公开(公告)号：CN104907920A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510109221.7

申请日：2015-03-12

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 中村显 ,  涩江宏明 ,  广尾康正 ,  太田裕志 ,  高桥太郎 ,  多田光男

IPC: B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  G01B7/06 ,  G01D5/16

CPC classification number: H01L22/26 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  G01B7/105 ,  H01L22/14

Abstract: 一种膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器，以简易的构成精确补正测定研磨对象物的膜厚的传感器的温度偏差。膜厚测定值的补正方法在进行研磨工序中补正涡流传感器的输出信号。研磨工序包含：涡流传感器与研磨对象物不相对的第一状态；及涡流传感器与研磨对象物相对的第二状态。膜厚测定值的补正方法是取得在第一状态下从涡流传感器输出的第一测定信号(Xout，Yout)(步骤S108)，基于取得的第一测定信号与对第一测定信号预先设定的基准信号(Xsd，Ysd)算出补正值(ΔX、ΔY)(步骤S109)；取得在第二状态下从涡流传感器输出的第二测定信号(X、Y)(步骤S104)，在进行研磨工序中，基于算出的补正值补正所取得的第二测定信号(步骤S105)。

公开(公告)号：CN103358222A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310110317.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 高桥太郎 ,  多田光男

IPC: B24B37/013

CPC classification number: G01N27/90 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  G01N27/82 ,  H01L22/14 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种无需提升涡电流传感器的振荡频率、内部电路的放大率及励磁电压，并且即使不在研磨台内的不同位置设置灵敏度不同的多个传感器，也可以正确检测半导体晶片等基板上的金属薄膜（或导电性薄膜）的涡电流传感器。该涡电流传感器为配置于形成有金属膜或导电性膜的基板W的附近、检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流的涡电流传感器（50），其构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈（63A、63B）互相分离配置为外侧的线圈（63B）包围内侧的线圈（63A），多个线圈（63A、63B）各自分别检测金属膜或导电性膜上形成的涡电流。

公开(公告)号：CN101329157A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810134025.5

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器，包括：空心的传感器线圈，设置在具有多个区的基板附近，并被容纳在高导磁率材料的外壳中；信号源，被配置用于为该传感器线圈提供AC信号，以在该基板中产生涡流；检测电路，被配置用于获得关于在该基板的所述多个区中产生的涡流的信号数据；以及控制器，被配置用于基于该信号数据来检测工艺的结束点。

公开(公告)号：CN1960836A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580017342.3

申请日：2005-05-23

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成 ,  市原博文 ,  伊藤贤也 ,  高桥圭瑞

IPC: B24B49/12 ,  B24B9/00 ,  H01L21/304 ,  G01B11/30 ,  G01N21/956

CPC classification number: H01L21/67242 ,  B24B9/065 ,  B24B49/12 ,  G01N21/9501 ,  G01N29/44 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67075

Abstract: 投射/接收单元(52)将激光投射到周边部分(30)上并接收反射光，同时液体被馈送给衬底(14)并在周边部分(30)上流动。信号处理控制器(54)处理反射光的电信号，以决定周边部分(30)的状态。监控正被抛光的周边部分的状态。而且，检测抛光结束点。还可以使用激光以外的其他传输波。周边部分(30)还可以用通道形成部件包围，从而适当地形成通道。甚至在液体在衬底周边部分上流动的情况下也能适当地测量周边部分。

公开(公告)号：CN1871494A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480030744.2

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 多田光男 ,  须藤康成

IPC: G01B7/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: G01B7/105

Abstract: 一种涡流传感器(10)具有传感器线圈(100)，其设置在形成在半导体晶片(W)上的导电膜(6)附近；以及信号源(124)，其用于为传感器线圈(100)提供AC信号，以在导电膜(6)中产生涡流。该涡流传感器(10)包括可用于检测在导电膜(6)中产生的涡流的检测电路。该检测电路连接到传感器线圈(100)。该涡流传感器(10)还包括由具有高导磁率的材料制成的外壳(200)。在外壳(200)中容纳传感器线圈(100)。将外壳(200)构造成使得传感器线圈(100)形成磁通(MF)的通路，以便有效地在导电膜(6)中产生涡流。