ,  B24B37/30 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00

Abstract: 本发明为膜厚测定装置、膜厚测定方法及基板研磨装置，膜厚测定装置具备：保持作为研磨对象的基板且能够使基板移动的头部件；由透明材料构成的载物台；向载物台上供给液体的液体供给部；将载物台上的液体向外部排出的液体排出部；隔着载物台配置于所述头部件的相反侧，对于隔着载物台配置的基板的表面进行光学性膜厚测定的计侧部；以及使载物台和头部件中的至少一方以接近另一方的方式移动，并且在基板的表面被液体浸湿的状态下对所述基板进行光照射而进行膜厚测定的控制部。

公开(公告)号：CN116117685A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310305749.6

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  胜冈诚司 ,  畠山雅规

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/10 ,  B24B53/017

Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。

公开(公告)号：CN114952596A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210150730.4

申请日：2022-02-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  渡边和英 ,  三木勉

IPC: B24B37/013 ,  B24B49/00 ,  B24B37/10 ,  B24B7/22 ,  B24B27/00 ,  B24B37/34 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种使用声音传感器来高精度地检测基板研磨的终点的基板处理装置。通过将基板按压于研磨垫来进行基板的研磨的基板处理装置具备：研磨声传感器，该研磨声传感器检测伴随基板的研磨的声音现象，并将该声音现象作为声音信号输出；功率谱生成部，该功率谱生成部根据声音信号生成表示声压级的频谱的功率谱；图更新部，该图更新部通过按时间序列排列功率谱而生成表示所述功率谱的时间变化的功率谱图；以及终点判定部，该终点判定部基于功率谱图中的声压级的变化来检测基板的研磨终点。

公开(公告)号：CN114762954A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210035363.3

申请日：2022-01-13

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 涩江宏明 ,  高桥太郎 ,  宫川俊树

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B49/00 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种能够获取正确的膜厚分布信息的研磨装置、研磨方法及输出基板的膜厚分布的可视化信息的方法。该研磨装置具备研磨台(3)、多个膜厚传感器(60)以及控制装置(9)。控制装置(9)基于测定出的膜厚信息来确定基板的切口位置，并且对基板的膜厚分布信息进行解析而输出以切口位置为基准位置的膜厚分布的可视化信息。

公开(公告)号：CN107877356B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201710908822.3

申请日：2017-09-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 篠崎弘行 ,  铃木佑多 ,  高桥太郎 ,  胜冈诚司 ,  畠山雅规

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/04 ,  B24B37/32 ,  B24B37/34 ,  B24B37/005 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/10 ,  B24B53/017

Abstract: 在将顶环保持于摇臂的端部的方式中，使研磨终点检测的精度提高。一种用于在研磨垫(10)与半导体晶片(16)之间进行研磨的研磨装置，其中，半导体晶片(16)与研磨垫(10)相对地配置，该研磨装置具有：用于保持研磨垫(10)的研磨台(30A)；以及用于保持半导体晶片(16)的顶环(31A)。摆动轴电动机(14)使用于保持顶环(31A)的摇臂(110)摆动。臂力矩检测部(26)对施加于摇臂(110)的臂力矩进行检测。终点检测部(28)基于检测出的臂力矩对表示研磨的结束的研磨终点进行检测。