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公开(公告)号：CN116364764A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211686457.3
申请日：2022-12-26
IPC: H01L29/24 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN111485285B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010078437.2
申请日：2020-02-03
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
Abstract: 本发明用于利用喷雾使品质稳定的膜在基板的表面生长。本发明公开的成膜装置使膜在基板的表面外延生长。该成膜装置具有：载置所述基板的台；对所述基板进行加热的加热器；喷雾供给源，其供给溶剂中溶解有所述膜的材料的溶液的喷雾；加热气体供给源，其供给加热气体，该加热气体含有与所述溶剂相同材料的气体且温度高于所述喷雾；以及送出装置，其将所述喷雾和所述加热气体朝向所述基板的所述表面送出。
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公开(公告)号：CN114695076A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111576467.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于生产包括掺杂有第一金属的第二金属的氧化物膜(6)的产品(2)的方法包括由其中溶解有第一金属和第二金属的原料溶液(23)产生雾(23m)；和将雾供应到基材(4)的表面，以在基材的表面上形成氧化物膜。原料溶液的pH小于7。
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公开(公告)号：CN114592182A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111458265.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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公开(公告)号：CN110050349B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201780075779.5
申请日：2017-12-12
Abstract: 在保护环部中，通过在n‑型漂移层(2)的表层部形成电场缓和用的电场缓和层(40)，从而抑制电场进入p型保护环(21)之间。由此，电场集中得到缓和，由电场集中引起的层间绝缘膜(10)的击穿得到抑制，能够抑制耐压下降。因此，能够制成可得到所期望的耐压的SiC半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114341409A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080060896.6
申请日：2020-01-09
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C30B29/16 , C23C16/40 , H01L21/368
Abstract: 提出在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有下述工序：一边将上述基体加热，一边将包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和铋化合物溶解而得到的溶液的雾供给至上述基体的表面的工序。通过使用该成膜方法，能够在基体上形成掺杂有铋并且具有半导体或导体的特性的氧化物膜。
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公开(公告)号：CN108470775B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810150819.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 永冈达司
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括如下工序：在半导体基板的上表面形成肖特基电极；对第二范围进行蚀刻，以使得半导体基板的上表面在第一范围中比在第二范围中高，且在第一范围与第二范围之间形成立起面，且肖特基电极的外周缘位于第一范围上；形成绝缘膜，该绝缘膜在半导体基板的上表面上沿着立起面呈环状延伸，该绝缘膜的内周缘位于肖特基电极上且该绝缘膜的外周缘位于第二范围上；及形成场板电极，该场板电极与肖特基电极电连接，在从肖特基电极的外周缘经由立起面到达第二范围的范围内隔着绝缘膜与半导体基板的上表面对向。
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公开(公告)号：CN111066152B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201880055698.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 具备：第1导电型的由碳化硅构成的第1电流分散层(13)，形成在n－型层(12)与基体区域(18)之间，与n－型层(12)相比为高杂质浓度；第2导电型的由碳化硅构成的多个第1深层(14)，形成在第1电流分散层(13)内，比第1电流分散层(13)浅并且在一个方向上延伸设置；第1导电型的由碳化硅构成的第2电流分散层(15)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，沟槽(21)的底部位于该第2电流分散层；以及第2导电型的由碳化硅构成的第2深层(17)，形成在第1电流分散层(13)与基体区域(18)之间，与基体区域(18)相连并与第1深层(14)相连，并且从沟槽(21)离开而形成。
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公开(公告)号：CN110622320A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880019440.8
申请日：2018-01-26
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。
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公开(公告)号：CN107004725B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580068085.X
申请日：2015-10-19
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/0623 , H01L21/0465 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0692 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。
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