公开(公告)号：CN101230481A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710181850.6

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。

公开(公告)号：CN101101861A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710136701.8

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  C25F7/00 ,  C25F3/00

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。

公开(公告)号：CN100346009C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN03802888.3

申请日：2003-01-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  锅谷治

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。

公开(公告)号：CN100346008C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN02827689.2

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 齐藤孝行 ,  铃木作 ,  槙田裕司 ,  山田薰 ,  白樫充彦 ,  当间康 ,  小田严贵 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  锅谷治 ,  广川一人

IPC: C25F3/00 ,  B23H3/10 ,  H01L21/3063 ,  B01J49/00

CPC classification number: C25F3/00 ,  B01J49/30 ,  C25F7/00

Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。

公开(公告)号：CN1625612A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN03802888.3

申请日：2003-01-31

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  锅谷治

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。

公开(公告)号：CN101985208B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201010271684.0

申请日：2007-10-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 胜冈诚司 ,  关本雅彦 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  渡边辉行 ,  小林贤一 ,  粂川正行 ,  横山俊夫

IPC: B24B29/00 ,  B24B57/02 ,  B24B41/04 ,  B24B41/06

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B55/02 ,  Y10S451/914

Abstract: 一种衬底抛光设备包括衬底保持机构和抛光机构，所述衬底保持机构包括用于保持待抛光衬底的机头，所述抛光机构包括上面安装有抛光垫的抛光台。由所述机头保持的衬底被压靠所述抛光台上的所述抛光工具，以通过所述衬底和所述抛光工具的相对运动抛光所述衬底。所述衬底抛光设备还包括衬底传递机构，所述衬底传递机构用于将待抛光的衬底送到所述机头并接收已抛光的衬底。所述衬底传递机构包括用于接收待抛光衬底的待抛光衬底接收器和用于接收已抛光衬底的已抛光衬底接收器。

公开(公告)号：CN101985208A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010271684.0

申请日：2007-10-08

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 胜冈诚司 ,  关本雅彦 ,  国泽淳次 ,  宫崎充 ,  渡边辉行 ,  小林贤一 ,  粂川正行 ,  横山俊夫

IPC: B24B29/00 ,  B24B57/02 ,  B24B41/04 ,  B24B41/06

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B55/02 ,  Y10S451/914

Abstract: 一种衬底抛光设备包括衬底保持机构和抛光机构，所述衬底保持机构包括用于保持待抛光衬底的机头，所述抛光机构包括上面安装有抛光垫的抛光台。由所述机头保持的衬底被压靠所述抛光台上的所述抛光工具，以通过所述衬底和所述抛光工具的相对运动抛光所述衬底。所述衬底抛光设备还包括衬底传递机构，所述衬底传递机构用于将待抛光的衬底送到所述机头并接收已抛光的衬底。所述衬底传递机构包括用于接收待抛光衬底的待抛光衬底接收器和用于接收已抛光衬底的已抛光衬底接收器。

公开(公告)号：CN100334691C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03811301.5

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫充彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B23H5/04 ,  B23H5/08 ,  B24B37/345 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。

公开(公告)号：CN1656257A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811966.8

申请日：2003-03-25

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 锅谷治 ,  粂川正行 ,  安田穗积 ,  小畠严贵 ,  饭泉健 ,  高田畅行 ,  深谷孝一

IPC: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/3063

CPC classification number: C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/32115

Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。

公开(公告)号：CN1653597A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN03811301.5

申请日：2003-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 白樫光彦 ,  安田穗积 ,  粂川正行 ,  小畠严贵

IPC: H01L21/3063 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  B23H3/02

CPC classification number: H01L21/02087 ,  B23H5/04 ,  B23H5/08 ,  B24B37/345 ,  C25F3/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的进给区段(373)；倾斜－刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中进给区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。