-
公开(公告)号：CN101220458A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al－基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al－基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al－基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
-
公开(公告)号：CN102985358B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
-
公开(公告)号：CN102498233A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041069.9
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: G11B7/266 , C23C14/3414 , G11B2007/24302 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种对于含有金属氧化物和金属的光信息记录媒体用记录层等的形成有用的金属氧化物-金属复合溅射靶。本发明的溅射靶是含有金属氧化物A和金属B的金属氧化物-金属复合溅射靶，所述金属氧化物A的当量圆直径的最大值控制在200μm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103201232A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
-
公开(公告)号：CN102985358A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201180031772.6
申请日：2011-06-27
CPC classification number: C23C14/14 , C01B19/002 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/61 , C04B35/547 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/40 , C04B2235/407 , C04B2235/446 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C22C1/0491 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/02 , C23C14/0623 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种在烧结时或加工时不会发生破损的、含有Cu、In、Ga及Se的Cu-In-Ga-Se系粉末、以及使用该粉末的烧结体及溅射靶。本发明涉及含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。本发明的粉末优选含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
-
公开(公告)号：CN103201232B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201180054499.9
申请日：2011-11-11
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34 , C04B35/453 , C04B35/00 , C04B35/457
CPC classification number: H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体，在对氧化物烧结体进行X射线衍射时，以Zn2SnO4相为主相，具有在ZnSnO3中固溶有In和/或In2O3的In/In2O3-ZnSnO3固溶体，且未检测到ZnxInyOz相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明，能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体，所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度，能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。
-
公开(公告)号：CN102362002B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201080011383.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , B22F9/082 , C23C14/34 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
-
公开(公告)号：CN102362002A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080011383.2
申请日：2010-04-14
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0425 , C22C9/00 , B22F9/082 , C23C14/34 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.036 seconds)
